有人在意淫国产 14nm 堆规模到 150 亿晶体管来制造手机 SoC

有人在意淫国产 14nm 堆规模到 150 亿晶体管来制造手机 SoC 作为参考： 12nm FinFET TSMC，TU-104，136 亿晶体管，545mm^2，用于 RTX2080 系列，功耗可达 250W。 16nm FinFET TSMC/14nm FinFET 三星，GP102，120 亿晶体管，471mm^2，用于 TITAN Xp，功耗可达 250W。

M2 PRO- 400 亿晶体管

M2 PRO - 400 亿晶体管 - 12C CPU - 19C GPU（Mac mini） - 16C NE - 32GB Max RAM - 200GB/s 带宽 M2 MAX - 12C CPU - 38C GPU - 32C NE - 96GB Max RAM - 400GB/s 内存带宽 良率上不去啊 新增了 WiFi 6E 支持 HDMI 支持多声道音频输出 蓝牙 5.3 续航增加

清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm

清华大学集成电路学院团队首次实现亚 1nm 栅极长度晶体管：等效 0.34nm 上述相关成果以 “具有亚 1 纳米栅极长度的垂直硫化钼晶体管”（）为题，于 3 月 10 日在线发表在国际顶级学术期刊《自然》（Nature）上。 论文通讯作者为清华大学集成电路学院任天令教授和田禾副教授，清华大学集成电路学院 2018 级博士生吴凡、田禾副教授、2019 级博士生沈阳为共同第一作者，其他参加研究的作者包括清华大学集成电路学院 2020 级硕士生侯展、2018 级硕士生任杰、2022 级博士生苟广洋、杨轶副教授和华东师范大学通信与电子工程学院孙亚宾副教授。 任天令教授团队长期致力于二维材料器件技术研究，从材料、器件结构、工艺、系统集成等多层次实现创新突破，先后在《自然》（Nature）、《自然・电子》（Nature Electronics）、《自然・通讯》（Nature Communications）等知名期刊以及国际电子器件会议（IEDM）等领域内顶级国际学术会议上发表多篇论文。清华大学的研究人员得到了国家自然科学基金委、科技部重点研发计划、北京市自然基金委、北京信息科学与技术国家研究中心等的支持。

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可

三星电子今日宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片。可知与 5nm 工艺相比，优化后的 3nm 工艺可在收缩 16% 面积的同时，降低 45% 的功耗并提升 23% 的性能。 #抽屉IT