英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺

英特尔 CEO 亲自站台：Intel 18A 优势略高于台积电 N2 工艺 基辛格表示 Intel 18A 凭借着良好的晶体管和强大的功率传输，略微领先于 N2。此外台积电的封装成本更高，而英特尔可以提供更有竞争力的价格优势。 台积电呛声：N3P 制程优于 Intel 18A，N2 制程还会扩大领先优势（2023/10/19）

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸

1.6nm、晶圆级超级封装、硅光子集成...台积电北美6大技术王炸     研究机构TechInsights报告显示，台积电2023年总销售额达到692.76亿美元，成为全球半导体产业冠军。摩根大通（小摩）、摩根士丹利等金融服务机构均对台积电的后续发展给出乐观预测，小摩在最新报告中认为，台积电在技术创新和先进封装领域的领先地位，以及在AI时代的关键作用，通过一系列技术突破，有望在未来几年继续保持在半导体产业的领先地位。以下为台积电在2024北美论坛公布的六大半导体技术：A16 1.6nm制程技术台积电A16制程节点是其首个整合纳米片晶体管（nanosheet）以及背面供电技术“Super Power Rail”的节点，特别适合高性能计算（HPC）及人工智能（AI）应用，是台积电N2P制程的迭代。根据台积电此前公布的路线图，N2、N2P 2nm节点定于2025年量产，A16预计将于2026年下半年量产。与2nm N2P节点相比，A16提高了晶体管密度和能效，在相同Vdd（正电源电压）下可实现8~10%的速度提升；在相同速度下，功耗可以降低15~20%。该技术可以帮助数据中心计算芯片实现1.07~1.10倍的芯片密度。台积电在北美峰会同时宣布A14工艺节点，预计将采用第二代纳米片晶体管以及更先进的背面供电网络，有望在2027~2028年开始生产，预计不会采用High NA EUV光刻机。根据路线图，台积电1nm制程A10已在规划中。消息人士于2024年1月透露，台积电将更先进制程的1nm晶圆厂规划在嘉义科学园区，已派人前往目标地块勘测。这一选址离嘉义高铁站车程仅七分钟，往北串起台积电中科、竹科厂，往南串连南科厂及高雄厂，便于工程师通勤交流。NanoFlex创新纳米片晶体管台积电即将推出的N2制程工艺将采用NanoFlex创新纳米片晶体管技术，这是该公司在设计与技术协同优化方面的又一突破。NanoFlex为N2制程标准单元提供设计灵活性，其中短小晶体管单元可实现更小的面积和更高能效，而高单元则最大限度提高性能。客户能够在同一设计内优化小单元和大单元的组合，调整设计，以达到最佳功耗、性能和面积平衡。N4C制程技术台积电宣布推出N4C技术，是N4P的迭代，可降低8.5%的芯片成本，计划于2025年量产。该技术提供具有高效面积利用率的基础IP和设计规则，与广泛应用的N4P兼容，缩小芯片尺寸并提高良率，为客户提供高性价比选择。CoWoS、SoIC和系统级晶圆（TSMC-SoW）台积电表示，CoWoS先进封装已成为AI芯片的关键技术，被广泛采用，允许客户将更多的处理器内核与HBM高带宽存储堆叠封装在一起。