鉴于半导体事业部门长久以来存在的问题,三星电子管理层决定针对非内存类先进工艺芯片良品率过低的问题展开调查,将目光锁定在相关部门的

鉴于半导体事业部门长久以来存在的问题,三星电子管理层决定针对非内存类先进工艺芯片良品率过低的问题展开调查,将目光锁定在相关部门的现任和前任高管身上,内容包括之前上交的制程良品率报告是否存在错误信息,以及用于提升先进工艺良品率的资金是否得到有效利用。 #抽屉IT

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Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试

Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试 根据之前的估计,3 纳米 GAA 工艺的良品率尚未超过 60%,要想真正让客户感兴趣,三星至少需要将这一数字提高到 70%。现在,据 Sedaily 报道,三星正在向 2 纳米工艺大步迈进,讨论的主题是为高通公司和三星的 LSI 部门生产原型产品。这是该公司首次被提及正在为其芯片组开发 2 纳米原型,这表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。此前有消息称,三星正在开发配备 10 核 CPU 集群的Exynos 2500,该芯片组将直接接替 Exynos 2400,但不太可能使用 2nm 工艺进行量产,因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。此前也有报道称,高通公司已要求三星和台积电提供 2nm 样品,但这项技术可能会用于骁龙 8 Gen 5,而不是即将推出的骁龙 8 Gen 4。就进展而言,三星已经在 2nm 工艺竞赛中赢得了与台积电的竞争优势,据说它获得了第一个客户一家名为 Preferred Networks (PFN) 的日本初创公司。这家韩国代工厂是否能保持健康的收益率是另一个争论的焦点,但它有可能通过提供有吸引力的折扣来安抚其第一位客户,因为据说这是该公司之前为争取更多未来客户而探索的一种策略。据透露,一款未命名的 Exynos 芯片可能正处于测试阶段,这表明三星并不打算在未来的旗舰智能手机中完全采用骁龙芯片组,这是经过深思熟虑的,因为高通公司对其高端 SoC 的定价已经到了难以承受的地步。凭借新一代 2nm 工艺,三星可能最终会扭转颓势,让我们拭目以待它如何保持这些良品率。 ... PC版: 手机版:

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据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4

据传Exynos 2500将成三星首款二代3nm工艺SoC 能效方面超越骁龙8 Gen4 该传言来自 X 上的 PandaFlash,他之前曾发帖称,Exynos 2500在 CPU 和 GPU 方面的性能都超过了骁龙 8 Gen 3。这种性能可能是由于三星在其第二代 3nm 工艺上对芯片进行了测试,这使得新的 SoC 可以在相同功耗水平下以更高的时钟速度运行。如果我们听说 Exynos 2500 采用了三星先进的"扇出晶圆级封装"(FOWLP)技术就不会感到惊讶,因为 Exynos 2400 也采用了同样的技术。FOWLP 增加了芯片组的耐热性并减小了芯片组的封装尺寸,使其能够在更长的时间内以最大能力运行,最终有助于获得更高的多核分数。如果传言属实,那么击败骁龙 8 Gen 4 就开始变得轻松,我们曾报道过,高通的旗舰 SoC 正受到功耗问题的困扰,迫使手机制造商使用5500mAh 的大容量电池来弥补这一问题。在这方面,三星可能已经找到了通过 Exynos 品牌提升声誉的机会,但前提是它必须解决第二代 3nm 工艺的良率问题。此前,这家韩国巨头的代工部门在3nm 节点上的良品率只有20%,但现在已大幅提高到之前的三倍,开始追上台积电,但仍有很大差距。良品率的降低意味着三星将不得不花费更多的成本来生产每个 3 纳米晶圆,从而提高了 Exynos 2500 的成本。该公司还有几个月的时间转入量产阶段,到那时,如果能把良品率提高到 65%,就可以在可接受的范围内了。 ... PC版: 手机版:

