三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20%

三星电子将与下游厂商就NAND闪存价格谈判 提价15-20% 因此，公司决定与大客户展开谈判，以期将价格调整至一个更为合理的水平。此前，国内重量级的NAND相关业者指出，NAND芯片供应商为了实现盈利目标，必将继续积极推高报价。业内人士预测，NAND芯片价格至少需要上涨四成以上，才能使大厂们达到盈亏平衡点。而要实现真正的盈利，未来报价涨幅至少要达到五成，甚至可能更高。对于消费者而言，NAND芯片价格的上涨意味着存储成本的增加。无论是智能手机、平板电脑还是笔记本电脑，它们都离不开NAND芯片作为存储媒介。因此，NAND芯片价格上涨最终会反映在这些消费电子产品的售价上，导致价格上涨。对于NAND芯片供应商而言，价格上涨是他们所期望的。在经历了价格下跌的困境后，他们迫切需要通过涨价来改善盈利能力。在竞争激烈的存储市场中，只有保持健康的盈利水平，才能确保有足够的资金用于研发和生产，从而保持竞争优势。值得注意的是，此前有业内人士预测，未来短期内还有可能掀起一波高达50%的迅猛涨价潮。这无疑将对整个存储市场造成更为巨大的冲击。 ... PC版： 手机版：

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产

三星宣布启动首批第九代V-NAND闪存量产 据悉，第九代V-NAND闪存凭借其超小的单元尺寸和极致的叠层厚度，实现了比上一代产品高约50%的位密度。新技术的运用，如单元干扰避免和单元寿命延长，不仅提升了产品的质量和可靠性，而且通过消除虚通道孔显著减少了存储单元的平面面积。此外，三星展现了其在制造工艺上的卓越能力，通过采用先进的“通道孔蚀刻”技术，该技术能够在双层结构中同时钻孔，达到业界最高的单元层数，从而最大限度地提高了生产效率。随着闪存单元层数的增加，对更复杂蚀刻技术的需求也日益凸显。值得一提的是，第九代V-NAND还配备了新一代的NAND闪存接口“Toggle 5.1”，使数据传速速度提升了33%，最高可达到每秒3.2Gbps。同时，三星还计划通过增强对PCIe 5.0的支持来进一步巩固在高性能固态硬盘市场的地位。与上一代相比，第九代V-NAND还在低功耗设计上取得了显著进步，功耗降低了10%，这一改进使得新型闪存成为未来低能耗应用的理想选择。目前，三星已经开始了第九代1Tb TLC V-NAND的量产，并计划在今年下半年推出四层单元（QLC）的第九代V-NAND产品。 ... PC版： 手机版：