三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。