与此同时，集成芯片系统（SoIC）已成为三维芯片堆叠的领先解决方案，客户正越来越多地将CoWoS与SoIC及其他组件搭配使用，以实现最终的系统级封装（SiP）集成。台积电宣布推出CoW-SoW封装技术（TSMC-SoW），基于台积电于2020年推出的InFO-SoW晶圆上系统集成技术迭代而成。通过晶圆级系统集成封装技术（SoW），可以在单片12英寸晶圆上制造大型芯片阵列，提供更强算力的同时，减少空间占用，并将每瓦性能提升多个数量级。此前特斯拉的Dojo D1超级芯片，就利用台积电的此类工艺实现，利用单片晶圆实现强大算力。据悉，特斯拉自研的Dojo D1超级芯片采用台积电7nm制程，并结合InFO-SoW先进封装、垂直供电结构制造而成，用于训练自动驾驶汽车AI大模型。参数方面，每个模组包含5×5总计25颗芯片，每个单芯片包含高达354个核心，因此片上SRAM换从总计达11GB，算力9050TFLOPS。台积电表示，首款SoW产品基于集成扇出型封装（InFO）技术的纯逻辑晶圆已投入生产。利用CoWoS技术的CoW-SoW晶圆预计将于2027年问世，届时将可以集成SoIC、HBM和其他组件，创建强大的单晶圆级系统，其计算能力可以与整个机架甚至整个服务器相媲美。这类芯片将拥有巨大的面积，可以集成四个SoIC芯片+12个HBM存储芯片以及额外的I/O芯片，功率可达数千瓦。硅光子集成COUPE台积电正在开发紧凑型通用光子引擎（COUPE）技术，以支持人工智能热潮带来的数据传输爆发式增长。COUPE采用SoIC-X芯片堆叠技术，在硅光子芯片堆叠电子芯片，并保证两片芯片之间最低的传输阻抗，能效比传统堆叠方式更高。台积电计划在2025年将COUPE技术用于小尺寸插拔式设备，速度可达1.6Tbps，相比当前最先进的800G以太网成倍提升。2026年，台积电将其整合入CoWoS封装中，作为共同封装光学器件（CPO）直接将光学连接引入封装中，这样可以实现高达6.4Tbps的速度。第三个迭代版本有望进一步改进，速度翻倍至12.8Tbps。汽车芯片先进封装继2023年推出N3AE“Auto Early”制程后，台积电将继续通过整合先进芯片和先进封装，满足汽车客户对更高算力的需求，以及车规级认证的要求。台积电正在为高级辅助驾驶系统（ADAS）、车辆控制和车载中央计算机等应用开发InFO-oS和CoWoS-R解决方案，目标是在2025年第四季度之前获得AEC-Q100 2级认证。日前台积电法说会之后，大摩预计台积电Q2营收将环比增长5%~7%，并给出860元新台币的目标股价预测。小摩预测台积电今年毛利率维持在52%~54%区间，预计今年年底3nm产能将达到10万片规模，明年将增加到15万片，并给出900元新台币的目标股价。小摩同时预计，台积电在未来3~4年内，在AI芯片的市场占有率仍将维持在90%以上，到2027年AI相关收入占比将升至总营收的25%。台积电法说会、多场技术论坛过后，给市场释出稳健信号，包括花旗银行、美银证券、瑞银在内的金融机构，均对台积电给出全年营收增长的预测。在人工智能市场需求持续增长的带动下，以及美日芯片工厂新产能的释放，预计台积电未来几年将持续领衔全球半导体产业，并凭借技术实力保持AI芯片领域的龙头地位。 ... PC版： 手机版：

