长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准

长鑫存储准备生产HBM内存 采购设备已获美国批准 这说明，相关开发设计工作已经完成，可以转入投产阶段。消息人士称，早在2023年中，Applied Materials、Lam Research等美国设备供应商就获得了美国政府的许可，可以向长鑫出口HBM制造设备。考虑到HBM内存需要先进、复杂的制造和封装技术，这似乎暗示中芯国际在这方面也已经取得了突破。目前，长鑫已经在合肥有了一座DRAM内存工厂，正在筹钱建设第二座，会导入更先进的工艺，有可能会同时用来制造HBM。暂时还不清楚长鑫要生产的HBM是第几代，可能是HBM3，而国际上已经有了更先进的HBM3E，SK海力士还计划在2026年抢先投产HBM4。根据规划，HBM4将抛弃用了将近十年的1024-bit位宽，首次升级到2048-bit位宽，并有望堆叠更多层级，从而在容量、带宽上都实现一次重大飞跃。 ... PC版： 手机版：

韩国政客敦促美国放弃遏制中国芯片的战略

韩国政客敦促美国放弃遏制中国芯片的战略 一位有影响力的韩国立法者强烈批评华盛顿对全球半导体行业的干预，这表明首尔对美国将亚洲盟友纳入其经济安全议程的努力感到不安。 前芯片工程师、三星高管杨香子(Yang Hyang-ja)在今年年初担任韩国半导体竞争力执政党委员会主席，他表示，遏制中国获取或生产先进芯片能力的措施可能会损害其与亚洲盟友的关系。 。 “如果（华盛顿）继续试图惩罚其他国家，并以不可预测的方式通过法案和实施‘美国优先’政策，其他国家可能会结成联盟来对抗美国，”杨在接受英国《金融时报》采访时表示。 首尔担心美国的措施会引起北京方面的强烈反对，扰乱精心调整的供应链并威胁利润。韩国左翼反对党民主党领袖李在明指责保守派政府过于紧密地站在美国和日本一边反对中国和俄罗斯，损害了国家的经济和安全利益。 她补充道：“美国对中国的制裁越多，中国就越会努力实现快速技术进步。中方将为这一目标提供更多国家支持。鉴于中国拥有丰富的人才和原材料，这将对韩国构成危机。”