ASML回击关于其最新EUV设备的指责

ASML回击关于其最新EUV设备的指责 在该公司最近的财报电话会议上，ASML的CEO也回答了有关该报告的问题，称这项新技术“在逻辑和内存芯片制造方面显然是最具成本效益的解决方案”。ASML的Twinscan EXE High-NA EUV光刻设备对于生产小于2nm的下一代制程工艺至关重要，但它们也比现有的Twinscan NXE Low-NA（低数值孔径）极紫外（EUV）光刻设备贵得多，有人说它们的成本在3亿~4亿美元之间。它们还有其它特点，例如尺寸大，这也是一些分析师认为这些工具不适用于所有生产线的原因。正如人们所预料的那样，ASML不同意这一评估，该公司的首席财务官告诉Bits and Chips，订单符合公司的预期，而SemiAnalysis低估了通过避免昂贵的双重和四重曝光来降低流程复杂性的价值。他还表示，人们可以简单地与英特尔谈谈双重曝光带来的复杂性，他指的是英特尔在10nm方面的失败，至少部分是由于缺乏EUV技术。英特尔是当今 High-NA 的主要客户，最近收到了第一台High-NA设备的第一批零件。制造更简单双重和四重曝光涉及多次重复暴露晶圆的同一层，以创建比通常可能更小的特征尺寸，但它会带来缺陷，这会影响良率，并且比简单地一步刻印该层的成本更高。使用Low-NA设备进行双重和四重曝光的总体成本，以及与使用High-NA设备进行单次曝光相比，是ASML和分析师之间争论的主要焦点。到现在为止，热心的读者可能会问，如果Low-NA的EUV设备可以通过使用双重和四重曝光设备实现与前者相同的特征尺寸，为什么High-NA 的EUV会如此麻烦？事实上，英特尔正在将应用材料公司的 Centura Sculpta 图案整形工具插入其20A制程中，以避免在某些情况下出现昂贵的 EUV 双重曝光。ASML认为，实施双重曝光会带来某些缺点：EUV双重曝光会导致生产时间更长，出现缺陷的可能性更大，并可能影响所生产芯片的性能。然而，由于 EXE：5000 的分辨率（CD）为8nm，芯片制造商可以简化其制造流程。晶圆代工厂当然了解使用高数值孔径EUV扫描仪的利弊，因此他们已经开始了研发工作。“我们的客户将在 2024-2025 年开始研发，并在 2025-2026 年进入大批量生产，”ASML 的一份声明中写道。ASML最近分享了有关其新型High-NA设备的更多细节，以下是这些设备工作原理的概要。新设备即将到来ASML的下一代Twinscan EXE具有0.55数值孔径（NA）镜头，因此它将达到8nm的分辨率，这标志着目前提供13nm分辨率的EUV设备有了实质性的进步。这意味着它可以刻印出比单次曝光的低数值孔径设备小 1.7 倍的晶体管，从而实现 2.9 倍的晶体管密度。低数值孔径光刻系统可以达到类似的分辨率，尽管需要两次曝光，但需要昂贵的双重曝光工艺。实现8nm的分辨率对于使用sub-3nm制程工艺技术生产芯片至关重要，该行业计划在 2025~2026年之间采用该技术。高数值孔径EUV的使用使晶圆厂能够避免对EUV双重曝光的需求，简化流程，可能提高产量并降低成本。但它也带来了很多挑战。最新的Twinscan EXE光刻设备配备了0.55 NA镜头，与现有机器完全不同。主要区别是新的和更大的镜头。但是，更大的镜头需要更大的反射镜，这就是为什么Twinscan EXE设备也具有变形光学设计的原因。这种方法解决了较大的反射镜导致光线以更陡峭的角度照射到光罩上的问题，从而降低了反射率并阻碍了图案转移到晶圆上的问题。变形光学器件不是均匀地缩小图案，而是以不同的方式放大图案：一个方向放大4倍，另一个方向放大8倍。这降低了光在十字线上的入射角，解决了反射率问题。此外，这种方法允许芯片制造商继续使用标准尺寸的光罩，从而最大限度地减少对半导体行业的影响。这种方法存在一个问题：它将成像场的大小减半（从33mm x 26mm到16.5mm x 26mm），通常称为High-NA使十字线尺寸减半。成像场尺寸减半促使芯片制造商修改其芯片设计和生产策略。随着高端GPU和AI加速器越来越挑战成像场尺寸的限制，这一变化尤为重要。由于其变形光学元件和曝光场的尺寸只有 Twinscan NXE 系统的一半，因此 Twinscan EXE 设备需要对每个晶圆执行两倍的曝光次数，这会使现有机器的生产率减半。为了保持生产率，ASML显著提高了晶圆和掩模阶段的速度。EXE的晶圆级加速速度为8g，是NXE的两倍，而其掩模版级的加速速度是NXE的4倍，为32g。这一增强功能使Twinscan EXE：5000每小时能够以20 mJ/cm²的剂量刻印超过185个晶圆，超过了Twinscan NXE：3600C在相同剂量下刻印170个晶圆的产量。ASML计划到2025年使用Twinscan EXE：5200将产量提高到每小时220片晶圆，以确保High-NA技术在芯片制造中的经济可行性。同时，新节点（即较低分辨率）需要更高的剂量，因此，Twinscan NXE：3600D将剂量增加到30 mJ/cm²，尽管每小时需要160片晶圆。出于某种原因，ASML没有提到其EXE系统在30 mJ / cm²剂量下的性能。更大的晶圆厂ASML的高数值孔径EUV Twinscan EXE光刻设备在物理上比低数值孔径EUV Twinscan NXE光刻机大。现有的和广泛部署的ASML的Twinscan NXE将光源放在下面，这需要非常具体的晶圆厂建筑配置，这使得维修这些设备变得更加棘手。相比之下，High-NA Twinscan EXE 机器水平放置光源，简化了晶圆厂的建造和维修，但需要更大的洁净室空间。另一方面，这使得升级现有晶圆厂变得更加棘手。同时，台积电已经拥有多个专门为Low-NA EUV Twinscan NXE光刻机建造的晶圆厂。将这些晶圆厂升级到High-NA Twinscan EXE设备是一项复杂的任务。考虑到设备的成本、掩模版尺寸减半、将这些设备安装到现有晶圆厂的复杂性、现有Low-NA设备的性能，以及许多其他无法在一个框架内考虑的具体因素，我们可以理解为什么华兴资本的分析师认为台积电暂时还没有准备好采用高数值孔径 EUV设备。总结高数值孔径扫描仪具有更高的分辨率、更大的尺寸和一半的曝光场，因此需要开发新的光刻胶、计量、薄膜材料、掩模、检测工具，甚至可能制造新的晶圆厂。从本质上讲，向High-NA设备的过渡将需要对新设备和基础设施进行大量投资，因此采用起来并不容易。然而，High-NA EUV是未来，在我们看到有多少芯片制造商将这些设备投入生产以及何时投入生产之前，大规模部署它在经济上是否可行的问题不会得到明确的答案。 ... PC版： 手机版：

