三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存

SK 海力士、三星电子：整体 DRAM 生产线已超两成用于 HBM 内存 2024-05-13 2024-05-02 2024-04-22 2024-03-21 2024-03-14 2024-03-07 2024-03-01 2024-02-23 2024-02-13

把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望

把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望 数据显示，这家全球第二大内存制造商的销售额在一季度增长了144%，达到 12.4 万亿韩元（约合 90 亿美元），远远超出预期。营业利润为 2.89 万亿韩元（去年的亏损为 2.6 万亿韩元），远超预期的 1.8 万亿韩元利润。这也是该公司有史以来第二高的第一季度营业利润。毫无疑问，HBM是SK海力士这波崛起的重要原因。SK海力士首席财务官 Kim Woohyun 也直言：“凭借 HBM 引领的 AI 内存领域业界最顶尖的技术，我们已经进入明显的复苏阶段。”但是，三星和美光却虎视眈眈。绝对王者关于HBM沿革，在半导体行业观察之前的文章《HBM的逆袭好戏》中，已经有了很详细的描述，在本文我们就不再赘言。然而，我们需要重申一下SK海力士在HBM市场的绝对影响力，以及他们的HBM带给市场的影响。据市场研究公司 TrendForce 称，SK 海力士去年以 53% 的市场份额领先 HBM 市场，其次是三星电子 (38%) 和美光 (9%)。最近，关于HBM有很多消息，但SK 海力士 HBM 设计主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇博客中表示：“SK 海力士被公认为 HBM 市场无可争议的领导者。”他进一步指出，SK Hynix 于 2009 年开始开发 HBM 芯片。该公司预计高性能内存芯片的需求将会增加，并花了四年时间开发 HBM，专注于硅通孔 (TSV) 技术。该公司于 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。然而，SK海力士要在 HBM 上大显身手还有很长的一段路要走。因为在2010年代，计算机市场还没有成熟到可以接受当下“超出需要”的高速度、高容量的HBM产品。因此，SK海力士在第二代产品HBM2开发中遇到困难时，有许多人对HBM业务的前景表示担忧。Park Myeong-Jae 副社长将该时期描述为“在危机中发现机遇的时期”。于是，从HBM2E开始，SK海力士便以远超外界期待值为目标，并加强了团队协作。研发HBM需要将各种复杂技术巧妙结合，因此与相关团队合作解决挑战、创造协同效应尤为关键。得益于此，SK海力士取得了显著技术进步。也在MR-MUF、HKMG和 Low-K IMD 等主要基础技术上打下了基础。最终，凭借HBM3压倒性的性能与特性，SK海力士赢得了较高的市场份额。截止到现在，SK Hynix 是三家公司中第一家通过 NVIDIA 认证测试并成为主要供应商的公司。业内估计，SK Hynix 的 HBM3E 良率已经稳定，据报道其营业利润率是 DRAM（动态随机存取存储器）的两倍。Park Myeong-Jae介绍说：“SK海力士的HBM产品具备业界最佳的速度和性能。尤其是公司独有的MR-MUF技术，为高性能提供了最稳定的散热，为造就全球顶尖性能提供了保障。此外，SK海力士拥有快速量产优质产品的能力，对客户需求的响应速度也是首屈一指的。这些竞争优势的结合使HBM3E脱颖而出，跻身行业前列。”正因为如此，SK海力士的HBM受到了客户的高度欢迎。据外媒报道，SK 海力士目前为亚马逊、AMD、Facebook、Google (Broadcom)、英特尔、微软以及 NVIDIA 等客户生产各种类型的 HBM 内存。而由于芯片供应商希望确保对其成功至关重要的内存堆栈的供应，因此几个月前就已下达的 HBM 内存订单现在已经积压到 2025 年。与此同时，美光和三星正在紧追慢赶，美光在近日更是表示，预计明年将占据 HBM 市场的 20% 以上，这比目前的 9% 大幅提升。不甘人后作为HBM的后进者，美光科技和三星不甘人后。首先看美光，作为HBM三强中的最后一名，他们采取了大胆的战略举措，跳过第四代高带宽内存 (HBM) HBM3，直接进入第五代 HBM (HBM3E)，旨在占据下一代 HBM 市场的很大份额。这一决定已经开始见效，美光获得了 NVIDIA 的订单，并开始增加供应量，最终于去年年底向 NVIDIA 全面供应 HBM3E。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra在日前的财报会议上表示表示：“强劲的 AI 需求和强大的执行力使美光第三财季收入环比增长 17%，超出了公司的预期范围。美光在高带宽内存 (HBM) 等高利润产品的份额不断扩大。”