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被“诅咒”的半导体龙头

被“诅咒”的半导体龙头 隔壁英特尔也没好到哪里去,英特尔2023年营收为542.3亿美元,较2022年的630.5亿美元下跌14%,净利润为16.89亿美元,相较2022年的80.14亿美元暴跌78.92%。要知道,三星和英特尔在进入最近几年,一直在半导体市场里争着第一和第二的位置,两位当了二十余年的霸主,如今却好像走在一条下坡路上。是半导体下行周期使然,还是挑战者在撼动它们曾经牢不可破的城墙呢?还是半导体龙头这个位置已经被“诅咒”了?AMD和英特尔对于AMD来说,21世纪的头十年表现得喜忧参半。在AMD第二任CEO鲁毅智的主导下,AMD选择了自研AMD64架构,并于2003年推出面向服务器和工作站的Opteron (皓龙) 处理器、面向台式电脑和笔记簿电脑的 AMD 速龙64 处理器以及提供影院级别计算性能的速龙64 FX处理器,由于英特尔在安腾(Itianium)架构的判断失误,AMD一度在和英特尔处理器的竞争中占得上风。但也是在鲁毅智的主导下,2006年,AMD宣布以54亿美元(以42亿美元现金和5700万股AMD普通股)并购显卡厂商ATI,AMD市值此时市值仅有88亿美元左右,为了凑够42亿美元现金,AMD还向摩根士丹利举债借了25亿美元,最终完成了这笔庞大的收购。CPU+GPU的未来愿景看似美好,但势单力薄的AMD很快就遇到了大难题,一边是英特尔,一边是英伟达,两线作战的AMD根本无力招架来自这两家的迅猛攻势,变卖各种部门,出售晶圆厂, K10、推土机、打桩机、压路机,各类CPU架构层出不穷,但一直难有起色。AMD的衰落,让英特尔过上了好日子。2006年,AMD处理器在x86服务器市场的份额曾达25%,但到2014年,已缩减到不足3%,而英特尔此时几乎垄断了整个服务器市场。至于消费端,英特尔也占据了移动电脑芯片90%的市场份额,桌面电脑芯片83%的市场份额。从2007年到2016年这十年时间,是英特尔大把收钱的时期,不管是毛利率还是净利率都高于英伟达与AMD,这还是建立在它的营收规模远大于其他两家的基础之上的,虽然英特尔错过了手机芯片的风口,但它似乎光靠服务器和消费市场,就已经能高枕无忧。2009 年至 2012 年,英特尔在CPU方面大发神威,基本上将AMD赶出了服务器市场,英特尔也因此获得了巨大的定价权和利润权,OEM厂商们只能看英特尔的脸色过活。这种躺着数钱的生活固然美好,但也带来了新的问题,一旦有具备优势的竞争对手出现,被英特尔视为钱袋子的OEM就会转投另一家厂商,这一伏笔早已埋下,即使英特尔没有犯下10nm和7nm制程工艺上的失误,高达97%的服务器市场份额也不会保持更长时间。2017 年 2 月 22 日,AMD新任CEO苏姿丰在发布会上公布了自 K8 时代之后最令人印象深刻的处理器锐龙,其中包括 1800X、1700X 和 1700 三款处理器,在消费级市场打响了第一枪,虽然它们的性能没有完全赶上英特尔,但却有一个英特尔无法比拟的优点便宜,相同定位的锐龙只卖酷睿的一半价格,试问又有哪一位消费者不会心动呢?同样的情况出现在了服务器市场当中,AMD在2017年6月正式发布了面向服务器市场的第一代EPYC(霄龙)处理器,凭借多核设计、PCIe 扩展选项以及原始内存带宽等优势,一扫此前在服务器市场的阴霾。相较于纸面上的技术优势,主要 OEM 厂商在展会上对 AMD EPYC 的坚定支持,才让更多人意识到,服务器市场的风向变了。苏姿丰在发布会上与惠普执行副总裁兼总经理 Antonio Neri 共同展示了基于 EPYC 的新型惠普服务器以及与英特尔 Xeon 平台相比在云服务、软件定义存储和数据分析方面的具体优势。