SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势 业界2日称，美光正在研发的下一代 HBM 在功耗方面优于 SK海力士和三星电子。一位知情的半导体行业高管表示：“美光的新 HBM 产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。”今年年底美光 HBM 产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为 SK海力士和三星电子产能的 20% 左右，但预计明年将增加三到四倍。

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术

SK Hynix将投资10亿美元开发关键AI存储芯片技术 随着现代人工智能及其通过并行处理链消化大量数据的技术的出现，这种技术的重要性与日俱增。虽然 SK 海力士没有披露今年的资本支出预算，但分析师的平均估计是 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明，先进的封装技术可能占到其中的十分之一，是主要的优先事项。Lee 在接受采访时说："半导体行业的前 50 年都是关于前端的，也就是芯片本身的设计和制造。但是，下一个 50 年的重点将是后端，即封装。"在这场竞赛中，率先实现下一个里程碑的公司现在可以跃居行业领先地位。SK Hynix 被 NVIDIA 公司选中，为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高到 119 万亿韩元。自2023年初以来，SK海力士的股价已上涨近120%，成为韩国第二大最有价值的公司，超过了三星和美国竞争对手美光科技。现年 55 岁的 Lee 协助开创了封装第三代 HBM2E 技术的新方法，并很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新是 SK Hynix 在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户地位的关键。长期以来，Lee 一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统三维集成技术的博士学位，师从发明了用于手机的堆叠电容 DRAM 的小柳光正。2002 年，Lee 加入三星存储器部门担任首席工程师，领导开发了基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并用 TSV 连接，以实现更快、更节能的数据处理。但在前智能手机时代，三星在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常会将组装、测试和封装芯片的任务外包给较小的亚洲国家。因此，当 SK Hynix 和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 于 2013 年向全球推出 HBM 时，在三星于 2015 年底开发出 HBM2 之前的两年时间里，它们一直没有受到挑战。李在镕三年后加入 SK 海力士。他们不无自豪地开玩笑说，HBM 代表"海力士最好的内存"。里昂证券韩国公司的分析师 Sanjeev Rana 说："SK 海力士的管理层对这个行业的发展方向有更好的洞察力，他们已经做好了充分的准备。当机会来临时，他们用双手抓住了它。至于三星，他们被打了个措手不及"。ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这正是 Lee 翘首以盼的时刻。当时，他的团队在日本联系人的帮助下，已经开发出一种名为大规模回流注塑填充（MR-MUF）的新型封装方法。这种工艺是在硅层之间注入液态材料，然后使其硬化，从而改善了散热和产量。据一位熟悉内情的人士透露，SK 海力士与日本 Namics 公司合作开发了这种材料，并获得了相关专利。Lee 表示，SK Hynix 正在将大部分新投资用于推进 MR-MUF 和 TSV 技术。多年来，三星一直被其高层的接班人问题所困扰，现在三星正在进行反击。NVIDIA 去年向三星的 HBM 芯片点头示意，这家总部位于水原的公司于 2 月 26 日表示，它已开发出第五代 HBM3E 技术，该技术拥有 12 层 DRAM 芯片，容量达到 36GB，为业界最大。同一天，总部位于美国爱达荷州博伊西的美光公司（Micron）宣布开始批量生产 24GB 八层 HBM3E，这将成为 NVIDIA 第二季度出货的 H200 Tensor Core 设备的一部分，令业内观察人士大吃一惊。随着 SK Hynix 致力于扩大和提高国内技术，并计划在美国建立价值数十亿美元的先进封装工厂，面对日益激烈的竞争，Lee 依然看好 SK Hynix 的发展前景。他认为，目前的投资为未来新一代 HBM 满足更多需求奠定了基础。 ... PC版： 手机版：