为满足英伟达 H200、B100 大量订单，台积电 3/4nm 产能已接近满载

为满足英伟达 H200、B100 大量订单，台积电 3/4nm 产能已接近满载 英伟达 H200 加速卡预计于第二季度上市，而使用 Chiplet 设计架构的 B100 也已下单投片，H200 及 B100 分别利用台积电的 4nm 及 3nm 制程。台积电表示其2月产能利用率持续超过9成，因AI需求不减而产能持续满载。台积电目前 HPC/AI 应用平台占营收比重约43％，已与智能手机芯片齐平。

英特尔推出性能超越英伟达 H100 的 Gaudi 3 AI 加速芯片

英特尔推出性能超越英伟达 H100 的 Gaudi 3 AI 加速芯片 英特尔 Vision 2024 大会的第二天，英特尔正式推出了 Gaudi 3 加速芯片。Gaudi 3 使用台积电 5nm 工艺制造，热设计功耗为 900W ，FP8 精度下的峰值性能为 1835 TFLOPS。英特尔称 Gaudi 3 在 16 个芯片组成的加速集群中以 FP8 精度训练 Llama2-13B 时比性能 H100 高出 1.7 倍。同时，英特尔预计 Gaudi 3 的推理性能将比 H200/H100 提高 1.3 倍到 1.5 倍，能效比将高 2.3 倍。英特尔已经向客户提供了样片，并将在第三季度正式批量交付。