此外,戴尔/EMC服务器总裁兼总经理 Ashley Gorakhpurwalla 与 AMD 企业、嵌入式和半定制部门高级副总裁兼总经理 Forrest Norrod还共同推出了戴尔/EMC PowerEdge 服务器,并展示了 AMD 的一些新安全加密虚拟化技术,以及 EPYC 在戴尔/EMC 第 14代PowerEdge 服务器中具有更高核心数和更灵活扩展选项的单插槽服务器优势。不仅是惠普和戴尔,AMD还获得了独立硬件和软件供应商的支持,如 SuperMicro、Xilinx、VMWare、Red Hat 和 Microsoft 等也都纷纷加入其中,AMD从这场发布会开始,正式打响了服务器领域的反击战。对英特尔来说,这几乎是一个死局,在先进制程和移动市场上的失利虽然让它感觉有些不爽,但在服务器市场上的节节败退,才让这位霸主真正感受到了痛彻心扉。2021年2月,帕特·基辛格上任英特尔第八任CEO,经历了创始人戈登-摩尔(Gordon Moore)和安迪-格鲁夫(Andy Grove)的他是一位技术老兵,他曾在英特尔推动了关键行业技术(如 USB 和 Wi-Fi)的创造,还在酷睿和至强系列中发挥了关键作用。他提出了在四年内实现五个工艺节点的目标,未来将和台积电和三星在先进制程代工市场中展开竞争,甚至可能有机会占据较大份额,但对于英特尔来说,随着AMD和Arm的崛起,以及更多云服务厂商选择自研芯片,过去它在服务器市场里躺着赚钱的时光,注定只能成为一种美好回忆。现在的英特尔,想要恢复往日的辉煌,只能把希望寄托于AMD、英伟达和台积电等对手的集体衰落,但这显然是不可能的,即便是恢复该有的营收和盈利水平,也要付出更多的努力才行,就像数年前的AMD一样,英特尔也要走一条漫长而又痛苦的荆棘之路。三星和海力士对比英特尔,三星半导体的业务要显得更加驳杂,从手机处理器到代工厂,从影像传感器到DRAM和NAND,庞大的帝国让它一度超越英特尔,问鼎全球半导体市场。如今的它却节节败退,甚至在内存市场上险些被SK海力士所超越,这背后当然有很多因素影响,如5nm制程代工的萎靡,以及猎户座处理器设计的失败,但最致命的恐怕还是HBM。HBM的历史可以追溯到十多年前,AMD在收购ATI后,开始研究更先进的显存技术,当时的GDDR陷入到了内存带宽和功耗控制的瓶颈,而AMD就打算用先进的TSV技术打造立体堆栈式的显存颗粒,让“平房”进化为“楼房”,通过硅中介层让显存连接至GPU核心,最后封装到一起,实现显存位宽和传输速度的提升。当时AMD的合作伙伴就是SK海力士,经过多年研发后,两家厂商联合推出了初代HBM产品,这一产品也被定为了JESD235行业标准,初代HBM的工作频率约为1600 Mbps,漏极电源电压为1.2V,芯片密度为2Gb(4-hi),带宽达4096bit,远超GDDR5的512bit。新技术的诞生并非一帆风顺,AMD后续在消费端显卡里取消了HBM显存,而海力士也没有因为这一新内存标准而获利,此时三星却找到了机会,通过这一通用的行业标准,三星成为了英伟达Tesla P100显卡中HBM2显存的供应商,这也成了三星的高光时刻之一。但三星在HBM上的优势并未保持多久,2021 年 10 月,海力士率先量产HBM的第四代产品HBM3,截至目前,SK海力士几乎包揽了英伟达的HBM3的供应,曾经更快量产HBM2的三星,却还没有明显的HBM3的供应表现。问题出在了哪里呢?原来在HBM这项技术上,三星和SK海力士各自采用不同的封装方法。SK的选择是回流焊成型底部填充 (MR-MUF) 方法,在烤箱中同时烘烤所有层,而三星则采用了热压缩非导电膜 (TC NCF) 技术,在每层之间用薄膜堆叠芯片。SK海力士的 MR-MUF 技术可一次性封装多层 DRAM。在 DRAM 下方,有用于连接芯片的铅基“凸块”,MR 技术涉及加热并同时熔化所有这些凸块以进行焊接。连接所有 DRAM 后,将执行称为 MUF 的工艺来保护芯片,通过注入一种以出色的散热性而闻名的环氧密封化合物来填充芯片之间的间隙并将其封装起来,然后通过施加热量和压力使组件变硬,从而完成 HBM。SK海力士将此过程描述为“像在烤箱中烘烤一样均匀地施加热量并一次性粘合所有芯片,使... PC版: 手机版:

