三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙 该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。Lee 专注于组合和连接半导体的先进方法，随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据，这种方法变得越来越重要。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端”，即芯片本身的设计和制造。“但接下来的 50 年将是后端（即封装）的全部。”在这场竞赛中率先实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK 海力士被 NVIDIA 公司选中为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。周四，该公司股价在首尔上涨约 1%，自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技公司。现年 55 岁的 Lee 帮助开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法，该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户至关重要。Lee 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统 3D 集成技术博士学位，师从 Mitsumasa Koyanagi，他发明了用于手机的堆叠式电容器 DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与 TSV 连接起来，以实现更快、更节能的数据处理。但早在智能手机时代之前，三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国家。因此，当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 在 2013 年向世界推出 HBM 时，他们在两年内没有受到任何挑战，直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后，Lee 加入了 SK 海力士。他们带着一丝自豪地开玩笑说，HBM 代表“海力士的最佳内存”。里昂证券韩国分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK 海力士管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解，并且做好了充分准备。” “当机会来临时，他们用双手抓住了它。” 至于三星，“他们被发现在打瞌睡。”ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这是 Lee 一直在等待的时刻。当时，他的团队在他在日本的联系人的帮助下开发了一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。该工艺涉及在硅层之间注入液体材料，然后进行硬化，从而提高了散热性和产量。据一位知情人士透露，SK 海力士与日本 Namics Corp. 就该材料和相关专利进行了合作。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。三星多年来一直被高层的继任传奇困扰，现在正在反击。NVIDIA 去年认可了三星的 HBM 芯片，这家总部位于水原的公司表示。2月26日，其开发出第五代技术HBM3E，拥有12层DRAM芯片，容量为业界最大36GB。同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光公司表示，它已开始批量生产 24GB、八层 HBM3E，这让业界观察人士感到惊讶，该产品将成为英伟达第二季度出货的 H200 Tensor Core 单元的一部分。Lee 致力于扩大和增强国内技术，并计划在美国建设耗资数十亿美元的先进封装设施，因此面对日益激烈的竞争，Lee 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。SK海力士的狂飙人工智能的繁荣在韩国股市造成了巨大的分歧：存储芯片制造商 SK 海力士今年股价飙升超过 16%，而更大的竞争对手三星电子则表现疲软。SK 海力士是高带宽内存（HBM）芯片的领先生产商，这些芯片与 NVIDIA 的图形处理器结合使用，以实现强大的人工智能计算。AI芯片和服务器的爆炸性需求使得SK海力士在韩国股市的股价今年以来上涨了16.5%。与此同时，由于芯片巨头三星电子在人工智能领域奋力追赶，其股价同期下跌了 8%。Hi Investment & Securities 在上周的一份报告中表示，SK 海力士“由于其在 HBM 领域的主导竞争力，致力于发展人工智能行业，因此享有高估值”。“由于该公司今年很有可能保持 HBM 的竞争力，我们相信该股将维持相对乐观的趋势。”三星是基准 KOSPI 指数中市值最高的公司，其次是 SK 海力士。两者之间出现不同寻常的差异之际，全球半导体公司都在寻求利用 OpenAI 推出 ChatGPT 引发的人工智能热潮。过去六个月，英伟达的市值几乎翻了一番，因为这家美国公司的图形处理单元（GPU）对于人工智能计算至关重要。总部位于台北的市场分析公司Trendforce表示，SK海力士作为HBM技术的领导者，是NVIDIA的主要供应商。Trendforce 在 1 月份的一份报告中表示：“SK 海力士的 HBM3 产品领先于其他制造商，并且是 NVIDIA 服务器 GPU 的主要供应商。而三星则专注于满足其他云服务提供商的订单。”SK海力士于2014年与AMD联合开发了全球首款用于游戏芯片的HBM产品。两家公司还联手开发高带宽、三维堆叠内存技术及相关产品。8月，SK海力士开发出HBM3E，这是目前适用于AI应用的最高规格DRAM。该芯片每秒处理高达 1.15 TB 的数据，相当于 230 多部全高清电影，每部 5 GB 大小。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 一月份在 CES 上表示：“我们正在向市场和行业提供具有超高性能的多样化产品，例如 HBM3 和 HBM3E，这是世界上最好、最受追捧的产品。”野村证券对需求前景持乐观态度。该公司在上周的一份报告中表示：“在人工智能服务器繁荣时期，对 HBM 的需求极其强劲，因为人工智能公司的技术进步以及企业和消费市场的商业利用都好于预期。”券商进一步上调SK海力士股票的目标价，预计该公司将保持其在该行业的领先地位。Hi Investment & Securities 上周将目标价从 11 月份的 125,000 韩元上调至每股 169,000 韩元。与此同时，三星正在开发自己的 HBM 芯片以迎头赶上。该公司上周宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。不过，投资者对这一消息并不感到惊讶。该公司股价当天仅上涨0.1%。自1月份下跌7.4%以来，其股价自2月份以来一直徘徊在73,000韩元左右。 ... PC版： 手机版：

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能

SK海力士已售出2025年的大部分人工智能芯片产能 在媒体招待会上，韩国存储芯片巨头SK海力士CEO介绍，由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求，公司按量产计划2025年生产的HBM产品也基本售罄。此前，公司对外宣布2024年HBM的产能已被客户抢购一空。公司预测，未来专门用于人工智能的“超高速、高容量、低电力”存储器需求将会暴增，目前像HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年可以达到61%。SK 海力士上个月表示，它计划斥资约 146 亿美元在韩国建造一座新的存储芯片工厂以满足这一需求。此外，该公司还将在印第安纳州建造一座耗资 40 亿美元的封装厂，这也是该公司在美国的第一座封装厂。在回答关于公司如何支付投资的问题时，首席财务官 Kim Woo-hyun 表示，他预计公司将从运营中产生足够的现金，为必要的项目提供资金。从中长期来看，公司计划在考虑现金生成和财务健康之间的平衡的情况下获得资金。 ... PC版： 手机版：

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产 在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。 从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。 另外，双方还计划合作优化 HBM 产品和台积电独有的 CoWoS 技术融合（2.5D封装）。

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术 SK hynix 表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的 HBM 技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 是在采用 TSV 技术的基底芯片上堆叠核心 DRAM 芯片，并通过 TSV 将 DRAM 堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到 GPU，由 GPU 控制 HBM。SK hynix 采用专有技术制造 HBM3E 以下的基础芯片，但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于 SK hynix 生产定制的 HBM，满足客户对性能和能效的需求。SK hynix和台积电还同意合作优化SK hynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。K hynix 总裁兼 AI Infra 负责人 Justin Kim 说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的 HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来，台积电和 SK hynix 已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SK hynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代 HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。" ... PC版： 手机版：

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。