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大石头|播客茶水间最新!光刻机巨头ASML要逃出荷兰?深度揭秘EUV极紫外光刻机的前世今生!

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大石头|播客茶水间芯片3 | 日本芯片业崛起和光刻机突破 回溯上世纪日美芯片大战!挑战与应对的经典教训

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美国要求荷兰对华禁售 ASML 光刻机,对芯片国产化影响有多大? 美国 官员正在游说荷兰当局,在禁止向中国出售最先进的极紫外线光刻机(EUV)基础上,进一步将禁售范围扩大到上一代技术深紫外线浸没式(ArFi)DUV 光刻机的出口。

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芯片设备制造商阿斯麦(ASML)2月10日向媒体展示新一代极紫外光刻机(EUV),型号为:TWINSCAN EXE:5000。这台光刻机大小约一辆双层巴士,重量约两架空客A320飞机、价值高达3.5亿欧元(约合27亿元人民币)。该设备对ASML在1250亿美元的EUV市场保持领导地位至关重要。 ASML预计今年能出货“数台”High NA EUV。 英特尔已下了订单,第一台设备已于去年12月送达该公司俄勒冈工厂,这台EUV可以制造8nm线宽电路,比前一代小1.7倍,从而实现晶体管密度提高至2.9倍。电路越细,芯片上的晶体管就越多,处理速度和表现就越佳。 ASML高管表示,该设备对人工智能(AI)发展至关重要。 ASML发言人莫尔斯(Monique Mols)2月10日在媒体参观该公司总部时说,安装这套重达15万公斤的系统,要用到250个货箱、250名工程师,且需耗时6个月 标签: #ASML #EUV #光刻机 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

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台积电的光刻机安装了远程自毁功能 世界最大的先进芯片代工厂台积电为其最先进光刻机来自荷兰 ASML 公司的极紫外光刻机安装了远程自毁功能,以防万一紧急情况下使用。据彭博社报道,此举是为了缓解美国的担忧。来源 , 频道:@kejiqu 群组:@kejiquchat

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ASML High NA EUV光刻机晶圆制造速度提升150% 可打印8nm线宽 根据ASML前总裁兼首席技术官、现任公司顾问的Martin van den Brink的说法,新的High NA EUV光刻机晶圆生产速度达到了每小时400至500片晶圆,是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度,即提升了100%至150%,将进一步提升产能,并降低成本。现阶段经过进一步调整,ASML已经可用其试验性质High-NA EUV光刻机打印生产8nm线宽,这是的新纪录,这打破了该公司在4月初当时创下的记录。当时ASML宣布,已使用位于ASML荷兰总部与imec联合实验室的试验型High-NA EUV光刻机打印了10nm线宽。就发展路线来说,ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽,而新的High-NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管。ASML现在已经证明其设备可以满足其基本规格。Martin van den Brink强调,ASML当前已经取得了进展,能够在整个打印线宽作业上将其低至8奈米记录,并进行校正,而且还具有一定程度的重叠覆盖。因此,ASML对High NA EUV光刻机的发展充满信心,预计未来将能够在突破其极限。而除了ASML自己在进行High NA EUV光刻机的测试之外,目前唯一安装完成High NA EUV光刻机的英特尔,也在美国俄勒冈州的D1X工厂投入测试工作。预计将在Intel 18A节点制程上进行技术的研发与训练工作,之后再将其投入到Intel 14A节点制程的大量生产当中。Martin van den Brink指出,ASML已经可以开发更新一代的Hyper-NA EUV光刻机了,以进一步扩展其High-NA EUV光刻机的潜在路线图。 ... PC版: 手机版:

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