Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器

Intel 3工艺开始量产 初期只用于生产至强处理器 Intel 3工艺相当于酷睿Ultra上使用的Intel 4工艺的升级加强版，但只会用在需要顶级性能的数据中心至强产品线，也就是至强6这一代，同时开放对外代工。酷睿产品线不会用它，Intel 4之后直接跳到全新的Intel 20A，就是下半年要发布的高性能Arrow Lake，而低功耗的Lunar Lake第一次全部交给台积电代工，核心计算模块使用台积电N3B 3nm，平台控制模块使用台积电N6 6nm。Intel之前曾公开表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel 3的主要变化有：－ EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用EUV。－ 引入更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化互连技术堆栈。－ 产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。－ Intel 3-T：引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；－ Intel 3-E：扩展更多功能，比如射频、电压调整等；－ Intel 3-PT：增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。 ... PC版： 手机版：

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产

Intel 18A工艺要到2026年才能大规模量产 它首次引入RibbonFET环绕式晶体管、PowerVia背部供电，能效比提升最多15％。至于18A工艺，也就是1.8nm级别，将会首次大规模引入新一代EUV极紫外光刻，继续优化Ribbon晶体管，再次提升10％的能效比。它也在2022年就完成了初步测试，将是Intel对外代工的主力，也是Intel反超台积电的关键点。Intel CEO帕特·基辛格最新表示，基于18A工艺的第一款客户端产品Panther Lake、第一款服务器产品Clearwater Forest，将在2025年开始投产，而大规模量产则要等到2026年。这两款产品都早已出现在路线图上，但细节上未公开，只知道Clearwater Forest将是第二代基于纯E核的至强，架构代号Darkmont，而第一代的Sierra Forest今年上半年登场，最多288核心288线程。终于Panther Lake，应该是第三代酷睿Ultra。基辛格指出，Intel 2025年的晶圆生产主力还是Intel 10/7工艺，2025年开始上量Intel 3，并有小批量的Intel 18A，然后在2026年就会大规模出货Intel 18A。至于Intel 14A，具体投产节点仍未公布，看起来应该能在2026年落地。 ... PC版： 手机版：

【为什么Intel的5nm GAA工艺20A/18A规划激进？】相关人士透露，目前英特尔的埃米级工艺节点Intel 20A和In

【为什么Intel的5nm GAA工艺20A/18A规划激进？】相关人士透露，目前英特尔的埃米级工艺节点Intel 20A和Intel 18A已成功流片，也就是有相关设计定案，即规格、材料、性能目标等均已基本达成。 #抽屉IT

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先

Intel 14A工艺至关重要 2025年之后稳定领先 其中，Intel 3作为升级版，应用于服务器端的Sierra Forest、Granite Rapids，将在今年陆续发布，其中前者首次采用纯E核设计，最多288个。Intel 20A和Intel 18A两个节点正在顺利推进中，分别相当于2nm、1.8nm，将继续采用EUV技术，并应用RibbonFET全环绕栅极晶体管和PowerVia背面供电技术。凭借它们两个，Intel希望能在2025年重夺制程领先性。之后，Intel将继续采用创新技术，推进未来制程节点的开发和制造，以巩固领先性。其中一个关键点就是High NA EUV技术，而数值孔径（NA）正是衡量收集和集中光线能力的指标。通过升级将掩膜上的电路图形反射到硅晶圆上的光学系统，High NA EUV光刻技术能够大幅提高分辨率，从而有助于晶体管的进一步微缩。作为Intel 18A之后的下一个先进制程节点，Intel 14A 1.4nm级就将采用High NA EUV光刻技术。为了制造出特征尺寸更小的晶体管，在集成High NA EUV光刻技术的同时，Intel也在同步开发新的晶体管结构，并改进工艺步骤，如通过PowerVia背面供电技术减少步骤、简化流程。此外，Intel还公布了Intel 3、Intel 18A、Intel 14A的数个演化版本，以帮助客户开发和交付符合其特定需求的产品。 ... PC版： 手机版：

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT