TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨

TrendForce：2024年DRAM和闪存合约价或持续上涨  NAND闪存方面，合约价自2022年第三季度开始下跌，已经连续下跌四个季度，至2023年第三季度起涨。面对2024年市场需求展望仍趋于保守的前提下，DRAM和NAND闪存价格走势均取决于供应商产能利用率情况。2024年第一季度，预计DRAM合约价季涨幅约13~18%；NAND闪存则是18~23%。目前市场对第二季度整体需求看法偏于保守，DRAM和NAND闪存供应商从2023年第四季度下旬到2024年第一季度调整了产能利用率，买方也在第一季度陆续完成库存回补，因此DRAM和NAND闪存第二季度合约价季涨幅减少至3~8%。第三季度是传统的旺季，来自北美云端服务业者（CSP）的补货动能较强，预计DRAM和NAND闪存在产能利用率尚未恢复满载的情况下，合约价季涨幅同步扩大至8~13%。其中DRAM因DDR5和HBM渗透率提升，平均单价的提高，带动DRAM涨幅扩大。第四季度在供应商维持有效产能控制的前提下，涨势将延续，预计DRAM合约价季涨幅约8~13%，而NAND闪存则是0~5%。 ... PC版： 手机版：

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微

报告称台湾地震对第二季度DRAM产量的影响微乎其微 台湾有四家内存制造商：美光（Micron）是岛内"三大"内存制造商的唯一成员，拥有两座工厂。与此同时，规模较小的厂商有南亚（拥有一座工厂）、华邦（在一座工厂生产特种内存）和力积电（在一座工厂生产特种内存）。研究发现，这些 DRAM 生产商很快就恢复了全面运营，但不得不丢弃一些晶圆。TrendForce称，地震对第二季度的DRAM生产影响较小，1%的影响可以忽略不计。事实上，随着美光在其 1alpha 和 1beta 纳米工艺技术上加大 DRAM 的生产力度，内存的位产量也随之增加，这将对 2025 年第二季度的商品 DRAM 供应产生积极影响。地震发生后，DRAM 合同市场和现货市场的报价都暂时停止。不过，现货市场报价已基本恢复，而合约价格尚未完全重启。值得注意的是，美光（Micron）和三星（Samsung）在地震发生后立即停止了移动 DRAM 的报价，截至 4 月 8 日也没有提供最新报价。相比之下，SK hynix 在地震当天恢复了面向智能手机客户的报价，并对第二季度移动 DRAM 提出了较为温和的价格调整。TrendForce预计，第二季度移动DRAM的季节性合约价格涨幅在3%到8%之间。这种温和增长的部分原因是 SK hynix 采取了更为克制的定价策略，这可能会影响整个行业的整体定价策略。据TrendForce称，地震对服务器DRAM的影响主要波及美光的先进制造节点，可能导致美光服务器DRAM的最终销售价格上涨。不过，未来价格的确切走向仍有待观察。与此同时，台湾以外的 DRAM 工厂没有受到地震的直接影响。这包括美光位于日本广岛的 HBM 生产线，以及三星和 SK hynix 位于韩国的 HBM 生产线，它们显然都在照常运营。总体而言，DRAM 行业在地震面前表现出了顽强的生命力，受到的影响很小，恢复也很快。DDR4 和 DDR5 库存充足，加上需求疲软，这表明地震造成的轻微价格上涨预计都会很快恢复正常。唯一可能的例外是 DDR3，其商业寿命即将结束，产量已经在减少。 ... PC版： 手机版：

三星电子第二季度营业利润75亿美元 同比增长14.5倍

三星电子第二季度营业利润75亿美元 同比增长14.5倍 这一利润超过了LSEG SmartEstimate调查的分析师平均预期的8.8万亿韩元，并创下了自2022年第三季度以来的新高。第二季度营收增长23.3%，达到74万亿韩元。净利润数据未公布。三星电子将于本月晚些时候公布第二季度正式财报。三星的关键半导体部门可能连续第二个季度实现盈利，比第一季度有所改善，因为存储芯片价格从2022年中期到2023年底的低谷持续上涨，这是由于疫情后对使用该芯片的电子产品的需求疲软造成的。分析师表示，对高端DRAM芯片，如人工智能芯片组中使用的高带宽内存（HBM）芯片，以及数据中心服务器和运行人工智能服务的设备中使用的芯片的爆炸式需求，帮助提振了芯片价格。数据提供商TrendForce的数据显示，今年第二季度，用于科技设备的DRAM芯片价格环比上涨了约13%至18%，用于数据存储的NAND闪存芯片价格环比上涨了15%至20%。 ... PC版： 手机版：

TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象

TrendForce 报告：NAND闪存市场格局将发生变化 终于出现复苏迹象 NAND闪存产业链动态频出，部分厂商表示有提价或提高产能利用率的意愿。NAND闪存供应商SIMO总经理Wallace C. Kou表示，第二季度NAND闪存的价格已经尘埃落定，将上涨20%；部分供应商第一季度已经开始盈利，第二季度后大部分供应商都将盈利。PHISON公司首席执行官Pua Khein Seng认为，SSD固态硬盘价格的进一步上涨可能会大大降低市场需求。如果价格过高，需求可能又会开始动摇。他建议 NAND 制造商停止减产，开始满足需求，而不是任由低供应、高需求推高价格。从产业链的角度来看，三星西安晶圆厂已经大幅提高了开工率，Kioxia也在考虑调整减产计划。三星方面，据韩国媒体"The Elec"报道，三星电子位于中国西安的NAND闪存工厂已将开工率恢复到70%左右。23 年下半年，三星将该工厂的开工率降至 20%-30%。这是自 2022 年下半年内存价格和需求开始下滑以来该工厂的最低点。西安晶圆厂是三星电子在韩国以外唯一的内存半导体生产基地，月产能为 20 万片 300mm 晶圆，占三星整体 NAND 产量的 40%。三星电子计划将西安 NAND 闪存工厂升级为 236 层 NAND 工艺，并启动大规模扩产。据了解，该公司将于 2024 年在西安工厂逐步引进能够生产 236 层 NAND 的设备。至于 Kioxia，该公司最近表示，将重新评估自 2022 年起实施的电子设备中使用的内存介质闪存的减产计划，并提高产量。Kioxia预计，到今年3月，其NAND工厂的利用率将恢复到90%左右，这取决于需求。不过，TrendForce指出，先前预测NAND Flash在第1季的合约价格季增率约为20-25%。尽管第二季度的整体需求前景仍然保守，但NAND闪存供应商已经从23年第四季度末和24年第一季度初开始调整产能利用率。此外，NAND 闪存买家已开始逐步补充第一季度的库存。因此，第二季度 NAND 闪存合同价格的季度环比增幅将收敛至 10-15%。市场格局：三星仍占主导地位，两大制造商或将合并目前，NAND 闪存市场仍由五大厂商主导，其中三星和 SK Hynix 占据了绝大部分份额。根据TrendForce 3月6日的调查，23年第四季度，三星仍牢牢占据着NAND闪存市场的头把交椅，市场份额从上一季度的31.4%增至36.6%；其次是SK集团，市场份额从上一季度的20.2%增至21.6%。紧随其后的是西部数据，其市场份额从上一季度的 16.9% 降至 14.5%；Kioxia，其市场份额从上一季度的 14.5% 降至 12.6%；美光，其市场份额从上一季度的 12.5% 降至 9.9%。值得注意的是，西部数据与 Kioxia 的合并计划自 2021 年开始实施，目前尚未结束。据日本媒体 47news 报道援引消息人士的话称，合并谈判遭到了竞争对手的反对，导致谈判终止。日本媒体朝日新闻早些时候的报道指出，双方可能在 4 月底恢复合并谈判。据报道，贝恩资本正在与相关公司进行谈判，以重启西部数据与 Kioxia 的合并谈判。如果合并成功，新成立的公司将控制全球三分之一的 NAND 闪存市场。如果合并成功，西部数据和 Kioxia 成立的新公司的市场份额将超过 30%，从而导致 NAND 闪存市场格局的变化。近日，西部数据再次出手。3月5日，该公司宣布分拆NAND闪存业务后，将保留原名，专注于核心硬盘业务。该公司还表示，分拆交易预计将在下半年完成。根据公告，西部数据现任全球运营执行副总裁 Irving Tan 将担任剩余独立硬盘公司的首席执行官，继续以西部数据品牌运营。现任首席执行官大卫-戈克勒（David Goeckeler）将被调往新成立的公司负责 NAND 闪存部门，并担任新公司的首席执行官。西部数据将剥离长期受供过于求困扰的 NAND 闪存业务，这一消息引发了业界的广泛讨论。但该公司认为，此举将加速创新，带来新的发展机遇。同时，由于资本结构独立，两个实体的运营效率将高于统一的公司。展望：第一季度 NAND 闪存行业收入或将环比增长 20%在产业营收方面，根据 TrendForce 的最新研究显示，NAND Flash 产业营收在 23 年第 4 季达到 114.9 亿美元，较前一季成长 24.5%。这主要得益于年末促销带来的终端需求回暖，以及元器件市场因涨价带来的订单扩大，以及比特出货量较去年同期旺盛。同时，各公司继续发布 2024 年需求表现将好于 2023 年的观点，并已开始战略备货。展望 2024 年第一季度，TrendForce 认为，在供应链库存水平显著改善、价格仍在上涨的情况下，客户继续增加采购订单，以避免供应短缺和成本上升的风险。因此，TrendForce 预估，尽管目前为传统淡季，但由于订单规模持续扩大，刺激 NAND Flash 合约价格平均上涨 25%，第一季 NAND Flash 产业营收仍将较去年同期成长 20%。 ... PC版： 手机版：

