三星 在美国新设实验室,开发新一代 3D DRAM

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三星在美国设立实验室 开发新一代3D DRAM

三星在美国设立实验室 开发新一代3D DRAM 去年10月,三星电子透露,其正在为10纳米以下的DRAM准备新的3D结构,允许更大的单芯片容量,可以超过100千兆位。三星电子于2013年在业界首次成功实现了3D垂直NAND闪存的商用化。 ... PC版: 手机版:

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三星成立AGI计算实验室 打造下一代AI芯片

三星成立AGI计算实验室 打造下一代AI芯片 三星电子总裁兼CEO、设备解决方案部负责人Kyung Kye-Hyun表示,其目标是发布新的“芯片设计,一种迭代模型,能够以极低的功耗和成本提供更强大的性能并支持越来越大的模型”。此举发生在硅谷重量级人物,从OpenAI CEO山姆·阿尔特曼到Meta平台马克·扎克伯格,就人工智能的未来轨迹展开辩论之际。许多人开始讨论AGI的潜力和危险。AGI本质上本质上是指行为、学习和进化都像人类一样的人工智能,甚至是超越人类的人工智能。山姆·阿尔特曼和马克·扎克伯格最近几个月访问了韩国首尔,与三星和其他韩国公司讨论人工智能合作。三星正试图在为人工智能提供芯片的业务中赶上竞争对手,后者此前在为英伟达芯片使用的新型先进存储半导体领域占得先机。Kyung Kye-Hyun还表示,谷歌前高级软件工程师Dong Hyuk Woo将负责三星在美国和韩国的AGI计算实验室。该公告发布恰逢英伟达宣布备受瞩目的Blackwell架构新芯片B200。 ... PC版: 手机版:

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imec:部分欧洲实验室将获得25亿欧元资助 以开发新一代芯片

imec:部分欧洲实验室将获得25亿欧元资助 以开发新一代芯片 NanoIC中试生产线的目标是开发超过2nm的片上系统,并将作为现有imec中试生产线设施的延伸。imec总裁兼首席执行官Luc Van den hove表示:“这项投资将使我们的产量和学习速度翻一番,加快我们的创新步伐,加强欧洲芯片生态系统,推动欧洲经济增长。”预计25亿欧元的投资将来自公共和私人捐款。通过Chips Joint Undertaking (Chips JU)和Flanders,欧盟资助项目(即Horizon Europe和Digital Europe)的贡献将达到约14亿欧元。与Chips JU的赠款协议目前正在进行中,将于今年晚些时候签署。imec指出,私人捐款将达到约11亿欧元,来自包括阿斯麦在内的行业合作伙伴。与imec合作的其他研究实验室有法国的CEA-Leti、德国的Fraunhofer-Gesellschaft、芬兰的VTT、罗马尼亚的CSSNT和爱尔兰的廷德尔研究所。根据imec的说法,这些研究所将与欧洲和全球的设备和材料供应商合作,建立超越2nm的SoC研发试点线,这将支持欧洲的几个行业,包括汽车,电信和健康。欧盟于2023年宣布了430亿欧元的《芯片法案》,旨在支持本土芯片制造。美国、中国、日本和韩国等几个国家已经加大力度推动国内芯片制造,以在人工智能竞赛中保持领先地位。根据旨在增加美国半导体制造和研究,特别是在先进半导体方面的美国芯片法案,几家公司已经与美国商务部签署了初步协议,以获得资金。英特尔()获得了近200亿美元的赠款和贷款,美光科技()获得了61亿美元的援助,台积电获得了高达116亿美元的援助和贷款,三星电子在美国获得了高达64亿美元的援助。台积电、英特尔和三星预计将在2024年和明年在商业工厂或晶圆厂推出2纳米芯片,成本约为200亿欧元。 ... PC版: 手机版:

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三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量

三星为下一代3D DRAM做准备 堆叠16层大幅提升容量 在韩国首尔举行的 2024 年国际内存研讨会(IMW)上,三星电子副总裁Lee Si-woo展示了新的 3D DRAM 技术,称随着市场的快速发展,尤其是人工智能领域,对先进 DRAM 技术的需求比以往任何时候都更加迫切。在 3D DRAM 架构的基础上,三星通过 DRAM 集成和性能的大幅提升,成功地大幅缩小了单元面积。图片来源:Samsung / Memcon三星/Memcon新的工艺采用了著名的"4F Square"单元结构,但 DRAM 晶体管是垂直安装的,这就是所谓的 VCT(垂直通道晶体管)技术。通过结合 4F Square 和 VCT 来改变单元结构,三星的目标是堆叠尽可能多的单元层,并以 16 层为目标,该公司很可能见证巨大的内存容量和性能提升。由于人工智能的炒作和消费者的需求,DRAM 市场出现了潜在的经济好转,看到市场上出现这样的发展令人兴奋,因为这不仅会带来创新,还会增加市场竞争,最终有利于普通消费者。不过,3D DRAM 目前仍是一个概念,三星自己也表示,该标准涉及复杂的制造技术,导致生产价格高昂。 ... PC版: 手机版:

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三星成立新半导体部门 旨在开发新一代人工智能芯片

三星成立新半导体部门 旨在开发新一代人工智能芯片 这是因为该公司在半导体采购方面无法吸引英伟达(NVIDIA)等公司的注意,但随着世界过渡到以 AGI 为主导的技术领域,这家韩国巨头似乎计划领先一步。人工通用智能(AGI)显然是继 GenAI 之后的下一个大事件,其目的显而易见,因为这项技术有望复制人类的能力,让生活变得更加轻松。鉴于这项技术的潜力,三星在美国成立了一个新部门,专门开发 AGI 半导体,该部门被命名为"AGI 计算实验室"。虽然该公司尚未透露我们有可能看到的芯片类型,但它们最终将与我们看到的英伟达公司的人工智能产品类似。不过,它们的计算能力将有助于 AGI 的发展。人工智能领域认为"跳入"AGI 是一个千载难逢的机会,因为除了三星之外,软银首席执行官孙正义(Masayoshi Son)也曾多次强调这一特定领域的重要性,而且他还雄心勃勃地投资高达 1000 亿美元,仅用于开发 AGI。三星可能会在其中发挥关键作用,它可能会吸取该公司在上一轮人工智能"牛市"中的经验,并对自己进行战略布局,以便在即将到来的人工智能热潮中获得最大收益。这些 AGI 芯片被广泛采用后,它们将为这一领域带来什么样的功能,我们将拭目以待。三星的提前加入意味着该公司已经为未来做好了准备,而且这次走在了别人的前面。 ... PC版: 手机版:

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三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后

三星电子展示下一代3D DRAM技术 发布时间预计是2025年后 根据在网络上曝光的内部演示幻灯片,DRAM 行业正在向 10 纳米以下的压缩线迈进。为了打破现代 DRAM 技术创新的僵局,三星计划推出两种新方法,即垂直通道晶体管和堆叠式 DRAM,这两种方法都涉及元件定位的差异,最终会减少器件面积的占用,从而确保更高的性能。同样,为了提高内存容量,三星计划利用堆叠 DRAM 概念,使公司能够实现更高的存储空间比,从而在未来将芯片容量提高到可能的 100 GB。据预测,到 2028 年,3D DRAM 市场将增长到 1000 亿美元。从目前来看,三星的发展相对较早,这可能意味着这家韩国巨头在未来将引领 DRAM 行业的发展。 ... PC版: 手机版:

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