预估第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高

预估第二季NAND Flash合约价季涨13~18%，Enterprise SSD涨幅最高 TrendForce集邦咨询表示，除了铠侠（Kioxia）和西部数据（WDC）自今年第一季起提升产能利用率外，其它供应商大致维持低投产策略。尽管第二季NAND Flash采购量较第一季小幅下滑，但整体市场氛围持续受供应商库存降低，以及减产效应影响，预估第二季NAND Flash合约价将强势上涨约13~18%。 eMMC方面，中国智能手机品牌为此波eMMC最大需求来源，由于部分供应商已降低供应此类别产品，中国模组厂出货大幅提升。买方为了满足生产需求开始扩大采用模组厂方案，助益中国模组厂技术进一步升级及将触角延伸至一线客户，未来中国模组厂将可持续提高对智能手机客户的eMMC渗透率。在受到NAND Flash Wafer价格剧烈反弹的情况下，预估第二季eMMC合约价季增10~15%。 UFS方面，近期智能手机在印度以及东南亚需求明显成长，支撑第二季UFS订单动能，中国智能手机品牌厂也提前在第二季加大订单以建立安全库存水位，需求得以获得支撑。供应方面，各供应商也欲快速实现损益平衡目标，故预估第二季UFS合约价将季增10~15%。 Enterprise SSD方面，受惠于北美及中国云端服务业者（CSP）需求上升，预期今年上半年Enterprise SSD采购量将会逐季成长。由于大容量SSD订单达交率（Order Fill Rate；OFR）偏低，供应商依旧主导价格走势，故买方被迫接受供应商价格可能性升高。同时，部分买方仍试图在下半年旺季前提高库存水位，因此，预估第二季Enterprise SSD合约价季增20~25%，涨幅为全线产品最高。 Client SSD方面，由于终端销售仍处淡季，买方备货策略转趋保守，部分PC OEM甚至开始下修2Q24备货订单。同时，受限于PC品牌厂无法在成品上反应NAND Flash价格涨幅，也进一步下修第二季订单容量，而此波价格急速反弹更将压抑下半年订单动能成长。预估PC client SSD第二季合约价涨幅将小于Enterprise SSD，季增10~15%。 NAND Flash Wafer方面，在农历新年假期后，产品销售持续走弱，下游客户已无备货需求。然而，此波涨价导致供应商无法满足来自中国智能手机品牌的订单，从而转单至模组厂。因此，目前中国模组厂为了扩大与智能手机品牌合作，备货需求持续维持高档。由于原厂希望尽快达成获利目标，带动NAND Flash Wafer合约价续涨，但受零售市场需求不振影响，涨幅较第一季大幅收敛，预估季增5~10%。

DRAM合约价季涨幅扩大到13~18％

DRAM合约价季涨幅扩大到13~18％ 研调机构集邦科技（TrendForce）最新研究显示，第4季行动（Mobile）DRAM合约价季涨幅预估将扩大至13~18%；NAND Flash方面，eMMC、UFS第4季合约价涨幅约10~15%；明年第1季预估整体记忆体的涨势将延续。Mobile DRAM一直以来获利表现均较其他DRAM产品低，因此成为此次的领涨项目。

【机构：供应商扩大减产，第四季NAND Flash合约价季 #涨幅 预估8~13%】

【机构：供应商扩大减产，第四季NAND Flash合约价季 #涨幅 预估8~13%】 据TrendForce集邦咨询集邦咨询研究显示，由于供应商严格控制产出，NAND Flash第四季合约价全面起涨，涨幅约8~13%。展望2024年，除非原厂仍能维持减产策略，且服务器领域对Enterprise SSD需求回温，否则在缺乏需求作为支撑的前提下，NAND Flash要延续涨势将有难度。

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20%

第二季度DRAM合同价格调整为增长13-18% NAND 闪存约增长15-20% 在花莲地震之前，TrendForce 最初预测 DRAM 合约价格将季节性上涨 3-8%，NAND Flash 将上涨 13-18%。这主要是由于人工智能应用之外的需求低迷，尤其是笔记本电脑和智能手机的需求没有复苏迹象。库存水平逐渐增加，尤其是个人电脑原始设备制造商的状况所带来。此外，由于 DRAM 和 NAND 闪存的价格已经连续上涨了两三个季度，买家接受进一步大幅提价的意愿已经减弱。地震后，市场上出现了一些零星的报道，称 PC OEM 供应商出于特殊考虑，接受 DRAM 和 NAND Flash 合同价格的大幅上涨，但这只是个别交易。到 4 月下旬，在新一轮合同价格谈判完成后，涨幅超过了最初的预期。这促使 TrendForce 上调了第二季度 DRAM 和 NAND Flash 的合约价格涨幅，这不仅反映了买方希望支持其库存价值的愿望，也反映了对人工智能市场供需前景的考虑。TrendForce 报告称，制造商对 HBM 产能的潜在挤出效应保持警惕。具体而言，三星采用 1Alpha 工艺节点的 HBM3e 产品预计到 2024 年底将使用约 60% 的产能。这一大幅分配预计将限制 DDR5 供应商，尤其是在第三季度 HBM3e 产量大幅增加的情况下。为此，买家在第二季度战略性地增加库存，为第三季度开始的 HBM 短缺做好准备。随着能效对人工智能推理服务器越来越重要，北美 CSP 正在采用 QLC 企业固态硬盘作为首选存储解决方案。这一转变推动了对 QLC 企业级固态硬盘的需求，导致一些供应商的库存迅速耗尽，并使他们对销售犹豫不决。此外，由于消费产品需求的复苏尚不明朗，供应商对非 HBM 晶圆容量的资本投资普遍持保守态度，尤其是对 NAND 闪存的投资，因为目前 NAND 闪存的价格处于盈亏平衡点。 ... PC版： 手机版：

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版： 手机版：

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微 台湾有四家内存制造商：美光（Micron）是岛内"三大"内存制造商的唯一成员，拥有两座工厂。与此同时，规模较小的厂商有南亚（拥有一座工厂）、华邦（在一座工厂生产特种内存）和力积电（在一座工厂生产特种内存）。研究发现，这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营，但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称，地震对第二季度的DRAM生产影响较小，1%的影响可以忽略不计。事实上，随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度，内存的位产量也随之增加，这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后，DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过，现货市场报价已基本恢复，而合约价格尚未完全重启。值得注意的是，美光（Micron）和三星（Samsung）在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价，截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下，SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价，并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计，第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略，这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称，地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点，可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过，未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时，台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线，以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线，它们显然都在照常运营。总体而言，DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力，受到的影响很小，恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足，加上需求疲软，这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3，其商业寿命即将结束，产量已经在减少。 ... PC版： 手机版：