就前两天我指出极客湾的错误后，极客湾飘哥的回复不能说非常中肯，只能说毫不相干（图 1），恰巧我手上真的有 Ultra 7（图 2

就前两天我指出极客湾的错误后，极客湾飘哥的回复不能说非常中肯，只能说毫不相干（图 1），恰巧我手上真的有 Ultra 7（图 2），我也真的测了，我就给大家说一说极客湾的 Intel Ultra 视频里关于 Intel 4 的制程说法错误的地方有哪些。 第一个，是说有四个 P 核，也就是性能核用了所谓的“高密度库”，这是完全错误的，Intel 4 只有【一个 cell 尺寸】、【一个密度】，MeteorLake 所有六个核心的尺寸是【一模一样】的，不信自己看 die shot（图 3）。 第二个，是对于超大核的表述。Intel MeteorLake 里性能核的确有两种实现，ULT 和 XLT，采用了不同的 LVT 设计，是 cell 里面的区别，但是无论是面积还是密度，都不影响，这个核它并不会【面积更大】或者【规模更大】，不信自己看 die shot（图 3）。 第三个，6VT vs 8VT 的设计会影响 V/F 的表现，这个 Intel 的描述也是如此，但这并不能让一个“睿频”更高的核心变成“超大核”。 就像骁龙 8G3 的 A720 核心，它有三个频率高一点两个频率低一点，极客湾也没有说骁龙 8G3 是由“X4 超超大核”、“A720 超大核”、“A720 大核”、“A520 中核”组成的 SoC，对不对？

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

1. 没有密度区别的 6VT 和 8VT 设计被称为“高密度”和“高性能”库是不合适的。

1. 没有密度区别的 6VT 和 8VT 设计被称为“高密度”和“高性能”库是不合适的。 2. Intel 14 代的 P 核 ULT 和 XLT 实现对应不同的电压和睿频策略，但在规模上没有显著区别的情况下称为“超大核”和“大核”是不合适的。

我再叠个甲，目前除了极客湾我尚未找到另一个说明 Intel 在 MTL 上的 P 核采用了 8VT 和 6VT 两种 cell

我再叠个甲，目前除了极客湾我尚未找到另一个说明 Intel 在 MTL 上的 P 核采用了 8VT 和 6VT 两种 cell 设计的来源。 我这里是假设它的确用了 8VT 和 6VT 两种设计，即使用了这两种设计也不应该用 HP 和 HD 的说法。 有知道的大手子可以在评论区留个言。

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器 Intel 3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel 4工艺的升级加强版，但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线，也就是至强6这一代，同时开放对外代工。酷睿产品线不会用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要发布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工，核心计算模块使用台积电N3B 3nm，平台控制模块使用台积电N6 6nm。Intel之前曾公开表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel 3的主要变化有：－ EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用EUV。－ 引入更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化互连技术堆栈。－ 产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；－ Intel 3-E：扩展更多功能，比如射频、电压调整等；－ Intel 3-PT：增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 按照Intel的最新官方数据，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel 3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel 3其实就是Intel 4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel 4的实践经验，Intel 3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel 3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel 3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel 3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel 20A首发应用于Arrow Lake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel 18A则是Intel 20A的升级版，将在2025年用于代号Clearwater Forest的服务器处理器，以及代号Panther Lake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel 14A。 ... PC版： 手机版：