三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备

三星将于2025年推出"SAINT"3D芯片封装服务 为量产HBM4做准备 就三星 3D 封装的细节而言，它是 2.5D 方法的后继者，这一次，这家韩国巨头不再使用硅插层来连接 HBM 和 GPU，而是决定通过将多个芯片堆叠在一起来实现垂直整合。三星计划将其称为SAINT（三星高级互连技术）平台，并将封装分为三种类型：SAINT-S、SAINT-L 和 SAINT-D。它们都处理不同的芯片，如 SRAM、Logic 和 DRAM。与传统的 2.5D 相比，三星的 3D 封装技术具有多项优势。通过垂直堆叠，该公司成功地缩小了芯片之间的距离，从而加快了数据传输的速度。垂直堆叠还能减少碳足迹，这也是广泛采用该技术的另一个好处。韩国媒体称，三星在加利福尼亚州圣何塞举行的"三星代工论坛 2024"上展示了这项技术。这是该公司首次向公众展示这项技术，因为英伟达（NVIDIA）和英伟达（AMD）宣布将推出各自的下一代人工智能硬件。由于 3D 封装将与 HBM4 一起使用，预计三星的服务将与英伟达的 Rubin架构和 AMD 的Instinct MI400 AI 加速器一起亮相。三星还计划到 2027 年发布"一体化异构集成"技术。这项技术将实现统一的人工智能封装，集成商无需处理单独的封装技术。在苹果之后，英特尔在其轻薄设计（如 Lunar Lake CPU）中采用了非常以 SoC 为中心的方法，而 AMD 也在垂直堆叠领域非常活跃，其独特的 HBM、MCD 和 3D V-Cache 堆栈横跨多个芯片，可以广泛满足从消费市场到企业市场的各种客户需求。 ... PC版： 手机版：

三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存

三星下月展示 37 Gbps GDDR7 内存 三星预计将展示一款数据传输速率为 37 Gbps、密度为 16 Gbit（2 GB）的 GDDR7 芯片。GDDR7 内存将使用 PAM3 和 NRZ 信号，目标是实现高达 37 Gbps 的数据传输速率/引脚。GDDR7 存储器的演进涉及提高信号传输速率和突发大小，而不大幅提升存储单元的内部时钟。这使得每个 GDDR 版本都能提高内存总线频率，从而提高性能。然而，随着频率提升变得复杂，业界正在探索其他解决方案。例如，GDDR6X 用 PAM4 编码取代了传统的 NRZ 编码，有效地将数据传输速率提高了一倍。由于波特率降低，PAM4 还能显著减少信号损耗。然而，GDDR7 将采用 PAM3 编码，这是 PAM4 和 NRZ 信号之间的折衷。这使得每个周期的数据传输速率高于 NRZ，从而降低了对更高内存总线频率的需求。GDDR7 的性能有望超过 GDDR6，同时功耗和实施成本也低于 GDDR6X。此外，GDDR7 还提供了优化内存效率和功耗的方法。其中包括四种不同的读取时钟模式，使其仅在需要时运行。GDDR7 内存子系统还可以并行发出两个独立命令，优化功耗。至于 GDDR7 的发布，预计将与AMD和NVIDIA 的下一代 GPU 一起推出，时间可能在今年晚些时候。预计 NVIDIA 和 AMD 都将在下一代 GPU 中采用 GDDR7。GDDR7 将于今年量产，并将在 NVIDIA 的 GeForce RTX 50 系列"Blackwell"显卡和 AMD Radeon RX 8000 系列 RDNA4 中使用。 ... PC版： 手机版：