Intel正式发布至强6：288个E核、128个P核交相辉映

Intel正式发布至强6：288个E核、128个P核交相辉映 一是代号Sierra Forest、E核设计的至强6000E系列，包括6700E/6900E；二是代号Granite Rapids、P核设计的至强6000P系列，包括6900P/6700P/6500P/6300P。至强6没有采用消费级酷睿P核＋E核的异构架构设计，而是分成了两个不同的体系，原因在于服务器、数据中心、网络、边缘等领域的需求是截然不同的。P核架构的Granite Ridge一如传统至强，针对计算密集型应用、AI负载等需要尽可能高性能的应用做优化。E核架构的Sierra Forest则面向高密度、可扩展负载等非常在意高能效的应用做优化。同时，二者在硬件平台、软件开发堆栈上彼此共享，可以说是分工不分家。【架构技术篇】为了分出P核、E核两条路，至强6从底层架构到堆叠封装都做了全新的设计，扩展性更强大、更灵活，因此在核心数量上实现了前所未有的飞跃。四代至强(Sapphire Rapids)是四个对等模块(Tile)，五代至强(Emerald Rapids)精简为两个对等模块，但规格显著提升。至强6调整为一个或多个核心计算模块，搭配固定的两个IO输入输出与互连模块。不同模块之间采用EMIB封装组合，提供高带宽、低功耗、低延迟的互连通道。其中，计算模块包含了CPU核心、各级缓存、内存控制器。它采用最新的Intel 3制造工艺，可以视为酷睿Ultra使用的Intel 4的升级版本，专为至强优化增强。IO模块包含PCIe、UPI、CXL等连接总线控制器，以及DSA、IAA、QAT、DLB等加速器引擎。它采用成熟的Intel 7工艺制造，不需要太多的晶体管和太小的面积，也能有效控制成本。至强6700系列可以视为“基础款”，E核版本也就是6700E系列是单个计算模块，最多144核心(144线程)。P核版本则有三种配置，顶级的XCC是两个计算模块，最多86核心(192线程)；中间的HCC是一个计算模块，最多48核心；然后LCC是一个较小的计算模块，最多16核心。注意，E核不支持超线程，P核支持超线程，不再一一注明。至强6900系列则是“加强版”，E核版本的ZCC封装两个计算模块，核心数翻番做到288个(288线程)，但要到明年初才能看到，也就是6900E系列。P核版本的UCC更是三个计算模块，核心数达128个(256线程)，今年第三季度推出，成为6900P系列。【型号规格篇】至强6是一个庞大的家族，打头阵的时E核设计的基础版至强6700E系列，共有七款不同型号。旗舰型号至强6780E，144核心(144线程)，双路就是288核心，三级缓存108MB(平均每个核心0.75MB)，频率并不高，基准只有2.2GHz，全核睿频、单核睿频最高都是3.0GHz，热设计功耗达330W。内存支持8通道的DDR5-6400，内置加速器DSA、IAA、QAT、DLB都是两个，支持2048个TDX密钥，还有4条UPI 2.0总线、88条PCIe 5.0/CXL 2.0总线。至强6766E也是144核心，但降低了频率只1.9-2.7GHz，热设计功耗250W。其他型号就不一一赘述了，包括128/112/96/64个核心，主频最高也不过3.2GHz，三级缓存统一96MB。热设计功耗205-250W不等，单双路配置、内存频率、加速器数量、UPI总线数量等也做了不同区分。另外，144/96/64核心的四款型号提供超过7年的超长生命周期支持。未来产品的具体型号没有公布，但给出了大体规格。至强6700P P核版本最多86核心，支持1/2/4/8路并行(单系统最多688核心1376线程)，内存最高8通道DDR5-8000，热设计功耗最高350W。至强6900P最多128核心(256线程)，但仅支持单双路并行(单系统最多256核心)，内存最高12通道DDR5-8800，并提供最多96条PCIe 5.0/CXL 2.0总线、6条UPI 2.0总线，热设计功耗最高可达500W。至强6900E最多达到空前的288个核心(288线程)，内存频率最高只有DDR5-6400，其他和至强6900P基本一致。【性能对比篇】接下来就该说说性能了，不过这种产品很难上手实测，只能看看官方宣传数据了。至强6 E核版本替代的是五年左右之前的老平台，比如二代至强，网络与微服务性能提升最多2.6倍，媒体性能提升最多2.6倍，数据服务性能提升最多2.7倍，网络性能提升最多3.4倍，多媒体转码性能提升最多4.2倍。至强6 P核版本则面向代际升级，AI性能提升最多2倍，通用计算性能提升最多2倍，HPC高性能计算性能提升最多2.3倍。当然，考虑到四代至强是去年初发布的，五代至强是去年底发布的，这节奏属实有点太快了。至强6700E最大的好处就是计算密度非常高，用来取代二代至强，同样的性能下可以将占用空间从220个机架减少到66个。同时可以节省大量的能耗，官方数据称4年时间可节能8.4万兆瓦，相当于减少3.4万公吨的二氧化碳排放量。对比竞品AMD EPYC，官方称P核版本的双路至强6 128核心，对比双路EPYC 9654 96核心，AI推理性能领先最多3.7倍。E核版本的双路至强6756E 128核心，对比双路EPYC 9534 64核心，媒体转码性能领先最多1.3倍。至强6 E核版本对比二代至强的提升。至强6 E核版本对比五代至强的提升。至强6 E核版本对比五代至强的能效提升：综合性能提升18％的同时，40-60％利用率区间的节能效果最好，最多280W。 ... PC版： 手机版：

