【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】 今日，三星正式公布了 UFS（通用闪存）. 存储解决方案。 据介绍，UFS . 提供每通道高达 .Gbps 的速度，是三星前代产品 UFS . 的两倍。 借助三星第 代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS . 将提供 MB/s的顺序读取速度和 MB/s的顺序写入速度。 同时，UFS . 的能效也得到了提高，UFS . 将提供每 mA（毫安）.MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了 %，因此，在消耗同等电量下，用户可以传输更多数据。 三星指出，为了实现更有效的空间利用和设计便利，UFS . 将采用尺寸为 毫米 x 毫米 x 毫米的紧凑型封装，并将提供可达 TB 的各种容量选择，计划于今年第三季度开始量产。

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量

三星宣布高性能 PCIe 5.0 固态硬盘开发成功：顺序读取速度 13000MB / s，拥有 15.36TB 容量 三星宣布已开发出用于企业服务器的 PM1743 固态硬盘。PM1743 固态硬盘拥有最新的 PCIe 5.0 接口和三星的第 6 代 V-NAND 闪存技术 三星 PM1743 拥有 13000MB / s 的顺序读取速度和每秒 2500K 输入 / 输出操作（IOPS）的随机读取速度，与此前基于 PCIe 4.0 的产品相比，速度分别提升了 1.7 倍和 1.9 倍

三星正在积极开发UFS 5.0存储系统 4.0版也还有余力

三星正在积极开发UFS 5.0存储系统 4.0版也还有余力 随着时间的推移，对存储的要求也会逐渐提高，而现在，随着人工智能的介入，公司在开发能够原生运行大型语言模型（LLM）的组件方面面临着更大的压力。三星正在推动存储技术的发展，Revegnus在 X 上分享的一张图片显示，UFS 5.0 目前正在开发中，但预计不会在 2027 年之前推出。这是否意味着这家制造商将在与竞争对手的竞争中失去优势？也不尽然，因为据说三星还在开发更先进的 UFS 4.0 存储芯片，它将让性能再上一个平台。据说 UFS 5.0 的最大理论带宽可达 10GB/s，而 UFS 4.0 的 4 通道限制速度可达 8GB/s。三星将在 2025 年推出这一更快版本的 UFS 4.0。未来，Android智能手机可能必须使用 20GB 内存来运行设备上的 LLM，但同样重要的是，设备必须配备能以惊人速度处理数据的存储芯片。英伟达（NVIDIA）的 Blackwell GPU 架构就是这样一个例子，其带宽达 8TB/s。未来，运行设备上的 LLM 可能会占用智能手机现有存储空间的 15%左右，因此除了更大容量的芯片外，三星此前还被报道正在开发一种特殊的 UFS 4.0 标准，这种标准将在不引入性能瓶颈的情况下对运行 AI 操作进行优化。遗憾的是，该公司尚未推出这些芯片，因此我们虽然等不到 UFS 5.0 的到来，但仍需等待更快的 UFS 4.0 版本先行推出。 ... PC版： 手机版：

三星推出990 EVO版固态硬盘 终于提供PCIe 5.0协议 速度大幅度提升

三星推出990 EVO版固态硬盘 终于提供PCIe 5.0协议 速度大幅度提升 既然是 EVO 系列那参数自然只能和 EVO 系列相比，相较于 970 EVO PLUS，990 EVO 性能提升了 43%，读取速度 5000MB/S，写入速度 4200MB/S，这与基于 PCIe 4.0 的 990 PRO 系列还是有不少差距的，但毕竟 EVO 系列便宜。售价：1TB 版 125 美元、2TB 版 210 美元下面是主要参数：产品Samsung SSD 990 EVO接口：PCIe 4.0 x 4 / PCIe 5.0 x2尺寸：M.2 2280闪存芯片：Samsung V-NAND 3-TLC控制器：三星控制器容量：1TB 和 2TB顺序读写速度：5000MB/S 和 4200MB/SQD32 随机：680K/800K IOPS (1TB) 700K/800K IOPS加密：AES 256 全盘加密、TCP/Opal V2.0写入：600TB / 1200TB保修：5 年有限保修 ... PC版： 手机版：

三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB

三星发布256GB SD Express microSD卡 读取速度达每秒800MB 这意味着该卡的最高连续读取速度可高达每秒 800 MB。这个速度是普通 UHS-1 microSD 卡的四倍，甚至比 SATA 固态硬盘的最高读取速度还要快，后者的极限是每秒 560MB。三星方面称，新款 256MB SD Express microSD 卡的速度将为个人电脑和智能手机提供更好的整体性能。该 microSD 卡还采用了动态热保护（DTG）技术，确保卡内温度在长时间使用后仍能保持稳定。三星还宣布，它已开始批量生产 1TB 版本的 Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡产品。它们在小卡设计中堆叠了八层三星的 V-NAND。该公司表示：新款 1TB microSD 卡通过了业界最严格的测试设置，即使在充满挑战的环境中也能可靠使用，具有防水、耐极端温度、防摔设计、磨损保护以及 X 射线和磁性保护等功能。三星 256GB SD Express microSD 卡将于今年晚些时候上市，而 1TB Pro Plus 和 Evo Plus microSD 卡将于 2024 年第三季度上市。但公司尚未透露新 microSD 卡的价格。 ... PC版： 手机版：

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统

传三星 Galaxy S25 Ultra将采用 UFS 4.1 存储系统 早前有传言称，三星正在开发下一代 UFS 存储器，该存储器将针对人工智能相关操作进行优化。之前有报道称 UFS 5.0 标准正在积极开发中，但根据该信息，这项技术预计不会在 2027 年之前亮相。在此期间，三星可能会对 UFS 4.0 进行更多改进，从 UFS 4.1 开始发布改进的迭代版本。据 Sawyer Galox 在 X 上透露，Galaxy S25 Ultra 将采用 UFS 4.1 存储技术，但并未提及 Galaxy S25 系列中价格更低的版本是否也会采用这一技术。更令人失望的是，我们不知道 UFS 4.1 和 UFS 4.0 之间的速度差异，因为这些数字都被省略了。我们之前曾报道过，128GB 的基本版 Galaxy S24 只能使用 UFS 3.1 速度，而 256GB 版本则支持 UFS 4.0 标准。韩国巨头采取这种做法很可能是为了降低元件成本，因此三星完全有可能在推出 Galaxy S25 和 Galaxy S25 Plus 时重复同样的做法。随着设备上人工智能功能的逐渐普及，更高的内存容量和更快的存储速度将成为未来的必然选择，据传Galaxy S25 Ultra 将配备 16GB RAM 机型。据报道，三星的所有 Galaxy S25 机型都将运行Google第二代版本的 Gemini Nano，它可能会与 Galaxy AI 集成，使其成为一个能力更强的组合。有了这些改进，我们不难看出，Galaxy S25 Ultra 将搭载比前代更高的设备上 AI 功能，带来显著提升的使用体验。三星的 Galaxy S24 系列是其2024 年第一季度利润增长惊人的933% 的主要原因，三款旗舰机占据了公司净利润的一半以上。这些数据暗示，Galaxy AI 是这些销售的催化剂，因此三星将有巨大的动力加倍努力，为这一类别带来更多功能，并保持目前的势头。此外，我们还将看到 Galaxy S25 Ultra 与 iPhone 16 Pro Max 相比的反应速度，据传后者将与之前的机型一样使用 NVMe 存储。 ... PC版： 手机版：