阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案

阿斯麦 High-NA EUV 光刻机取得重大突破，成功印刷 10 纳米线宽图案 ASML 公司在声明中表示：“我们位于埃因霍芬的高数值孔径 EUV 系统首次印刷出 10 纳米线宽（dense line）图案。此次成像是在光学系统、传感器和移动平台完成粗调校准后实现的。接下来我们将致力于让系统达到最佳性能表现，并最终在现实生产环境中复制这一成果。”

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机

ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示，在未来十年内，ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是，高数值孔径EUV（high-NA）光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具，目前仅英特尔一家采用，而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用，ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室，该实验室将与Imec共同运营，为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上，该实验室的系统已经投入使用，并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新，该系统已经能够产生8nm线阵图案，接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽

ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法，新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度，即提升了100%至150%，将进一步提升产能，并降低成本。现阶段经过进一步调整，ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽，这是的新纪录，这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布，已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说，ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调，ASML当前已经取得了进展，能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录，并进行校正，而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此，ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心，预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外，目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔，也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作，之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出，ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了，以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版： 手机版：

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机

ASML正在规划0.77NA的EUV光刻机 通用 EUV 平台与 hyper-NA 工具的开发紧密相关，因为标准化以及将 hyper-NA 创新引入前几代 EUV 的能力有助于收回开发 hyper-NA 工具所需的投资。“我们提出了一个长期路线图，假设十年后，我们将拥有一个低数值孔径、高数值孔径和超数值孔径 EUV 系统的单一平台，”van den Brink 说道。这位最近辞去首席技术官一职但仍受聘于 ASML 担任顾问的行业传奇人物解释说，更高分辨率工具的出现将减少对双重图案化的需求，从而减少工艺步骤的数量和每片晶圆所需的能量。“超数值孔径让我们远离双重图案化危险的复杂性。”Van den Brink 的这句话触及了人们对 hyper-NA 的前身 high-NA 的紧迫性提出的问题。根据市场研究公司 Semianalysis 的说法，高 NA 无法在成本上与低 NA 双图案竞争。ASML 此前曾反驳这一分析，指出通过避免双重图案化可降低工艺复杂性的价值。此外，该行业对高数值孔径工具的需求是“健康的”，该公司表示。一旦hyper NA 获得批准，任何对高 NA 的疑虑可能很快就会消失。Hyper NA光刻机，ASML的下一个目标ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。”ASML目前的EUV工具包括low NA模型，其具有0.33 NA光学器件，可实现 13.5 nm的临界尺寸（CD）。这足以通过单次曝光图案产生26 nm的最小金属间距和25-30 nm尖端到尖端的近似互连空间间距。这些尺寸足以满足 4nm/5nm级生产节点的需要。尽管如此，业界仍然需要3nm的21-24nm间距，这就是为什么台积电的N3B工艺技术被设计为使用Low-NA EUV双图案打印来打印尽可能最小的间距。这种方法被认为非常昂贵。具有0.55 NA光学器件的下一代High NA EUV系统将实现8nm的CD，这足以打印约16nm的最小金属节距，这对于超过3nm的节点非常有用，并且预计即使对于1nm，至少根据Imec的设想是这样。但金属间距将变得更小，超过 1nm，因此该行业将需要比 ASML 的 High-NA 设备更复杂的工具。