“美光在第二财季开始出货 HBM3E 内存，并在第三财季从这些产品中获得了超过 1 亿美元的销售额。” Mehrotra说。他进一步指出，这些产品是盈利的。美光预计，在 2024 财年（仅剩一个季度），公司的HBM 内存将带来数亿美元的收入，在 2025 财年（从 2024 年 9 月开始，一直到 2025 年 8 月）将带来数十亿美元的收入。美光 2024 年和 2025 年的 HBM 供应已经售罄，2024 年全年和 2025 年大部分时间的定价已经确定。从长远来看，美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。有趣的是，美光正在对其 12 高 HBM3E 堆栈进行送样，并将于 2025 年投入量产，并且它还计划在未来产品中采用 HBM 4 和 HBM4E。在HBM上备受打击的三星也重整旗鼓。如文章开头所说，尽管三星是业内最大的内存芯片制造商，但在 HBM 领域，它远远落后于全球第二大内存制造商 SK 海力士。据韩媒五月底的报道，SK海力士一直是英伟达公司 HBM 芯片的最大供应商，英伟达控制着人工智能计算任务核心图形处理单元 (GPU) 市场 80% 以上的份额。目前，这家韩国芯片制造商是英伟达第四代 HBM3 芯片的唯一供应商。在HBM等芯片的落后，促使三星在五月撤换了半导体领导人。拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命，承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。但随后，有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等新闻见诸报端。在六月底，有媒体报道称，英伟达要求三星更改其高带宽内存（HBM）的设计，这将导致供货进一步延迟。上述种种信息，三星都否认了。不过由此我们可以看到这家存储巨头在HBM上的挣扎。综上所述，SK海力士在HBM方面似乎短期无忧。但在扩大HBM3E产能方面，他们面临挑战。一位知情人士表示：“NVIDIA正在向SK海力士施压，要求其增加供应量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投产，可用产能已接近饱和。”现代汽车证券研究员朴俊英也表示，“如果没有SK海力士以外的另外两家公司的帮助，NVIDIA将无法满足其HBM需求。”朴俊英预测，“HBM短缺的情况将持续到今年第四季度，如果这三家公司的CAPA不被纳入全球HBM CAPA，短缺可能会延续到2025年上半年。”为此，美光和三星迎难而上，SK海力士也以攻为守。硝烟再起作为领先者，SK海力士当然不愿意坐以待毙，这首先体现在公司在保证产能供给上做得努力。在日前，SK海力士宣布，根据投资计划，SK海力士到2028年将拨款103万亿韩元，其中80%（82万亿韩元）投向HBM等AI相关业务领域，以维持公司HBM的地位。在更早的四月，SK海力士曾表示，将斥资20万亿韩元（146亿美元）在忠清北道建设生产动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的M15X晶圆厂，以满足AI芯片热潮中不断增长的需求，巩固其在高性能存储芯片领域的地位。SK集团董事长崔泰源在六月中接受日本《日本经济新闻》采访时表示，该公司正在调查在日本和美国等国家生产高带宽存储器（HBM）的可能性。“除了增加国内生产（HBM），如果需要额外投资，我们还在不断调查是否可以在日本和美国等其他国家生产。”崔泰源表示。至于美光，据日经新闻援引消息人士报道，内存巨头美光科技正在美国建设一条先进高带宽内存（HBM）的试验生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以满足AI热潮带来的更多需求。报道称，美光公司正在美国爱达荷州博伊西市总部扩建HBM相关研发设施，包括生产和验证线。此外，美光公司还考虑在马来西亚建立HBM生产能力，目前该公司已经在马来西亚设有芯片测试和组装工厂。此前，美光最大的 HBM 生产工厂位于台湾台中，扩建工作也在进行中。而业内消息显示，美光预计将在新... PC版： 手机版：

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。

SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告

SK海力士发布2023财年第三季度财务报告 SK海力士解释道：“因高性能半导体存储器产品为中心的市场需求增加，公司业绩在第一季度低点过后持续改善，特别是面向AI的代表性存储器HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移动DRAM等主力产品的销售势头良好，与上季度相比营业收入增长24%，营业损失减少38%。” 顺应这一趋势，SK海力士决定加大对HBM、DDR5、LPDDR5 DRAM等高附加值主力产品的投资。公司将进行以第四代10纳米级(1a)和第五代10纳米级(1b)DRAM为中心的生产线转换，同时扩大对HBM TSV技术的投资。