SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势

美光下一代 HBM 在功耗方面比 SK海力士和三星电子更具优势 业界2日称，美光正在研发的下一代 HBM 在功耗方面优于 SK海力士和三星电子。一位知情的半导体行业高管表示：“美光的新 HBM 产品在低功耗性能评估中表现出了优异的成绩。”今年年底美光 HBM 产能为2万片12英寸晶圆。虽然仅为 SK海力士和三星电子产能的 20% 左右，但预计明年将增加三到四倍。

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓

SK海力士内存产品提价约15%-20%，下半年涨幅趋缓 华尔街见闻从供应链独家获悉，SK海力士LPDDR5/LPDDR4/NAND/DDR5等DRAM产品，均有15%-20%的提价。供应链人士告诉华尔街见闻，“海力士DRAM产品价格从去年第四季度开始逐月上调，目前已累计上涨约60%-100%不等，下半年涨幅将趋缓。”

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕

三星、美光和SK海力士均提供GDDR7内存样品 GDDR 7大战即将拉开序幕 起初，显卡内存兼容CPU内存，主要使用DDR内存，然而鉴于图像处理需求逐年攀升，显卡逐渐转向采用专门为图形处理器（GPU）设计GDDR。由于GDDR具有更高的数据传输速率和带宽，在推动GPU的发展过程中起到了很关键的作用。GDDR技术发展历程历经二十余年发展，GDDR家族已经迭代至第七代，GDDR家族主要有GDDR、GDDR2、GDDR3、GDDR4、GDDR5 和 GDDR6，以及最新推出的GDDR 7。在此，我们先看下前六代的技术和性能上的情况。来源：imec虽然GDDR专为GPU设计，但是最开始的一二代GDDR和GDDR 2并没有比DDR提升很多，因此也没得到GPU厂商的大规模采用。所以GDDR的正式被认可和迭代可以说是从GDDR3开始。自GDDR3开始，Nvidia和AMD等主要GPU厂商的参与使得GDDR标准得到了大幅提升，得益于制程工艺的不断进步，GDDR3内存的数据传输速率从最初的1GHz一路攀升至2.5GHz，实现了大幅提升，并保持了长达五年的生命周期，为现代图形处理和计算提供了强大的支持。GDDR4在GDDR3的基础上，进一步提升了数据传输速率和能效。虽然GDDR4在技术上取得了进步，但由于当时NVIDIA和ATI之间对于GDDR 4标准意见相左，且存在激烈的竞争关系，NVIDIA没有采用GDDR 4，这导致其市场占有率相对有限，成本很高，GDDR4很快就被历史所遗忘。GDDR5大幅提升了带宽和速度，成为2008年后高性能显卡的标配。GDDR5具有更高的时钟频率和数据传输速率，广泛应用于各类图形处理和计算任务中。GDDR5之后，NVIDIA还与美光推出了GDDR5X半代产品，用于NVIDIA高端显卡。而GDDR6则在数据传输速率和能效方面进一步提升，成为现代高端GPU的主流选择。GDDR6X引入了PAM4（Pulse Amplitude Modulation 4）信号技术，显著提高了数据传输速率。Nvidia在其Ampere架构，如GeForce RTX 3080和RTX 3090，率先采用了GDDR6X内存。可以看出，从最初的GDDR到最新的GDDR6，GDDR内存经历了多次技术迭代和性能提升。每一代GDDR内存都在数据传输速率、带宽和能效方面不断优化，满足了GPU和图形处理日益增长的需求。如今，它已成为人工智能和大数据应用领域中最受欢迎的内存芯片之一。GDDR7大战打响 三星和SK海力士打头阵目前，三星、美光和SK海力士均已开始提供GDDR7内存样品，GDDR 7大战即将拉开序幕。三星和SK海力士在今年3月份NVIDIA的GTC大会上均宣布了各家GDDR7的相关指标。两家公司都展示了16Gb（2GB）密度的产品，24Gb（3GB）更高版本没有在这一波浪潮中展现。按照三星的披露，三星GDDR7芯片能够在仅1.1 V的DRAM电压下实现32 Gbps的速度，这超过了JEDEC的GDDR7规范中的1.2 V，这一性能是通过首次应用PAM3信号实现的。再加上三星特有的其他电源管理创新，能源效率提高了20%，将待机功耗降低 50%，从而减少整体功耗。三星还在封装基板方面进行了一些创新，它使用了一种导热性高、热阻低的环氧模塑料 （EMC） 进行 GDDR7 封装，以确保有源元件（IC本身）不会过热，与 GDDR6 芯片相比，热阻降低了70%。这些芯片采用512M x32组合，采用266针FBGA 封装。而SK海力士表示它将提供速度高达40 Gbps的GDDR7芯片。与其前身GDDR6相比，最新的GDDR7产品提供的最大带宽达到160GB/s，是其上一代产品（GDDR6位80GB/s）的两倍，功耗效率提升了40%，同时，内存密度提升了1.5倍，使得视觉效果也进一步得到增强。