Crucial推出12 GB DDR5内存 带来5600MT/s速度和更大容量

Crucial推出12 GB DDR5内存 带来5600MT/s速度和更大容量 更大容量总是一件好事，因为它能推动 PC 平台能力的提升，而且还带来了更多的选择。Crucial正在为其产品线添加新的DDR5内存规格，容量达12 GB。这比标准的 8 GB 模块容量高出 50%，并将使双通道设置的容量高达 24 GB。与 24 GB 内存模块相比，12 GB 内存模块更便宜，而且比 8 GB 内存模块仍有很大改进。硬件消息人士Momomo_US 发现，Crucial 的新款 12 GB DDR5 内存已在英国亚马逊上市。该内存模块的零件编号为"CT12G56C46S5"，默认运行速度为 5600 MT/s，可降频至 5200/4800 MT/s。该内存模块的功能或规格包括：如果系统规格仅支持 5200MHz 或 4800MHz，5600MHz 内存可以降频提高生产力，以更高帧率玩游戏，更好地处理多任务最适合英特尔酷睿 13 代和 AMD Ryzen 6000 系列及以上笔记本 CPU仅兼容支持 DDR5 的笔记本电脑，不兼容支持 DDR4 的笔记本电脑ECC 类型 = 非 ECC，外形 = SODIMM，引脚数 = 262 引脚，PC 速度 = PC5-44800，电压 = 1.1V，等级和配置 = 1Rx16有两种套件可供选择，包括 12 GB（单 DIMM）和 24 GB（双 DIMM 12 GB x 2）版本：Crucial 12 GB DDR5-5600 (CT12G56C46S5) - $38.99 USCrucial 12 GB DDR5-5600 (CT2K12G56C46S5) - $70.99 USCrucial尚未在其官方网页上列出这款内存的规格，但我们可以预计它很快就会公布，因为它将于3月31日上市。我们已经看到台式机和笔记本电脑都采用了更新的 DDR5 内存容量，因此随着时间的推移，每个人都会有更多的选择。台式电脑已经支持 256 GB 以上的内存容量，我们可以期待未来会有更多的选择。 ... PC版： 手机版：

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存

三星将在IEEE-SSCC上展示280层3D QLC NAND闪存和32Gb DDR5-8000内存 目前为旗舰 NVMe SSD 提供动力的最快 3D NAND 闪存类型的 I/O 数据传输速率大约为 2.4 GB/s。即将到来的 2024 年 ISSCC 日程表概述了高速内存的展示计划，其中包括基于三星和 SK Hynix GDDR7 规格的 37 Gb/s 和 35.4 Gb/s 变体。两家公司都打算利用创新的 PAM3 和 NRZ 信号技术，在图形存储器领域取得进步。虽然 GDDR7 内存（速度高达 32 Gb/s）已经正式发布，但三星和海力士正在以更快的内存开发速度进一步突破界限。美光（Micron）也加入了这场竞争，宣布致力于开发 36 Gb/s 的 GDDR7 内存，预计最早将于 2026 年投放市场。在这种竞争态势下，三星和海力士将首先推出速度稍低的模块，很可能在稍后阶段逐步推出 35 Gb/s 模块。接下来是新一代 DDR5 内存芯片，其数据传输率为 DDR5-8000，密度为 32 Gbit（4 GB）。该芯片采用对称马赛克 DRAM 单元架构，基于三星专为 DRAM 产品优化的第 5 代 10 纳米级代工节点制造。该芯片令人印象深刻的是，它允许 PC 内存供应商以 DDR5-8000 的速度构建 32 GB 和 48 GB DIMM（单排配置），以及 64 GB 和 96 GB DIMM（双排配置）（前提是平台能很好地使用双排的 DDR5-8000）。内存速度和带宽一览：[GDDR6/X] 256-bit @ 23 Gbps: 736 GB/s RTX 4080 SUPER[GDDR6] 384-bit @ 20 Gbps: 960 GB/s RX 7900 XTX[GDDR6/X] 384-bit @ 21 Gbps: 1.00 TB/s RTX 4090[GDDR6] 256-bit @ 24 Gbps: 768 GB/s[GDDR6] 384-bit @ 24 Gbps: 1.15 TB/s[GDDR7] 256-bit @ 32 Gbps: 1.00 TB/s[GDDR7] 384-bit @ 32 Gbps: 1.53 TB/s[GDDR7] 256-bit @ 37 Gbps: 1.18 TB/s[GDDR7] 384-bit @ 37 Gbps: 1.79 TB/s ... PC版： 手机版：

威刚 推出适用于 Intel Xeon-W 的超频 R-DIMM ECC DDR5 内存

威刚 推出适用于 Intel Xeon-W 的超频 R-DIMM ECC DDR5 内存 牙膏厂给 Sapphire Rapids-WS 解锁了倍频，把本来用于工作站的U当 HEDT CPU 来卖。 所以内存厂也就迎合市场，给本应用于提高稳定性的 REG ECC 内存加了超频要素。

iFixit 拆解显示，新款 iPad Pro 13 英寸版 (256GB) 搭载两颗美光 6GB 内存芯片，但被苹果屏蔽了 4

iFixit 拆解显示，新款 iPad Pro 13 英寸版 (256GB) 搭载两颗美光 6GB 内存芯片，但被苹果屏蔽了 4GB，实际只有 8GB 可用。 而售价更贵的 1TB 版则搭载 16GB 内存，两颗 8GB 内存没有任何屏蔽，苹果这么操作似乎就想细分市场，吸引用户购买更贵的版本。 在 Reddit 论坛的讨论帖中也有不少网友注意到了这种情况，目前的猜测是 6GB 的内存芯片供货量更多(三星和美光等可能已经没有 LPDDR5/LPDDR5X 4GB 版芯片)，对苹果来说采用 6GB 芯片可能要比 4GB 更容易 (8GB 内存就需要两颗 4GB 芯片)。

美光确认：DDR5 内存 PMIC、VRM 电源芯片双双短缺

美光确认：DDR5 内存 PMIC、VRM 电源芯片双双短缺 DDR5 内存将供电电路移至 PCB 的做法，可以更好地发挥内存条的超频潜能，保证供电更稳定，并有助于在服务器上的应用，但是这一做法使得每条内存都需要增加额外的供电电路，大幅提高了厂商采购元器件的难度和成本。 DDR5 内存的供电电路包含 PMIC 电源管理芯片、VRM 电压调节芯片、封闭式电感、MLCC 电容等等。美光表示，自家可以生产足够的 DDR5 内存芯片，但是电源芯片的短缺，限制了内存条的产能。（）