最新报告大幅上调二季度的内存和闪存价格涨幅预期

最新报告大幅上调二季度的内存和闪存价格涨幅预期 访问：Saily - 使用eSIM实现手机全球数据漫游 安全可靠 源自NordVPN 唯一利好的就是eMMC/UFS闪存，预计第二季度只会涨大约10％其实也不少了。集邦咨询表示，4月3日的花莲大地震是一个转折点。震前，内存和闪存现货价格和交易量都持续走低，上涨动力不足，主要是AI之外的智能手机、笔记本市场需求疲软，PC厂商库存也逐渐增加，买方也不愿意接受连续涨价。但是震后，PC厂商出于种种考虑开始接受内存、闪存合约价大幅上涨，尤其到了4月底，新一轮合约价谈判陆续完成，涨幅超过此前预期，一方面是买方有意愿增加库存，另一方面是AI需求持续强劲。尤其值得一提的是，AI对于HBM高带宽内存需求旺盛，原厂都在纷纷扩产。比如三星的HBM3E，使用了先进的1α工艺，尤其是第三季度会大幅扩产，预计到今年底这部分产能将占到大约60％，自然会排挤DDR5的产能，进一步加剧涨价。同时，AI推理服务器越来越考虑节能，优先采用企业级QLC SSD，也会占用相当大的产能，导致消费级的NAND出现紧缺。 ... PC版： 手机版：

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求

第三季度DRAM和VRAM价格有望攀升 这要归功于服务器的需求 TrendForce 的最新报告预测，今年第三季度 DRAM 产品的价格将略有上涨。该公司预计，内存芯片的成本将同比波动 5%至 13%，其中"传统"DRAM 内存将上涨 5%至 10%，所有 DRAM 产品（包括 HBM 芯片）将上涨 8%至 13%。价格上涨的主要原因是普通服务器内存芯片需求的恢复，以及主要 DRAM 供应商 HBM（高带宽内存）产品生产份额的增加。尽管不同类型的内存产品会有不同的表现，但由于制造商热衷于提价，第三季度 DRAM 的平均销售价格正在上涨。TrendForce 指出，PC DRAM 芯片将继续保持涨价趋势，涨价幅度在 3% 至 8% 之间，因为"通用服务器"现在需求旺盛，内存供应商更加专注于制造 HBM 芯片。与服务器 DRAM 购买者相比，个人电脑客户可以预期的价格上涨幅度较小，因为个人电脑消费产品的库存较高，而且客户需求没有显著增长。服务器 DRAM 产品的价格预计将上涨 8% 至 13%。TrendForce 表示，仓库里堆满了 DDR4 芯片，这意味着第三季度的"采购势头"将主要集中在 DDR5 上。移动 DRAM 价格将上涨 3%至 8%，因为库存水平仍然很高，而制造商正试图通过影响明年的供需平衡来提高利润率。TrendForce 预测，VRAM 的价格也将上涨 3%至 8%，因为此类内存产品的总体需求仍然"相对平稳"。买家采取的"持续备货策略"将使成本下降，而制造商预计将在即将到来的游戏 GPU 更新周期中更多地采用新的GDDR7 内存芯片。TrendForce 表示，GDDR7 的生产成本比 GDDR6 高出 20% 至 30%，尽管采取了库存策略，但新一代 GeForce RTX 50 GPU 的 GDDR7 出货量增加可能会推高 ASP 水平。最后，DDR3 和 DDR4 等老式内存产品的价格将上涨 3% 至 8%。台湾制造商正在将其产能转换为 HBM，而三大内存芯片供应商显然有意尽可能提高价格。 ... PC版： 手机版：