独立的四通道的模式，提高了内存并行处理能力，每个通道支持32字节的数据访问。除了四通道模式，GDDR7还支持双通道模式，提供了灵活的配置选项，以适应不同的应用需求和系统架构。SK海力士GDDR7技术指标（来源：SK海力士）SK海力士GDDR7采用与GDDR6相同的板尺寸，大小为12mm x 14mm，这意味着在设计和制造过程中，GDDR7可以直接替换现有的GDDR6模块，而无需对电路板进行重新设计。此外，GDDR7内存还配备了专用的内存实现方案和PCB（印刷电路板）设计，以最大化其性能和效率。（来源：SK海力士）SK海力士的16Gb GDDR7 芯片基本已经准备就绪，将在今年晚些时候批量出货。三星的也在出样品的过程中。虽然尚不清楚谁将成为三星和SK海力士GDDR7内存的首批客户，但是考虑到两家均在NVIDIA GTC2024上进行展示，这也很清楚地表明NVIDIA是其中之一。姗姗来迟的美光2024年6月4日，美光宣布开始为下一代GPU提供GDDR7内存样品，它有28GB/s和32Gb/s两种速度。新一代GDDR7采用美光科技的1β （1-beta） DRAM 技术制造，在能效和性能上实现了大幅提升。美光在宣布这一消息时公布了一些诱人的数字。该公司表示，32Gb/s GDDR7提供的内存带宽比GDDR6高出60%，在384位总线上可达到1.5TB/s的内存带宽。这比其前代产品有了显著的飞跃，前代产品在RTX 4090等 GPU上的384位内存总线上最高可达1TB/s。同时，工作电压降低至1.2V，上一代为1.35V，美光表示，其GDDR7的效率比GDDR6 提高了50%，实现节能的方式主要包括分割电压平面、部分设备运行和休眠模式。采用FBGA更薄的封装高度（1.1mm对比1.2mm）和高热导EMC封装，提供65%更好的热阻，这为台式机和笔记本电脑提供了更好的热管理。美光GDDR6与GDDR7特点比较美光GDDR7的这些特性提升使其在游戏、生成式AI、高性能计算（HPC）领域前景广阔。也就意味着GDDR7可能与HBM相竞争。如美光所述，在游戏领域，GDDR7预计在每秒帧数（FPS）方面可提升超过30%，特别是在光线追踪和光栅化工作负载下；在生成式AI应用中，GDDR7提供超过1.5 TB/s的高系统带宽，预计可将生成式AI文本到图像生成的响应时间减少多达20%；对于HPC，GDDR7预计能够减少处理时间，实现复杂工作负载（如动画、3D设计、科学仿真和金融建模）的无缝多任务处理。据美光的公告，其GDDR7内存将于2024年下半年直接从美光以及通过精选的全球渠道分销商和经销商发售。NVIDIA使用美光的内存是板上钉钉了，因为此前美光专门为 Nvidia 制造了GDDR6x，不过在美光GDDR7的公告中也提到了AMD，因此AMD也可能会加入这一行列。GDDR 7最大的技术变化2024年3月，JEDEC发布了GDDR7 内存标准规范。JEDEC 是微电子行业标准制定领域的全球领导者。如下图所示，GDDR7的每引脚带宽最高可达48 Gbps，远高于GDDR6和GDDR6X的24 Gbps。在256位总线宽度下，GDDR7的总带宽达到1024 GB/sec，显著高于GDDR6和GDDR6X的768 GB/sec。GDDR7的工作电压为1.2 V，比GDDR6和GDDR6X的1.35 V更低。在信号技术上， GDDR7采用PAM-3信号技术，而GDDR6X采用PAM-4，GDDR6则使用传统的NRZ信号技术。GDDR7的最大密度达到64 Gb，是GDDR6和GDDR6X的两倍。GDDR7采用266 FBGA封装，高于GDDR6和GDDR6X的180 FBGA。图表展示了GDDR7相对于前几代在带宽、功耗和封装上的显著改进。来源：anandtechGDDR7最大的技术变化在于内存总线从2位不归零 （NRZ） 编码转换为3位脉冲（-1、0、+1）幅度调制 （PAM3） 编码。PAM3使GDDR7能够在两个周期内传输3位数据，仅这一变化就让数据传输效率提高了50%。随着向PAM3信号的转变，内存行业有了一条新途径来扩展 GDDR 设备的性能并推动图形和各种高性能应用的持续发展。之前的GDDR标准使用非归零（NRZ）技术，通过两种信号电平来传输编码为1或0的数据。这种方法在多个GDDR世代中都足够使用，但随着时钟速度和系统复杂性的增加，成为了一大瓶颈。为了解决这一挑战，美光与英伟达推出了采用多级信号技术的创新GDDR6X技术。美光是唯一提供GDDR6X的公司，GDDR6X利用PAM4信号技术，提供了业界领先的>1.1 TB/s带宽。美光在GDDR6X方面的成功和经验为下一代使用类似信号方法的GDDR奠定了基础。虽然PAM3每周期传输的比特数量低于GDDR6X上的PAM4，但PAM3提供了50%的更高电压裕度，并且编码复杂度更低，这减... PC版： 手机版：