三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片

英伟达正在努力认证三星 HBM 内存芯片 英伟达公司仍在致力于韩国三星电子高带宽内存 (HBM) 芯片的认证流程。英伟达首席执行官黄仁勋4日告诉记者，他的公司正在研究三星和美光科技公司提供的 HBM 芯片。“我们只需要完成工程工作。还没有完成。，”黄仁勋在台北国际电脑展的简报会上表示。“我希望昨天能完成。但还没完成。我们必须要有耐心。”黄仁勋发表上述言论之前，路透社报道称，三星最新高带宽内存 (HBM) 芯片由于散热和功耗问题，导致其尚未通过英伟达的测试认证。当被直接问及那篇文章时，黄仁勋说："根本没有那回事。”

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产 美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备，每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s，峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比，HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%，这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构，计算性能与 H100 相同。同时，它配备了 141 GB HBM3E 内存，带宽达 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β（1-beta）工艺技术生产其 HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图，以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版： 手机版：