抢救 HBM 良率:传三星吞下自尊,跟进对手先用技术

抢救 HBM 良率:传三星吞下自尊,跟进对手先用技术 三星 坚持使用非导电性胶膜(NCF)技术,因而面临一些生产问题。相较之下,SK海力士却率先改用批量回流模制底部填充(MR-MUF)技术,解决NCF缺点。 不过,消息透露,三星最近已下单采购专为MUF设计的晶片制造设备。一名人士说,「三星必须设法提升HBM良率......改采MUF对三星来说有点吞下自尊的意味,因为这代表该公司终究还是得跟进 SK 海力士。」 赚钱重要还是“自尊”重要?

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三星 HBM3E 没过 NVIDIA 验证,原因与台积电有关 外媒报导,三星至今未通过 NVIDIA 验证,是卡在台积电。身为 NVIDIA 资料中心 GPU 制造和封装厂,台积电也是 NVIDIA 验证重要参与者,传闻采合作伙伴 SK 海力士 HBM3E 验证标准,而三星制程与 SK 海力士有差异,SK 海力士采 MR-RUF,三星则是 TC-NCF,对参数多少有影响。 2024-03-14

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抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家? SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目,1月份时位居第三,2月份跃升至第二,本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日,SK海力士净买入额达到4900亿韩元,本月股价涨超10%,达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比,本月股价略微下跌了0.14%,年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子,1月份三星曾是最受外资欢迎的股票,到了2月份却跌至第七位,而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出,由于英伟达业绩强劲,增加了对高带宽存储芯片(HBM)需求的预期,不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士,去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出:SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益,目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大,这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域,竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元,以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商,与英伟达签订HBM3E(H200的重要组成部分)优先供应协议。三星也在全速迎头赶上,该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM,是业内容量最大的HBM,凭借12层堆叠技术,其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上,宣布开始量产HBM3E内存,将用于英伟达H200 AI芯片,对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版: 手机版:

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丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为,三星之所以丢掉大单,很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜(NCF)芯片工艺;而SK海力士使用的批量回流模制底部填充(MR-MUF)工艺,则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为,三星HBM3芯片的良率表现并不理想,仅维持在10-20%的水平;相比之下,其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下,三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺,而非此前坚持的NCF技术。知情人士称,三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单,还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此,由于需要进行更多的测试和优化,三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版: 手机版:

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