传台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单

传台积电协同创意电子拿下SK海力士芯片大单 报道称，业界传出，创意电子已经拿下SK海力士在HBM4芯片委托设计案订单，预期最快明年设计定案，将依高效能或低功耗不同，分别采用台积电12纳米及5纳米生产，预期下半年委托设计（NRE）开案将明显贡献营收，抢进HBM供应链。报道指出，业界推测，HBM4最大转变除了堆叠高度增加到16层DRAM堆叠之外，为了增加频宽传输速度，HBM底部还需要加上逻辑IC，成为新一代HBM4最大变革，亦可能是JEDEC放宽堆叠高度限制的原因之一，而这颗至为关键的逻辑IC即基础介面芯片。ASIC芯片设计服务、IP公司创意电子（GUC）公布2024年第一季度财务数据，当季合并营收56.9亿元新台币（单位下同），年减13%、季减9.8%；毛利率29.7%，年减2.2%；税后纯益6.63亿元，年减29%，EPS 4.94元。财报显示，创意电子第一季度营收，来自委托设计（NRE）为13.86亿元新台币，年减7%；晶圆产品（Turnkey）营收41.64亿元，年减16%。另外，人工智能与网络通信应用芯片合计贡献创意第一季营收39%，与消费性电子应用占比相当；工业应用则占14%、其他应用8%。 显示创意在AI及网通应用领域已具备一定实力。（校对/赵碧莹）相关文章:台积电与SK hynix 结成AI战略联盟 共同推进面向下一代GPU的HBM4存储 ... PC版： 手机版：

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产

SK海力士、台积电宣布合作开发HBM4芯片 预期2026年投产 （来源：SK海力士）背景：什么是高带宽内存众所周知，高带宽内存是为了解决传统DDR内存的带宽不足以应对高性能计算需求而开发。通过堆叠内存芯片和通过硅通孔（TSV）连接这些芯片，从而显著提高内存带宽。SK海力士在2013年首次宣布HBM技术开发成功，后来被称为HBM1的芯片通过AMD的Radeon R9 Fury显卡首次登陆市场。后续，HBM家族又先后迎来HBM2、HBM2E、HBM3和HBM3E。SK海力士介绍称，HBM3E带来了10%的散热改进，同时数据处理能力也达到每秒1.18TB的水平。（HBM3E芯片成品，来源：SK海力士）技术的迭代也带来了参数的翻倍。举例而言，根据英伟达官方的规格参数表，H100产品主要搭载的是80GB的HBM3，而使用HBM3E的H200产品，内存容量则达到几乎翻倍的141GB。找台积电做些什么？在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。（HBM3E演示视频，来源：SK海力士）两家公司在公告中表示，从HBM4产品开始，准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。通过超细微工艺增加更多的功能，公司可以生产在性能、共享等方面更满足客户需求的定制化HBM产品。另外，双方还计划合作优化HBM产品和台积电独有的CoWoS技术融合（2.5D封装）。通过与台积电的合作，SK海力士计划于2026年开始大规模生产HBM4芯片。作为英伟达的主要供应商，海力士正在向AI龙头提供HBM3芯片，今年开始交付HBM3E芯片。对于台积电而言，AI服务器也是在消费电子疲软、汽车需求下降的当下，维持公司业绩的最强劲驱动因素。台积电预计2024财年的总资本支出大约在280-320亿美元之间，约有10%投资于先进封装能力。三巨头激战HBM市场根据公开市场能够找得到的信息，目前国际大厂里只有SK海力士、美光科技和三星电子有能力生产与H100这类AI计算系统搭配的HBM芯片。而眼下，这三家正隔着太平洋展开激烈的竞争。大概比SK海力士早大半个月，美光科技也在今年宣布开始量产HBM3E芯片。今年2月，正在加紧扩展HBM产能的三星也发布了业界容量最大的36GB HBM3E 12H芯片。英伟达上个月表示正在对三星的芯片进行资格认证，以用于AI服务器产品。研究机构Trendforce估算，2024年的HBM市场里，SK 海力士能够占到52.5%的份额，三星和美光则占42.4%和5.1%。另外，在动态随机存取存储器（DRAM）行业内，HBM的收入份额在2023年超过8%，预计在2024年能达到20%。对于SK海力士与台积电合作一事，普华永道高科技行业研究中心主任Allen Cheng认为是“明智的举措”。他表示：“台积电几乎拥有所有开发尖端AI芯片的关键客户，进一步加深伙伴关系，意味着海力士能吸引更多的客户使用该公司的HBM。” ... PC版： 手机版：

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产

SK 海力士、台积电 宣布合作开发 HBM4 芯片，预期2026年投产 在此次合作前，所有的海力士HBM芯片都是基于公司自己的制程工艺，包括制造封装内最底层的基础裸片，然后将多层DRAM裸片堆叠在基础裸片上。 从HBM4产品开始，海力士准备用台积电的先进逻辑工艺来制造基础裸片。 另外，双方还计划合作优化 HBM 产品和台积电独有的 CoWoS 技术融合（2.5D封装）。

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。