【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】

【ASML：将获台积电“大量”2纳米相关订单，年内向台积电和英特尔交付High-NA EUV光刻机】 据媒体报道，ASML首席财务官罗杰·达森（Roger Dassen）称，将于第二、三季度开始获得台积电“大量”（significant）2纳米相关订单。此外，达森最近还在电话会议中表示，台积电和英特尔年内将获得ASML的高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻机。（界面）

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元

ASML 计划2030年推出 Hyper-NA EUV 设备，单台价格高达7.2亿美元 台积电可能会使用现有EUV设备实现1.6纳米技术 三星也在考虑High-NA设备的采用时机，可能会直接跳过High-NA EUV，转向Hyper-NA系统，尽管这存在一定的风险。

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备

代工一哥直呼太贵，台积电考虑 A16 节点不用 ASML 的 High-NA EUV 设备 台积电张晓强博士于 5 月 14 日出席在阿姆斯特丹举办的技术研讨会，他直言：“ASML 的 High-NA EUV 太贵了，我非常喜欢 High-NA EUV 的能力，但不喜欢它的价格”。 2024-04-25 2024-05-05

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争

ASML：EUV技术领域不会面临中国公司的竞争 该消息推动ASML股价大涨9.52%，收盘股价1041.34美元，创下历史新高，总市值突破4096.86亿美元，成为了欧洲第二大市值的上市公司。Jefferies的报告指出，ASML预测其设备的市场需求有望一路走强至2026年，这主要是受益于各国政府推动的芯片制造本地化策略，通过补贴当地的晶圆厂建设，以提升自身的芯片制造能力。虽然2024年第一季度，ASML实现净销售额52.90亿欧元，同比下降21%。但是Jefferies证券认为，ASML 2024年二季度到四季度的平均订单额可能会达到57亿欧元左右，有望推动其2025年营收上探至400亿欧元。ASML此前就曾将其2025年营收目标设定在300~400亿欧元。Jefferies证券的报告还预测，台积电预计将在2024年某个时候就会收到ASML最新的High NA EUV（高数值孔径极紫外光）光刻机。ASML的标准EUV光刻机可以打印13.5nm的线宽，而新的High NA EUV光刻机则是可以通过打印8nm线宽来创建更小的晶体管，即可以用于2nm以下的制程工艺制造，并且晶圆生产速度已经达到了每小时400至500片晶圆，是当前标准EUV每小时200片晶圆的2-2.5倍的速度。不过，High NA EUV光刻机的价格也是相当的昂贵，一台要价超过3.5亿欧元。台积电业务开发资深副总裁张晓强（Kevin Zhang）5月14日在阿姆斯特丹举行的一场会议上就曾公开表示，ASML High NA EUV订价太过高昂，台积电预计于2026年下半量产的A16（1.6nm）制程，也不一定需用到High NA EUV光刻机。他说，这要看公司能取得的最佳经济与技术平衡而定，A16制程或许会采用、但不确定。“我喜欢这项技术、但不喜欢高昂的价格。”目前最为积极引入High NA EUV光刻机则是英特尔，其是第一家订购并完成交付安装的晶圆制造商，目前英特尔已经开始在其美国俄勒冈州最先进的技术开发基地将High NA EUV光刻机用于其Intel 18A工艺的测试，以积累相关经验，后续将会被用于Intel 14A的量产。有报道称，ASML已接获数十台High NA EUV光刻机的订单，其中大部分被英特尔预定，此外三星、台积电、SK海力士、美光也有订购。对于ASML所面临的潜在竞争问题，Jefferies证券的报告称，由于技术本身和生态系统的复杂性，ASML 认为“在可预见的未来”，其在 EUV 技术领域不会面临来自中国光刻设备公司 SMEE或HW的竞争。根据资料显示，ASML先进的标准型EUV光刻机就拥有超过10万个零件，涉及到上游5000多家供应商。这些零部件极为复杂，对误差和稳定性的要求极高，并且这些零件几乎都是定制的，90%零件都采用的是世界上最先进技术，85%的零部件是和供应链共同研发，甚至一些接口都要工程师用高精度机械进行打磨，尺寸调整次数更可能高达百万次以上。可以说，EUV光刻机已经是所有半导体制造设备中技术含量最高的设备，其中包括上万种精密零部件，而且结合了光学、流体力学、表面物理与化学、精密仪器、自动化、高分子物理与化学、软件、机械、图像识别等多个领域的尖端知识。目前全世界没有一家企业，甚至可以说没有一个国家可以独立完成EUV光刻机的完整制造。相对于标准的0.33 NA（数值孔径） EUV光刻机来说，配备0.55 NA透镜的High NA EUV光刻机技术含量更高，系统设计也更为复杂。比如High NA EUV光刻机会比现有的EUV光刻机更为耗电，从1.5兆瓦增加到2兆瓦，主要原因是因为光源问题，ASML甚至还使用液冷铜线为其供电。High NA EUV光刻机其各类组件需要250个单独的板条箱中运输，其中包括13 个大型集装箱，组装后的High-NA EUV光刻机将比双层卡车还要大。目前ASML仍然是全球唯一的EUV光刻机供应商，虽然老牌的光刻机厂商日本的尼康和佳能仍在发展光刻机业务，但是也仅止步于DUV，在EUV方面依然是无能为力。不过，目前High NA EUV光刻机的发展已经接近当前技术的极限，下一代的0.75 NA的Hyper NA EUV光刻机理论上是可以实现，但是会面临更多更复杂的技术问题，同时成本也更为惊人。ASML的前首席技术官Martin van den Brink就曾表示，Hyper NA可能将是最后一个NA，而且不一定能真正投入生产，这意味经过数十年的光刻技术创新，我们可能会走到当前半导体光刻技术之路的尽头。即使Hyper NA能够实现，但是如果采用Hyper NA技术的制造成本增长速度和目前High NA EUV技术一样，那么经济层面几乎是不可行的。显然，在ASML现有光刻机技术路线即将走向尽头的背景之下，对于中国厂商来说在现有技术路线对于ASML之间的差距可能将不会继续加速扩大，这有利于厂商的技术追赶。但是在EUV技术路线发展受欧美限制，且该技术路线前景灰暗的情况下，中国厂商是持续投入资源突破现有限制进行技术跟随，还是考虑投入资源另辟蹊径寻找新的技术路径？比如佳能去年就推出了面向先进制程制造的纳米压印设备，但该技术路线能否成功还有待市场检验。 ... PC版： 手机版：

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机

ASML 正在开发 Hyper-NA EUV 光刻机 Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性，指出它能够简化复杂的双重图案工艺，降低生产难度。他解释说，这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。 ASML 正在规划 0.77 NA 的 EUV 光刻机 ASML首席技术官Martin van den Brink在ASML 2023年年度报告中写道：“NA高于0.7的Hyper-NA无疑是一个机会，从2030年左右开始，这种机会将变得更加明显。”“它可能与Logic最相关，并且需要比“高NA EUV”双图案化更实惠，但它也可能是DRAM的一个机会。对我们来说，关键是Hyper-NA正在推动我们的整体EUV能力平台，以改善成本和交货时间。” 台积电 “冷落” High-NA EUV 光刻机启示录 尤其是在当下大陆在EUV光刻机获取全面受阻的情况下，李弈建议，台积电通过深入挖掘现有EUV光刻机的潜力，可支撑未来的1.6nm工艺，而大陆代工业如何借助DUV光刻机向7nm乃至下一步5nm制程发起冲刺应当有希望，应着力在光刻胶、光罩、多重曝光技术等领域持续创新突破，以全面提升利用DUV实现更先进制程的可能性。