英伟达联手 SK 海力士,尝试将 HBM 内存 3D 堆叠到 GPU 核心上炼丹大火炉

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在人工智能热潮中 SK海力士酝酿“差异化”HBM内存 SK Hynix 高级封装开发主管 Hoyoung Son 以副总裁的身份表示:"开发客户专用的人工智能存储器需要一种新方法,因为技术的灵活性和可扩展性变得至关重要。"在性能方面,采用 1024 位接口的 HBM 内存发展相当迅速:从 2014 - 2015 年的 1 GT/s 数据传输速率开始,到最近推出的 HBM3E 内存设备,其数据传输速率已达到 9.2 GT/s - 10 GT/s。随着 HBM4 的推出,内存将过渡到 2048 位接口,这将确保带宽比 HBM3E 有稳步提升。但这位副总裁表示,有些客户可能会受益于基于 HBM 的差异化(或半定制)解决方案。Hoyoung Son 在接受BusinessKorea 采访时说:"为了实现多样化的人工智能,人工智能存储器的特性也需要变得更加多样化。我们的目标是拥有能够应对这些变化的各种先进封装技术。我们计划提供能够满足任何客户需求的差异化解决方案。"由于采用 2048 位接口,根据我们从有关即将推出的标准的官方和非官方信息中了解到的情况,许多(如果不是绝大多数)HBM4 解决方案很可能是定制的,或者至少是半定制的。一些客户可能希望继续使用内插器(但这一次内插器将变得非常昂贵),而另一些客户则倾向于使用直接接合技术将 HBM4 模块直接安装在逻辑芯片上,但这种技术也很昂贵。生产差异化的 HBM 产品需要复杂的封装技术,包括(但肯定不限于)SK Hynix 的高级大规模回流模塑底部填充(MR-RUF)技术。鉴于该公司在 HBM 方面的丰富经验,它很可能会推出其他产品,尤其是差异化产品。Hoyoung Son说:"要实现不同类型的人工智能,人工智能存储器的特性也需要更加多样化。我们的目标是拥有一系列先进的封装技术,以应对不断变化的技术环境。展望未来,我们计划提供差异化的解决方案,以满足所有客户的需求。" ... PC版: 手机版:

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