这使我们能够开发出具有更高数值孔径投影光学器件的 Hyper-NA 工具。ASML 首席技术官 Martin van den Brink 在接受采访时证实 ，正在研究 Hyper-NA 技术的可行性。不过，尚未做出最终决定。增加投影光学器件的数值孔径是一个成本高昂的过程，涉及对光刻工具的设计进行重大改变。特别是，这包括机器的物理尺寸、开发许多新组件的需要以及成本增加的影响。ASML 最近透露，根据配置，低数值孔径 EUV Twinscan NXE 机器的售价为 1.83 亿美元或更高，而高数值孔径 EUV Twinscan EXE 工具的售价将根据配置为 3.8 亿美元或更高 。Hyper-NA 的成本会更高，因此 ASML 必须回答两个问题：它是否可以在技术上实现以及对于领先的逻辑芯片制造商来说是否在经济上可行。只剩下三个领先的芯片制造商：英特尔、三星代工和台积电。日本的 Rapidus 尚未发展成为可行的竞争对手。因此，虽然需要 Hyper-NA EUV 光刻技术，但它必须价格合理。“Hyper-NA 的引入将取决于我们能够降低成本的程度，”Martin van den Brink。“我曾多次环游世界，并与客户讨论了 Hyper-NA 的必要性和可取性。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，因此可能“使用 Hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的技术已经存在。这将是下一个十年左右的变化。但这取决于成本。”ASML 发言人告诉 Bits&Chips，正在研究 hyper-NA 技术的技术和经济可行性，但尚未做出是否继续实施的决定。他拒绝评论何时做出该决定。考虑到 Van den Brink 提到的 2030 年时间框架以及开发新一代 EUV 扫描仪所需的多年准备工作，期望早日做出承诺并不是没有道理的。高数值孔径技术于 2015 年获得批准，远早于低数值孔径 EUV 被引入大批量生产。到 2030 年，芯片制造商可能需要高数值孔径的双图案化，至少对于选定数量的层而言。与此同时，根据Imec去年提出的路线图，尺寸缩放预计将持续到至少 2036 年。这凸显了只要能够满足成本目标，新一代 EUV 扫描仪的潜在机会。早在 2022 年，Van den Brink 就对超 NA 的经济可行性表示怀疑。他对 Bits&Chips表示：“如果超数值孔径的成本增长速度与高数值孔径的成本一样快，那么这在经济上几乎是不可行的。”他补充说，他的公司正在探索解决方案，以保持技术在成本方面的可控性。和可制造性。在 2022 年 ASML 投资者日上，Van den Brink 对他的工程师将取得成功表示乐观。“我始终相信技术，所以我相信我们会实现这一目标。”2023 年 4 月，Van den Brink 对Hyper NA 业务案例的信心更加增强。“我曾多次前往世界各地与客户讨论超 NA 的需求和愿望。最近几个月，我获得了信心和洞察力，客户希望进一步降低分辨率，以便使用 hyper-NA 大规模生产逻辑和存储芯片的机会已经存在。”取代应材，跃升全球最大芯片设备供应商近年来，对晶圆厂设备的需求一直在激增，这就是为什么晶圆厂设备制造商的收入也屡创新高的原因。事实证明，根据分析师 Dan Nystedt的观察，去年 ASML 成为全球最大的晶圆厂工具制造商，取代了几十年来一直处于领先地位的应用材料公司 (Applied Materials) 。虽然这算不上竞争，而且 ASML 取得第一的原因有很多，但这是一个了不起的转折。Nystedt 表示，2023 年 ASML 的收入为 298.3 亿美元，而应用材料公司的收入为 265.2 亿美元。这里有几件事需要记住。首先，ASML的财政年度遵循日历年，而应用材料公司的2023财政年度截至2023年10月29日。这就是分析师使用该公司2024财年第一季度业绩（截至2024年1月28日）进行计算的原因。虽然这并不完全是同类比较，因为 ASML 赢得了数十亿美元，但这是一个反映趋势的合理比较。ASML 成功从应用材料公司手中夺走晶圆厂工具制造桂冠的原因有多种。首先，该公司确认了 53 个低数值孔径 EUV Twinscan NXE 工具的收入（2022 年为 40 个），每个工具的成本约为 1.83 亿美元。此外，该公司还确认了 125 台深紫外光刻工具的收入（高于一年前的 81 台）。其次，ASML 可以在 2023 年的大部分时间里向中国客户销售先进的工具，因为对中国半导体行业的制裁仅在 9 月份开始生效，而且仅针对一种工具。相比之下，应用材料公司向中国客户销售的工具在一定程度上受到了美国 2023 年 10 月推出的出口规则的影响。虽然形势的逆转非常出色，但这实际上并不是一场竞争，因为应用材料公司并不生产光刻设备。相比之下，ASML 不制造用于外延、离子注入、沉积和选择性材料去除的工具。与此同时，如今几乎没有一家晶圆厂可以在没有应用材料公司、ASML、KLA 和东京电子公司的设备的情况下运行，因此这些公司宁愿相互补充。此外，销售的 ASML 工具越多，需要的应用材料公司的设备就越多，因此两家公司都将在未来几年蓬勃发展。 ... PC版： 手机版：

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争 该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASML High NA EUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML 认为“在可预见的未来”，其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备公司 SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33 NA（数值孔径） EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现，但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。 ... PC版： 手机版：