性能暴增3.7倍 三星发布首款3nm芯片Exynos W1000

性能暴增3.7倍 三星发布首款3nm芯片Exynos W1000 Exynos W1000芯片采用了三星最新的3nm GAA工艺，搭载了1个Cortex-A78大核心和4个Cortex-A55小核心，其中大核心的主频达到1.6GHz，小核心主频为1.5GHz。与前代产品Exynos W930相比，W1000在单核性能上实现了3.4倍的提升，在多核性能上更是达到了3.7倍的显著增长，应用启动速度也提升了2.7倍。除了CPU的大幅提升，Exynos W1000还配备了Mali-G68 MP2 GPU，支持AOD（Always on Display）引擎，能够驱动分辨率高达640*640像素的屏幕。芯片采用了FOPLP封装技术，支持LPDDR5内存，并内部集成了32GB eMMC存储。Exynos W1000还具备2.5D始终显示功能，支持蓝牙LE音频技术，此外，芯片还支持4G LTE、Wi-Fi b/g/n、GPS和NFC等连接功能。 ... PC版： 手机版：

三星首款3nm手机芯片Exynos 2500细节曝光

三星首款3nm手机芯片Exynos 2500细节曝光 其中Cortex-X5超大核频率在3.2GHz-3.2GHz之间，Cortex-A730大核频率在2.3GHz-2.5GHz之间。值得注意的是，这是三星首款3nm手机芯片，目前三星已开始试产第二代3nm SF3，预计在未来6个月时间内，三星让SF3的工艺良率提高到60%以上。GPU方面，三星Exynos 2500将会配备基于AMD RDNA的GPU Xlipse 950，将会带来更好的性能。在上一代芯片Exynos 2400上，基于AMD RDNA3的Xclipse 940 GPU在光线追踪方面的表现击败了对手骁龙8 Gen3。因此，Exynos 2500值得期待。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,

三星 Exynos 2200 旗舰处理器正式发布

三星 Exynos 2200 旗舰处理器正式发布 Cortex-X2 + 3× Cortex-A710 + 4× Cortex-A510 Xclipse 920 GPU (RDNA2) 3GPP Release 16 5G modem 就看和高通比哪个更能煎鸡蛋了

三星电子发布业界首款 3 纳米可穿戴设备芯片 “Exynos W1000”，预计将用于三星智能手表新产品 Galaxy Watc

三星电子发布业界首款 3 纳米可穿戴设备芯片 “Exynos W1000”，预计将用于三星智能手表新产品 Galaxy Watch 7。三星电子定于 10 日晚 10 时（当地时间 10 日下午 3 时）在巴黎举行今年第二场 Galaxy 新品发布会（Galaxy Unpacked），届时将发布折叠屏手机和智能穿戴设备等新品。（韩联社）