三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

JEDEC即将最终确定HBM4规范 并承诺关注未来创新

JEDEC即将最终确定HBM4规范 并承诺关注未来创新 这些进步对于需要高效处理大型数据集和复杂计算的应用至关重要，这些应用包括生成式人工智能（AI）、高性能计算、高端显卡和服务器。与 HBM3 相比，HBM4 将使每个堆栈的通道数增加一倍，物理占用空间更大。为支持设备兼容性，该标准确保单个控制器在需要时可同时使用 HBM3 和 HBM4。不同的配置需要不同的接口形式，以适应不同的占用空间。HBM4 将指定 24 Gb 和 32 Gb 层，并提供支持 4 层、8 层、12 层和 16 层 TSV 堆栈的选项，委员会已初步同意最高 6.4 Gbps 的速度，并正在讨论更高的频率。 ... PC版： 手机版：

HBM4 标准即将定稿 堆栈通道数较 HBM3 翻倍

HBM4 标准即将定稿 堆栈通道数较 HBM3 翻倍 行业标准制定组织 JEDEC 固态技术协会昨日表示，HBM4 标准即将定稿，在更高的带宽、更低的功耗、增加裸晶 / 堆栈性能之外，还进一步提高数据处理速率。据悉，相比较 HBM3，HBM4 的每个堆栈通道数增加了一倍，物理尺寸更大。

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb

SK hynix GDDR7内存将GPU带宽提升至160GB/秒 容量达24Gb 虽然有报道称第一代 GDDR7 内存产品将使用 28 Gbps 的芯片，容量为 16 GB（2 GB VRAM），但 DRAM 制造商并没有停止展示他们的下一代产品。在GTC 2024上，SK hynix展示了其GDDR7内存模块，它将提供40 Gbps的针脚速度，每个模块的带宽高达160 GB/s。GDDR7 标准的基准速度为 32 Gbps，每个模块的带宽为 128 GB/s，因此未来的 GDDR7 变体在带宽方面将提升 25%。三星也在加速 GDDR7 DRAM 的生产，该公司还在 GTC 上展示了其内存模块，不过是 16 Gb 和 32 Gbps 两种规格。该公司还展示了引脚速度 37 Gbps 的模块。此外，该公司还将推出不同容量的x显存，目前已上市的最高容量为 24 Gb，基准容量为 16 Gb。使用 16 Gb 模块可获得 2 GB 的 VRAM 容量，使用 24 Gb 模块可获得 3 GB 的 VRAM 容量。但我们已经报道过 JEDEC 公布的规格，这些规格证实 GDDR7 将达到 48 Gbps 的速度和 64 Gb 的密度（8 GB VRAM 容量）。这将标志着显存容量的大幅提升，256 位标准接口可提供 64 GB 容量。相比之下，目前 256 位总线接口使用 16 Gb DRAM 模块可达到的最大容量为 16 GB。24GB DRAM 模块可将容量提升至 24GB。但同样，这些速度和容量也不是我们一开始就能期待的。这样的规格可能要到 2026-2027 年之后才能实现，而现在距离 2026-2027 年还有很多年。以下是我们可以期待的第一代 GDDR7 内存产品：512 位/28 Gbps/32GB（最大内存）/1792 GB/s（最大带宽）384 位 / 28 Gbps / 24 GB（最大内存）/ 1344 GB/秒（最大带宽）256 位 / 28 Gbps / 16 GB（最大内存）/ 896.0 GB/秒（最大带宽）192 位 / 28 Gbps / 12 GB（最大内存）/ 672.0 GB/秒（最大带宽）128 位/28 Gbps/8GB（最大内存）/448.0 GB/s（最大带宽）以下是 SK hynix 40 Gbps 和 24 Gb GDDR7 DRAM 产品上市后的预期：512 位 / 40 Gbps / 48 GB（最大内存）/ 2560 GB/秒（最大带宽）384 位/40 Gbps/36 GB（最大内存）/1920 GB/秒（最大带宽）256 位/40 Gbps/24 GB（最大内存）/1280 GB/秒（最大带宽）192 位/40 Gbps/18 GB（最大内存）/960.0 GB/秒（最大带宽）128 位 / 40 Gbps / 12 GB（最大内存）/ 640.0 GB/秒（最大带宽）除了GDDR7内存模块，SK hynix还展示了DDR5 MCR DIMM，每个模块的容量达64 GB，速度达8800 MT/s，电压为1.1V。 ... PC版： 手机版：

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠

三星开发业界首款36GB HBM3E存储芯片 12层堆叠 三星电子存储产品规划执行副总裁Yongcheol Bae表示，业界AI服务供应商越来越需要更高容量的HBM，而我们开发的全新HBM3E 12H产品正是为满足这一需求设计的。技术方面，三星HBM3E 12H采用先进的热压非导电薄膜（TC NCF），使12层产品具有与8层HBM芯片相同的高度，以满足当前HBM封装要求。该技术预计将在未来带来更多优势，特别是更高层数堆叠方面，因为业界正在努力减轻芯片裸片变薄带来的翘曲问题。三星不断降低NCF材料的厚度，并实现了当前业界最小的芯片间隙（7微米），同时消除了层间空隙。与此前的HBM3 8H产品相比，新技术的进步使得垂直密度提高了20%以上。三星表示，TC NCF技术还能够通过在芯片之间使用不同大小的凸块，来改善HBM的热性能。在芯片键合层面，较小的凸块用于信号传输区域，而较大的凸块用于需要散热的区域；该方法还有助于提高产品产量。集微网了解到，英伟达目前的H200旗舰AI芯片宣布采用HBM3E存储，下一代B100预计将同样采用HBM3E，目前三大存储芯片巨头三星、SK海力士、美光均重点发力HBM。三星表示，HBM3E 12H将成为未来最佳解决方案，并降低数据中心总成本（TCO）。性能方面，新产品与HBM3 8H相比，人工智能训练平均速度可提高34%，用于推理服务支持的用户数量最高可增加11.5倍以上。目前三星已开始向客户提供HBM3E 12H样品，计划于今年上半年量产。 ... PC版： 手机版：