路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试

路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 HBM 即高带宽存储器，这是一种基于 3D 堆栈工艺的高性能 DRAM，主要适用于高存储器带宽需求的场景组合，尤其是图形处理器、网络交换和转发设备。英伟达的 AI 加速产品都需要极高的带宽来提高性能，因此英伟达最初与 SK 海力士达成合作，由后者独家供应 HBM3 内存芯片。不过从今年开始英伟达已经开始接受三星电子和美光提供的 HBM3 内存芯片，三家供应商里当前似乎也只有三星电子遇到问题，目前英伟达的主力供应商仍然是 SK 海力士。消息称三星从去年开始就一直在尝试通过英伟达的 HBM3 和 HBM3E 的测试，其中 8 层和 12 层的 HBM3E 芯片最近的一次失败测试结果在 4 月公布。既然没有成功通过英伟达测试，那么三星电子自然还不算是该芯片的供应商，这种情况似乎也凸显三星在 HBM 芯片上落后于 SK 海力士和美光了。当然英伟达有自己的测试标准，三星其实也已经向其他客户供应此类芯片，可能是英伟达的要求更高所以暂时三星还不搞定技术难题，只能看着 SK 海力士和美光了。注：HBM3：指的是 HBM 第三个标准，每个标准里面还有不同的 “代” 比如 HBM3E，所以这里指的并不是第三代。相关文章:SK海力士正在HBM内存芯片领域处于领先地位 三星为此撤换芯片主管 ... PC版： 手机版：

被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品

被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品 三星HBM芯片尚未通过测试随着生成式人工智能热潮的兴起，市场对复杂GPU的需求飙升，对HBM的需求也随之飙升。英伟达目前控制着全球80%的人工智能应用GPU市场，因此，能够通过英伟达的测试被视为HBM制造商未来增长的关键无论是在企业声誉方面还是在利润增长势头方面。如果不能通过测试，将动摇三星HBM3芯片甚至是即将推出的第五代HBM3E芯片的市场地位。消息人士对媒体称，自去年以来，三星一直试图通过英伟达对HBM3和HBM3E的测试。但目前尚不清楚上述的散热和功耗问题能否轻易解决。三星电子在声明中表示：“HBM是一种定制内存产品，需要根据客户的需求进行优化…正在与客户密切合作，优化产品。”KB证券研究主管Jeff Kim表示，三星作为全球最大的存储芯片制造商，市场原本对其期望很高，认为三星将很快通过英伟达的测试。不过，HBM等专业产品需要一些时间才能通过客户的性能评估也是很自然的。虽然三星尚未成为英伟达的HBM3供应商，但它确实已经在为AMD等客户供货，并计划在第二季度开始批量生产HBM3E芯片。三星在声明中表示，其产品计划正在按计划进行。或在HBM竞赛中进一步落后？消息人士表示，三星未能满足英伟达的要求，加剧了业界和投资者的担忧，即三星在HBM方面可能进一步落后于竞争对手SK海力士和美光科技。三星的主要竞争对手SK海力士目前是英伟达的主要HBM芯片供应商。从2022年6月开始，SK海力士就向英伟达供应HBM3。此外，该公司还从今年3月底开始向一家拒绝透露姓名的客户供应HBM3E，据消息人士称，这些产品的发货目的地还是英伟达。此外，目前全球另一家HBM芯片主要制造商美光也已经表示，将向英伟达提供HBM3E。本周，三星更换了其半导体部门的负责人，称需要一位新的高层人物来应对这场影响该行业的“危机”。分析师表示，此举似乎突显了三星对其在HBM领域落后地位的担忧。SK海力士早在2013年就首次开发出HBM芯片，并且在过去的10年里，SK海力士在HBM研发上投入的时间和资源远远超过三星电子，这也是其技术优势的原因。三星电子在声明中表示：“三星在2015年开发了第一个用于高性能计算的商用HBM解决方案，此后一直在HBM领域进行投资。”消息人士还称，英伟达和AMD等GPU制造商迫切希望三星完善其HBM芯片，这样他们就能有更多的供应商选择，并削弱SK海力士的定价能力。在今年3月举行的英伟达人工智能大会上，黄仁勋曾在三星的12层HBM3E实物产品上留下了“黄仁勋认证（JENSEN APPROVED）”的签名，这表明该公司对三星供应这些芯片的前景充满热情。根据研究公司Trendforce的数据，HBM3E芯片可能成为今年市场上主流的HBM产品，出货量集中在2024年下半年。另外，SK海力士预计，到2027年，HBM存储芯片的总体需求将以每年82%的速度增长。分析师表示，投资者已经注意到三星在HBM的相对弱势地位。该公司股价今年迄今持平，而SK海力士的股价上涨了41%，美光的股价上涨了48%。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试 ... PC版： 手机版：

三星股价大涨 有报道称其 HBM 芯片通过了英伟达的测试

三星股价大涨 有报道称其 HBM 芯片通过了英伟达的测试 三星电子股价一度上涨 3.6%，至 4 月 12 日以来最高。此前当地媒体报道称该公司的 HBM3e 芯片获得了英伟达的产品准备批准。SK 海力士股价一度下跌 4.7%，创下 6 月 24 日以来最大跌幅。（环球市场播报）

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星电子股价涨幅收窄 公司否认有关产品获英伟达批准的报道

三星电子股价涨幅收窄 公司否认有关产品获英伟达批准的报道 三星星电子涨幅收窄，SK 海力士收复大部分跌幅，三星否认了其 HBM3e 芯片通过了英伟达测试的报道。三星股价上涨 1.1%，稍早一度上涨 3.6%；SK 海力士股价下跌 0.2%，稍早一度下跌 4.7%。（环球市场播报）

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。