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局

三星独家供货英伟达12层HBM3E内存 SK海力士出局 而SK海力士因部分工程问题，未能推出12层HBM3E产品，但计划从本月末开始批量生产8层HBM3E产品。今年2月27日，三星电子官宣成功开发出业界首款36GB 12H（12层堆叠）HBM3E DRAM内存。据介绍，HBM3E 12H能够提供高达1280GB/s的带宽和迄今为止最大的36GB容量，相比于8层堆叠的HBM3 8H，在带宽和容量上提升超过50%。同时相比于8层堆叠，其AI训练速度平均提高34%，同时推理服务用户数量也可增加超过11.5倍。在此前的GTC2024大会上，英伟达正式发布了B200和GB200系列芯片。据黄仁勋介绍，B200拥有2080亿个晶体管，采用台积电4NP工艺制程，可以支持多达10万亿个参数的AI大模型，还通过单个GPU提供20 petaflops的AI性能。 ... PC版： 手机版：

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作 回顾过往，三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海，不仅设立了专项团队，还成立了特别工作组，持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级，无疑是对过往努力的深化与加强，彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点，三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初，三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM，并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产，这一系列成就不仅体现了三星的技术实力，也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。值得注意的是，三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起，三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证，涵盖8层与12层堆叠技术，虽历经挑战但进展显著，预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成，这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。此外，三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展，并明确透露了HBM4技术的研发时间表，即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注，也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。更有传言指出，三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，以优化高温环境下的热特性，进一步提升产品的稳定性和可靠性，这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。 ... PC版： 手机版：

Rambus推出GDDR7内存控制器IP：提供48 Gbps速率和192GB/s带宽

Rambus推出GDDR7内存控制器IP：提供48 Gbps速率和192GB/s带宽 人工智能 2.0 训练过程的输出是一个推理模型，可用于根据用户的提示创建新的多模态内容。由于准确性和保真度会随着模型规模的扩大而提高，因此推理模型的规模也在不断扩大。随着人工智能推理变得越来越普遍，并从数据中心转移到边缘和终端，这促使整个计算环境需要更强大的处理引擎和定制的高性能内存解决方案。GPU 一直是推理引擎的首选，在服务器和台式机等边缘和终端应用中，GPU 一直使用 GDDR6 内存。然而，GDDR6 已经达到了标准 NRZ 信号每秒 24 千兆比特（Gbps）数据传输速率的实际极限。为了满足未来 GPU 的带宽需求，需要使用新信号方案的新一代 GDDR。使用 PAM3 信号的 GDDR7 内存可将数据传输速率提高到 40 Gbps 或更高。Rambus介绍说：GDDR 目前已达到 GDDR7 规格水平，是当今最先进的图形内存解决方案，其性能发展蓝图达 48Gbps，每个 GDDR7 内存设备的内存吞吐量达 192 GB/s。在带宽这一关键参数上，GDDR7 内存确实大放异彩。在 32 Gbps 的数据传输速率和 32 位宽接口条件下，GDDR7 设备可提供 128 GB/s 的内存带宽，是任何其他解决方案的两倍多。GDDR7 内存为人工智能推理提供了最佳的速度、带宽和延迟性能。Rambus 已经在提供 HBM、PCIe 和 CXL 控制器 IP，现在又推出了业界首个GDDR7存储器控制器 IP。Rambus GDDR7 控制器支持 40 Gbps 运行，为 GDDR7 存储器设备提供160GB/s的吞吐量，比业界吞吐量最高的 GDDR6 控制器（同样来自 Rambus）提高了 67%。Rambus GDDR7 控制器实现了新一代 GDDR 内存部署，适用于人工智能加速器、图形和高性能计算 (HPC) 应用。Rambus GDDR7 控制器主要功能支持包括 PAM3 和 NRZ 信号在内的所有 GDDR7 链路功能支持多种 GDDR7 设备尺寸和速度经过优化，可在各种流量情况下实现高效率和低延迟灵活的 AXI 接口支持低功耗支持（自刷新、休眠自刷新、动态频率缩放等）可靠性、可用性和可维护性（RAS）功能如端到端数据路径奇偶校验、存储寄存器奇偶校验保护等。全面的记忆测试支持可为第三方 PHY 提供集成支持利用最新的 GDDR7 VIP 和内存供应商内存模型进行验证 ... PC版： 手机版：