有迹象表明荷兰政府将要求停止维修中国ASML设备

有迹象表明荷兰政府将要求停止维修中国ASML设备 路透社指出，尽管马克·吕特总理领导的政府不愿做出全面决定，但其公开声明和国家安全利益表明，未来将缓慢批准来自中国的设备维护请求，并很快予以拒绝。这对于中国建立国内芯片产业的努力来说将是一个挫折，因为 ASML 的设备几乎不可能更换，如果不维护，随着时间的推移就会出现故障，但这也可能让荷兰政府阻止ASML将业务转移到海外的努力变得更加复杂。对于ASML来说，数量不确定的许可证被拒绝所造成的损害将是渐进和有限的维修业务约占其收入的20%，而中国大陆是其继台湾和韩国之后的第三大市场，值得一提的是，按去年销售额计算，中国大陆是 ASML 的第二大市场（29%），仅次于台湾。在过去三年里，该公司向中国的芯片制造商出售了约110 亿美元的设备，其中大部分不受任何出口限制，还有一些设备卖给了SK 海力士和台积电这些在中国设厂的企业。由于 ASML 机器是制造芯片的基本设备，很难被替代，因此被拒发许可证的个别中国芯片制造商或工厂可能会受到重创。不过，专家们表示，中国芯片厂商迄今为止对美国主导的制裁表现出了惊人的韧性，未来将继续想方设法绕过制裁。“切断服务将不可避免地降低设备的性能。因此制造商将采取对应行动，尽可能延长这些设备的使用寿命，”美国半导体专家保罗-特里奥罗（Paul Triolo）说，“问题是从长远来看，这里还有哪些其他可能的解决方法？”美国施压美国政府此前计划在下周向荷兰施压，阻止其顶级芯片制造设备制造商ASML为中国的一些工具提供服务，因为美国正借助盟友的力量来遏制中国的科技行业。美国出口政策主管艾伦-埃斯特维兹（Alan Estevez）定于下周一在荷兰与荷兰政府官员和ASML 的高管会面，讨论维修合同问题，知情人士称，作为讨论的一部分，华盛顿还可能寻求增加一份限制中国芯片制造厂接收荷兰设备的名单。荷兰外交部证实了即将举行的会议，但没有详细说明哪些议题将列入议程，“荷兰总是与我们的合作伙伴进行良好的讨论，周一的官员会议就是一个例子。”此次会议是华盛顿说服盟国加入美国进一步打击中国生产尖端芯片能力的最新举措。去年，日本和荷兰加入了美国的行列，出于国家安全考虑，不让某些芯片制造技术进入中国。据 ASML 称，荷兰政府开始限制中国客户使用某些深紫外（DUV）设备，并部分吊销了一个许可证，影响了中国的少数客户。但荷兰的限制并不像美国的规定那么严格，美国规定禁止美国公司为中国先进工厂的设备提供服务。Estevez曾公开表示，美国正在要求盟国阻止本地公司为中国客户的某些芯片制造工具提供服务，他上周在一次出口管制会议上说："我们正在与盟国合作，确定哪些服务重要，哪些服务不重要。去年 10 月，美国颁布了一项法规，禁止某些中国芯片工厂生产更多的 ASML DUV 机器，因为这些工具中的美国零部件使华盛顿有权监管其海外出口。其中一位消息人士说，官员们可能会在周一的会议上提出扩大中国工厂的名单。 ... PC版： 手机版：

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：