中国光刻机“”弯道超车”

中国光刻机“”弯道超车” 真正的SSMB-EUV光源方案 加速器周长100~150米，输出EUV功率>1KW 美国的极限制裁极大的加速了中国EUV光刻机的研发速度。 中国目前采取的是一种全新的“技术路线方案” 目前中国有三条光刻机研发路线。 1.国外正统路线，也就是ASML的EUV光刻机路线。HW+上海光机所+宇量升，国家队，走500W LPP光源+复杂镜头组的技术路线。现在进度最快，技术复杂度相对最高，特别是超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器技术难度非常高。进度保密 2.改进型路线。广东智能机器研究院(广智院)+华中科技大，他们在尝试一种采用分时高功率光纤激光器射击液态锡靶的方式绕开超高功率、超高重复频率二氧化碳激光器的技术路线。如果他们那个400路光纤激光器能够成功，将是使用二氧化碳激光器的LPP光源功率的数倍。何时成功还是未知。 3.颠覆式全新路线。清华大学主导的1千瓦级SSMB-EUV光源，直接把光刻机光源变成基础设施同步辐射光源。直接把光源变成类似工业园中的电力、蒸汽、纯水等可购买原料。比如：深圳产业光源系统规划了EUV光刻线站和EUV检测线站等合计四条光束线，六个实验站。 第三条。颠覆性技术路线如果全面成功，可以秒杀上面两条路线。光源外置、极大简化的光路直接把EUV光刻机变成体积大，但是成本相对较低的批量产品。且更匹配中国极高的基础设施建设能力！！！

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在

中国唯一在真正研发光刻机的机构上海微电子到现在只能生产90纳米光刻机。2020年宣布2021年交付28纳米光刻机，没下文了。现在又宣布今年年底交付。即使真能交付，和能量产、质量稳定也是两回事。国外2011年已量产28纳米芯片。但如果中芯因为华为被制裁，以后中国就要靠这款期望中的国产28纳米光刻机。但国外咨询机构早扒过，这款光刻机的中国供应商仍然要靠外国提供必需的配件，美国仍然随时可制裁。一个国家想搞完全国产的光刻机是痴心妄想。阿斯麦生产一台EUV光刻机要由24个国家的500多个供应商提供45万个配件。

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版： 手机版：