黄仁勋抛出2700W功耗的真核弹 还有240TB显存的AI超级计算机

黄仁勋抛出2700W功耗的真核弹 还有240TB显存的AI超级计算机 Blackwell B200 GPU首次采用了chiplet晶粒封装，包含两颗B100，而B200之间再通过带宽翻倍达1.8TB/s的第五代NVLink 5总线互连，最多可连接576块。B100采用专门定制的台积电4NP工艺制造(H100/RTX 40 4N工艺的增强版)，已经达到双倍光刻极限尺寸，彼此通过10TB/s带宽的片间互联带宽，连接成一块统一的B200 GPU。B100集成多达1040亿个晶体管，比上代H100 800亿个增加了足足30％，B200整体就是2080亿个晶体管。核心面积未公布，考虑到工艺极限应该不会比814平方毫米的H100大太多。CUDA核心数量也没说，但肯定会大大超过H100 16896个，不知道能不能突破2万个？每颗B100连接四颗24GB HBM3E显存/内存，等效频率8GHz，位宽4096-bit，带宽达4TB/s。如此一来，B200就有多达192GB HBM3E，总位宽8096-bit，总带宽8TB/s，相比H100分别增加1.4倍、58％、1.4倍。性能方面，B200新增支持FP4 Tensor数据格式，性能达到9PFlops(每秒9千万亿次)，INT/FP8、FP16、TF32 Tensor性能分别达到4.5、2.25、1.1PFlops，分别提升1.2倍、1.3倍、1.3倍，但是FP64 Tensor性能反而下降了40％(依赖GB200)，FP32、FP64 Vector性能则未公布。Blackwell GPU还支持第二代Transformer引擎，支持全新的微张量缩放，在搭配TensorRT-LLM、NeMo Megatron框架中的先进动态范围管理算法，从而在新型4位浮点AI推理能力下实现算力和模型大小的翻倍。其他还有RAS可靠性专用引擎、安全AI、解压缩引擎等。至于功耗，B100控制在700W，和上代H100完全一致，B200则首次达到了1000W。NVIDIA宣称，Blackwell GPU能够在10万亿参数的大模型上实现AI训练和实时大语言模型推理。GB200 Grace Blackwell是继Grace Hopper之后的新一代超级芯片(Superchip)，从单颗GPU＋单颗CPU升级为两颗GPU加一颗CPU，其中GPU部分就是B200，CPU部分不变还是Grace，彼此通过900GB/s的带宽实现超低功耗片间互联。在大语言模型推理工作负载方面，GB200超级芯片的性能对比H100提升了多达30倍。不过代价也很大，GB200的功耗最高可达2700W，可以使用分冷，更推荐使用液冷。基于GB200超级芯片，NVIDIA打造了新一代的AI超级计算机“DGX SuperPOD”，配备36块超级芯片，也就是包含36颗Grace CPU、72颗B200 GPU，彼此通过NVLink 5组合在一起，还有多达240TB HBM3E。这台AI超级计算机可以处理万亿参数的大模型，能保证超大规模生成式AI训练和推理工作负载的持续运行，FP4精度下的性能高达11.5EFlops(每秒1150亿亿次)。DGX SuperPOD还具有极强的扩展性，可通过Quantum-X800 InfiniBand网络连接，扩展到数万颗GB200超级芯片，并加入BlueField-3 DPU数据处理单元，而每颗GPU都能获得1.8TB/s的高带宽。第四代可扩展分层聚合和规约协议(SHARP)技术，可提供14.4TFlops的网络计算能力，比上代提升4倍。此外，NVIDIA还发布了第六代通用AI超级计算平台“DGX B200”，包含两颗Intel五代至强处理器、八颗B200 GPU，具备1.4TB HBM3E、64TB/s带宽，FP4精度性能144PFlops(每秒14亿亿次)，万亿参数模型实时推理速度提升15倍。DGX B200系统还集成八个NVIDIA ConnectX-7网卡、两个BlueField-3 DPU高性能网络，每个连接带宽高达400Gb/s，可通过Quantum-2 InfiniBand、Spectrum?-X以太网网络平台，扩展支持更高的AI性能。基于Blackwell GPU的产品将在今年晚些时候陆续上市，亚马逊云、戴尔、谷歌、Meta、微软、OpenAI、甲骨文、特斯拉、xAI等都会采纳。亚马逊云、谷歌云、微软Azeure、甲骨文云将是首批提供Blackwell GPU驱动实例的云服务提供商，NVIDIA云合作伙伴计划的中的Applied Digital、CoreWeave、Crusoe、IBM Cloud、Lambda也将提供上述服务。Indosat Ooredoo Hutchinson、Nebius、Nexgen Cloud、甲骨文欧盟主权云、甲骨文美国/英国/澳大利亚政府云、Scaleway、新加坡电信、Northern Data Group旗下的Taiga Cloud、Yotta Data Services旗下的Shakti Cloud、YTL Power International 等主权AI云，也将提供基于Blackwell架构的云服务和基础设施。 ... PC版： 手机版：