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中储粮这个事儿出问题的大概率在金龙鱼(个人观点),我之前在粮储相关部门的时候,食堂用的真的是中储粮的油(好像是金鼎),原料供应表

#内幕消息 中储粮这个事儿出问题的大概率在金龙鱼(个人观点),我之前在粮储相关部门的时候,食堂用的真的是中储粮的油(好像是金鼎),原料供应表列的清清楚楚,自己人都用这个,总不至于给自己下毒吧。 中储粮是卖油的,金龙鱼是买油的,金龙鱼的母公司益海嘉里是新加坡独资企业,运输过程到底是哪方出了差错尚未可知。 而现在舆论矛头太尖锐太聚焦,实在是很难不让人怀疑了。 - 投稿补充 目前食用油的提取工艺分为压榨和浸出两种,其中浸出提取的工艺会用到有机溶剂,目前国内的正规企业用的是正己烷,而过去则常常会使用99号汽油进行浸出(现在依然存在不良企业使用汽油进行浸出)。 由于浸出工艺过程中的高温导致营养变性的问题暂且不提,按照国内相对宽松的标准 浸出工艺每1kg油中含≤10mg汽油是符合标准范围内的,也就是吃汽油残留。。

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芯片散热问题不断扩大与增多 可忽略功耗设计的制造商越来越少

