SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂 当天，SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉，该芯片工厂将以下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线为中心，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月，SK海力士开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商，SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%，市值也轻松突破了1000亿美元，使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前，SK海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步，先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%，这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称：“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片，新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长Eric Holcomb表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州，该州有一个新兴的芯片产业，台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施，以及普渡大学的优秀人才等，最终选择了印第安纳州。 ... PC版： 手机版：

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产 在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。 从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。 另外，双方还计划合作优化 HBM 产品和台积电独有的 CoWoS 技术融合（2.5D封装）。

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙 该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。Lee 专注于组合和连接半导体的先进方法，随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据，这种方法变得越来越重要。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端”，即芯片本身的设计和制造。“但接下来的 50 年将是后端（即封装）的全部。”在这场竞赛中率先实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK 海力士被 NVIDIA 公司选中为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。周四，该公司股价在首尔上涨约 1%，自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技公司。现年 55 岁的 Lee 帮助开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法，该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户至关重要。Lee 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统 3D 集成技术博士学位，师从 Mitsumasa Koyanagi，他发明了用于手机的堆叠式电容器 DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与 TSV 连接起来，以实现更快、更节能的数据处理。但早在智能手机时代之前，三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国家。因此，当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 在 2013 年向世界推出 HBM 时，他们在两年内没有受到任何挑战，直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后，Lee 加入了 SK 海力士。他们带着一丝自豪地开玩笑说，HBM 代表“海力士的最佳内存”。里昂证券韩国分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK 海力士管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解，并且做好了充分准备。” “当机会来临时，他们用双手抓住了它。” 至于三星，“他们被发现在打瞌睡。”ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这是 Lee 一直在等待的时刻。当时，他的团队在他在日本的联系人的帮助下开发了一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。该工艺涉及在硅层之间注入液体材料，然后进行硬化，从而提高了散热性和产量。据一位知情人士透露，SK 海力士与日本 Namics Corp. 就该材料和相关专利进行了合作。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。三星多年来一直被高层的继任传奇困扰，现在正在反击。NVIDIA 去年认可了三星的 HBM 芯片，这家总部位于水原的公司表示。2月26日，其开发出第五代技术HBM3E，拥有12层DRAM芯片，容量为业界最大36GB。同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光公司表示，它已开始批量生产 24GB、八层 HBM3E，这让业界观察人士感到惊讶，该产品将成为英伟达第二季度出货的 H200 Tensor Core 单元的一部分。Lee 致力于扩大和增强国内技术，并计划在美国建设耗资数十亿美元的先进封装设施，因此面对日益激烈的竞争，Lee 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。SK海力士的狂飙人工智能的繁荣在韩国股市造成了巨大的分歧：存储芯片制造商 SK 海力士今年股价飙升超过 16%，而更大的竞争对手三星电子则表现疲软。SK 海力士是高带宽内存（HBM）芯片的领先生产商，这些芯片与 NVIDIA 的图形处理器结合使用，以实现强大的人工智能计算。AI芯片和服务器的爆炸性需求使得SK海力士在韩国股市的股价今年以来上涨了16.5%。与此同时，由于芯片巨头三星电子在人工智能领域奋力追赶，其股价同期下跌了 8%。Hi Investment & Securities 在上周的一份报告中表示，SK 海力士“由于其在 HBM 领域的主导竞争力，致力于发展人工智能行业，因此享有高估值”。“由于该公司今年很有可能保持 HBM 的竞争力，我们相信该股将维持相对乐观的趋势。”三星是基准 KOSPI 指数中市值最高的公司，其次是 SK 海力士。两者之间出现不同寻常的差异之际，全球半导体公司都在寻求利用 OpenAI 推出 ChatGPT 引发的人工智能热潮。过去六个月，英伟达的市值几乎翻了一番，因为这家美国公司的图形处理单元（GPU）对于人工智能计算至关重要。总部位于台北的市场分析公司Trendforce表示，SK海力士作为HBM技术的领导者，是NVIDIA的主要供应商。Trendforce 在 1 月份的一份报告中表示：“SK 海力士的 HBM3 产品领先于其他制造商，并且是 NVIDIA 服务器 GPU 的主要供应商。而三星则专注于满足其他云服务提供商的订单。”SK海力士于2014年与AMD联合开发了全球首款用于游戏芯片的HBM产品。两家公司还联手开发高带宽、三维堆叠内存技术及相关产品。8月，SK海力士开发出HBM3E，这是目前适用于AI应用的最高规格DRAM。该芯片每秒处理高达 1.15 TB 的数据，相当于 230 多部全高清电影，每部 5 GB 大小。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 一月份在 CES 上表示：“我们正在向市场和行业提供具有超高性能的多样化产品，例如 HBM3 和 HBM3E，这是世界上最好、最受追捧的产品。”野村证券对需求前景持乐观态度。该公司在上周的一份报告中表示：“在人工智能服务器繁荣时期，对 HBM 的需求极其强劲，因为人工智能公司的技术进步以及企业和消费市场的商业利用都好于预期。”券商进一步上调SK海力士股票的目标价，预计该公司将保持其在该行业的领先地位。Hi Investment & Securities 上周将目标价从 11 月份的 125,000 韩元上调至每股 169,000 韩元。与此同时，三星正在开发自己的 HBM 芯片以迎头赶上。该公司上周宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。不过，投资者对这一消息并不感到惊讶。该公司股价当天仅上涨0.1%。自1月份下跌7.4%以来，其股价自2月份以来一直徘徊在73,000韩元左右。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术 随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现，这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算，但分析师的平均估计是 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明，先进的封装技术可能占到其中的十分之一，是主要的优先事项。Lee 在接受采访时说："半导体行业的前 50 年都是关于前端的，也就是芯片本身的设计和制造。但是，下一个 50 年的重点将是后端，即封装。"在这场竞赛中，率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中，为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来，SK海力士的股价已上涨近120%，成为韩国第二大最有价值的公司，超过了三星和美国竞争对手美光科技。现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法，并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。长期以来，Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位，师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年，Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师，领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并用 TSV 连接，以实现更快、更节能的数据处理。但在前智能手机时代，三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。因此，当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时，在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里，它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说，HBM 代表"海力士最好的内存"。里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说："SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力，他们已经做好了充分的准备。当机会来临时，他们用双手抓住了它。至于三星，他们被打了个措手不及"。ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时，他的团队在日本联系人的帮助下，已经开发出一种名为大规模回流注塑填充（MR-MUF）的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料，然后使其硬化，从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露，SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料，并获得了相关专利。Lee 表示，SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。多年来，三星一直被其高层的接班人问题所困扰，现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意，这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示，它已开发出第五代 HBM3E 技术，该技术拥有 12 层 DRAM 芯片，容量达到 36GB，为业界最大。同一天，总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司（Micron）宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E，这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分，令业内观察人士大吃一惊。随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术，并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂，面对日益激烈的竞争，Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为，目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：