美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM内存 功耗20W

美光展示256GB DDR5-8800 MCRDIMM内存 功耗20W 非标准高度款内存采用了32Gb DDR5芯片，每面密集排列了40块芯片，双面合计达到80块，充分展现了其高集成度的设计特点。而标准高度款虽然同样使用了32Gb DDR5芯片，但采用了2层堆叠封装的方式，以适应更为紧凑的空间。然而，这种设计可能会使得在有限空间内运行时，温度稍高于非标准高度款，尽管两款内存的高度不同，但它们的功耗均控制在大约20W，展现了出色的能效表现。值得一提的是，美光此次展示的内存采用了MCRDIMM技术，这是由英特尔、SK海力士及瑞萨共同合作开发的。MCRDIMM，即多路合并阵列双列直插内存模组，其初始规格为DDR5-8000，为高性能计算提供了强大的支持。据去年英特尔的展示，当Granite Rapids处理器与DDR5-8800的MCRDIMM内存模块搭配使用时，双路系统的内存带宽将高达惊人的1.5 TB/s。而Granite Rapids支持12通道内存子系统，每个通道可接入两个内存模块，若采用DDR5-8800的MCRDIMM内存模块，其内存容量可达到3TB（12个插槽）或6TB（24个插槽），极大地提升了系统的数据处理能力，这一创新为高性能计算领域的发展注入了新的活力，期待未来能为我们带来更多惊喜。 ... PC版： 手机版：

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