芯片散热问题不断扩大与增多 可忽略功耗设计的制造商越来越少 在这些活动的背后,一个持续的焦点是将更多晶体管集成到固定区域内,以及与之密切相关且不断加速的功耗泄漏战斗。FinFET在16/14纳米技术中解决了漏电门问题,但仅在两个节点之后问题再次出现。在3纳米制程中,引入了与众不同的全包围栅极场效应管(即纳米片)结构,这使得设计、计量、检验和测试变得更具挑战性和成本。在2纳米/18埃技术中,为确保向晶体管传输足够的功率并缓解布线问题,会从芯片的正面翻转到背面进行电源传输。在更高技术水平中,行业可能会再次改变晶体管结构,采用复合场效应晶体管(CFET)。在这一短时间窗口中,众多工艺和结构变化不断涌现,每个新节点都需要解决更多问题。例如,随着高密度芯片和封装技术发展,瞬态热梯度问题日益受到关注。这些热梯度以不可预测的方式移动,有时迅速,有时缓慢,并且会随着工作负载的变化而变化。在40纳米工艺中,采用较厚的电介质、基板和更宽松的间距,这些问题仅被当作小麻烦。但在当前尖端的制程技术中,我们需要更认真地对待这些问题。Cadence产品管理总监Melika Roshandell表示:“尽管基本漏电较之前的技术有所降低,但总体功耗却更高。所以,热量问题将更加严重,因为你在一个集成电路中集成了更多的晶体管,同时不断提高性能。你希望采用越来越高的频率,为此需要提高电压和功耗。现在的总功耗比上一代更高,所以热量问题将更严重。此外,在使用更小节点时,芯片面积也在减小。面积缩小和总功耗增加有时可能导致热问题恶化,从而使芯片无法达到图1:运行中的3D-IC设计的热力学耦合仿真热量正成为所有硬件工程师共同的噩梦,并引发一些难以解决和预先建模的恶性循环:热量加速了用于保护信号的电介质薄膜(时间依赖型电介质击穿,或称TDDB)的破裂,并增加了机械应力,从而导致翘曲。热量导致一系列问题:它加速电迁移和其他老化效应,可能使数据通路变窄。这进一步增加了电路阻力产生的热量以及驱动信号所需的能量,直至(如果可能的话)信号重新路由。热量还会影响存储器的运行速度,降低系统整体性能。此外,热量产生的噪声对信号完整性造成影响,而且噪声可能是瞬时的,这使得分区更加困难。所有这些因素都可能缩短芯片的寿命,甚至影响芯片的一部分。西门子EDA的模拟和混合信号验证解决方案的首席产品经理Pradeep Thiagarajan表示:“热降解晶体管很容易导致芯片或IP损坏。幸运的是,大多数设备的自热分析可以通过对每个MOS器件进行瞬态测量来评估局部加热对设计的影响,然后加载温度差数据并评估波形影响。现在,在面临越来越高的数据传输速率要求的情况下,各个方面都需要创新。因此,更好地对所有热界面材料进行建模,就能更有可能解决这些影响,并进行适当的设计调整,避免短期或长期的硬件故障。归根结底,我们需要创新的热解决方案,同时还必须进行正确的建模。”功耗问题丛生许多芯片制造商刚开始应对这些问题,因为大部分芯片并未使用最先进的制程开发。但随着芯片越来越多地变成由芯片单元组成,所有内容都需要在非40nm或更高工艺平面芯片开发的条件下进行特性描述和操作。值得注意的是,提高晶体管密度,无论是在单个芯片还是高级封装中,未必是提升性能的最有效途径。然而,它确实会提高功率密度,限制时钟频率。因此,许多显著进步并非与晶体管本身紧密相关。这些进步包括硬件-软件协同设计、更快的物理层和互连、新型绝缘和电子迁移材料、具有较高精度和较短恢复时间的预取处理、稀疏算法以及新的电源传输方案。Arm公司高级首席CPU架构师Vincent Risson表示:“理解整个系统堆栈非常重要。当然,计算机对功率有重要贡献,但系统的其他部分也同样重要。这就是为什么我们有不同级别的缓存,而且缓存的大小也不同。我们在上一代产品中加大了缓存规模,因为拥有本地缓存能使下游电源将计算视为本地运行。随着我们扩展到3D,我们可以设想使用3D堆叠缓存,这将有助于减少数据传输并提高效率。”关键是在设计周期的每个环节提高效率,不仅仅局限于硬件。尽管近几十年来芯片产业一直关注硬件软件协同设计,但系统公司通过定制化微架构优先采用这种方法,同时,移动设备也力求为了竞争优势而大幅延长电池寿命。Risson表示:“我们进行许多调整来充分提升性能,这是CPU致力于解决的一个重点问题。例如,我们持续改进所有预取引擎,以提高准确性并降低下游数据的流量。因此,我们在保持更好覆盖的同时,减少了互连上的流量。”这仅仅是难题的一部分,我们还需要解决更多方面的问题。例如,随着时间的流逝,介电膜会逐渐损坏。这种情况会受到不同工作负载或工作条件的加速,尤其是在充满芯片片制品的封装内部。Ansys电子、半导体和光学事业部的研究员及首席技术专家Norman Chang表示:“由于我们需要处理如此众多的信号和运行在不同电压下的多边形网络,时变介电击穿(TDDB)成为一个问题。如果一个网络与另一个不同电压的信号网络相邻,那么介电材料就会感应到不同的电压场。随着时间的推移,会出现时变的介电击穿现象。这是一个新问题,我们需要找到针对它的解决办法。”不一致性问题热梯度也是一项挑战,特别是当它们变化不定且在不同工作负载间有较大差异时。这个问题在2.5D设计中尤为明显,可能导致变形。而预期在未来几年推出的3D-ICs中也存在同样问题。在这两种情况下,热量可能会被困住,从而产生滚雪球效应。图2:2.5D 集成电路的热力学与力学分析结果,展示了温度梯度,包括在245°C时的翘曲情况张表示:“在3D-IC中,功耗与温度有很大的关系。当温度升高时,漏电功耗将增加,热梯度分布成为3D-IC中多物理互动的核心。温度会影响功耗,同时也会影响电阻。当温度升高时,电阻也会增加,这也将影响介电常数。这会对信号完整性和功率完整性产生影响,同时还会影响应力。在3D-IC中混合使用数字和模拟时,模拟部分对应力更敏感。你需要知道热梯度和热点的位置,以便将模拟元件远离热点。如果你看到模拟元件的热循环,设备的老化速度会加快,你会开始看到晶体管失配,模拟电路的效率相较于数字逻辑会迅速下降。”这仅仅只是开始。新思科技(Synopsys)的产品管理高级总监Kenneth Larsen指出,将堆叠芯片中各个元素的位置安排错误可能会产生一些意想不到的问题,例如热交叉干扰,这也可能会降低整体性能。“我们已从单片设计转向基于碎片的设计,这使得各个设备之间的距离缩小了,它们可以互相影响。当一个设备堆叠在另一个设备上时,热量如何散发出去?这是一个巨大的挑战。对于3D-ICs,第一个问题是能否构建具有结构完整性的系统。同时,你还需关注其他的机械、热和功耗问题亟待解决的问题实在太多。”在过去,处理热量的最简单方法是降低电压。然而,这种方式已经变得不再有效,因为在极低电压的状态下,轻微的异常现象就可能导致问题。Fraunhofer IIS自适应系统工程部门设计方法主管Roland Jancke说:“对于低功耗技术(如临界或亚临界器件)和高功耗设备来说,噪声是一个关键话题。这是一个难以理解的问题,因为在模拟过程中它通常不会出现,而是在现实世界中暴露出来。当噪声问题在现实中出现时,你需要了解并应对它。”以... PC版: 手机版:

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