2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机

2nm时代来临：ASML本周交付第三代EUV光刻机 ASML Twinscan NXE:3800E代表了低数值孔径 EUV光刻技术在性能（每小时处理的晶圆数量）和匹配的加工覆盖方面的飞跃。新系统每小时可在 30 mJ/cm^2 剂量下处理超过 195 个晶圆，并有望通过吞吐量升级将性能进一步提高至 220 wph。此外，新工具还提供小于 1.1 nm 的匹配机器覆盖（晶圆对准精度）。ASML 在 X 上发布的一份声明中透露：“芯片制造商需要速度。第一台 Twinscan NXE:3800E 现已安装在一家芯片工厂中。凭借其新的晶圆台，该系统将为打印先进芯片技术提供领先的生产力。”我们正在将光刻技术推向新的极限。”在为逻辑制造商生产采用4nm/5nm和 3nm 级工艺技术的芯片时，吞吐量的增加将提高 Twinscan NXE:3800E 机器的经济效益。ASML Twinscan NXE:3800E 的性能改进预计将显着缓解EUV 技术的主要缺点之一，即性能相对较低，从而实现更高效、更具成本效益的芯片生产。这将使依赖 EUV 的工艺技术更容易被预算不像苹果、AMD、英特尔、英伟达和高通那样庞大的芯片设计者所接受。此外，该工具对于美光、三星和 SK 海力士等内存制造商也至关重要。此外，Twinscan NXE:3800E 的增强性能对于采用 2nm 以及需要 EUV 双图案化的后续制造技术制造芯片特别有用。匹配机器覆盖层的改进将有利于 3nm 以下生产节点。（图片来源：ASML）然而，像 NXE:3800E 这样的机器的复杂性和功能的代价是高昂的成本，每台的价格约为 1.8 亿美元。如此高的成本意味着这些光刻工具的成本需要一段时间才能折旧。然而，对于 ASML 的客户（包括一组精选的重要逻辑和内存制造公司）来说，NXE:3800E 提供了一条增强其尖端芯片生产能力的途径。这对于这些公司来说至关重要，因为他们努力满足全球对半导体不断增长的需求，扩大生产能力并管理芯片制造的经济性。引入 NXE:3800E 等更先进、更高效的 EUV 扫描仪对于实现这些目标至关重要。展望未来，ASML并没有满足于现状，计划以Twinscan NXE:4000F 的形式进行进一步创新，这是另一代低数值孔径 EUV 扫描仪，预计于 2026 年左右发布。这一持续开发强调了 ASML 致力于推进低数值孔径的承诺-NA EUV 制造技术，尽管即将采用高数值孔径光刻工具。 ... PC版： 手机版：

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺

ASML公布Hyper NA EUV光刻机 可量产0.2nm工艺 该系列预计到2025年可以量产2nm，再往后就得加入多重曝光，预计到2027年能实现1.4nm的量产。High NA光刻机升级到了0.55，对应产品EXE系列，包括已有的5000、5200B，以及未来的5400、5600、5X00。它们将从2nm以下工艺起步，Intel首发就是14A 1.4nm，预计到2029年左右能过量产1nm，配合多重曝光可以在2033年前后做到0.5nm的量产，至少也能支持到0.7nm。接下来的Hyper NA光刻机预计将达到0.75甚至更高，2030年前后推出，对应产品命名为HXE系列。ASML预计，Hyper AN光刻机或许能做到0.2nm甚至更先进工艺的量产，但目前还不能完全肯定。值得一提的是，单个硅原子的直径约为0.1nm，但是上边提到的这些工艺节点，并不是真实的晶体管物理尺寸，只是一种等效说法，基于性能、能效一定比例的提升。比如说0.2nm工艺，实际的晶体管金属间距大约为16-12nm，之后将继续缩减到14-10nm。另外，Low/High/Hyper三种光刻机会共同使用单一的EUV平台，大量的模块都会彼此通用，从而大大降低研发、制造、部署成本。High NA光刻机的单台价格已经高达约3.5亿欧元，Hyper NA光刻机必然继续大幅涨价，而且越发逼近物理极限，所以无论技术还是成本角度，Hyper NA之后该怎么走，谁的心里都没数。微电子研究中心(IMEC)的项目总监Kurt Ronse就悲观地表示：“无法想象只有0.2nm尺寸的设备元件，只相当于两个原子宽度。或许到了某个时刻，现有的光刻技术必然终结。” ... PC版： 手机版：

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺

ASML正研发超级NA光刻机 2036年冲击0.2nm工艺 ASML第一代Low NA EUV光刻机只有0.33 NA(孔径数值)，临界尺寸(CD)为13.5nm，最小金属间距为26nm，单次曝光下的内连接间距约为25-30nm，适合制造4/5nm工艺。使用双重曝光，可将内连接间距缩小到21-24nm，就能制造3nm工艺了，比如台积电N3B。第二代EUV光刻机提高到了0.55 NA，临界尺寸缩小到8nm，金属间距最小约为16nm，可制造3-1nm，比如Intel就透露会在1.4nm节点上首次使用。ASML CTO Martin van den Brink在接受采访时确认，ASML正在调查开发Hyper NA技术，继续推进各项光刻指标，其中NA数值将超过0.7，预计在2030年左右完成。它表示，这种新型EUV光刻机适合制造逻辑处理器芯片，相比高NA双重曝光成本更低，也可用来制造DRAM内存芯片。ASML已披露的数据显示，低NA光刻机的成本至少1.83亿美元，高NA光刻机更是3.8亿美元起步。根据微电子研究中心(IMEC)的路线图，2030年左右应该能推进到A7 0.7nm工艺，之后还有A5 0.5nm、A3 0.3nm、A2 0.2nm，但那得是2036年左右的事儿了。 ... PC版： 手机版：

Rapidus 确认将在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻机，已规划未来 1.4nm 节点

Rapidus 确认将在 2nm 采用 0.33NA EUV 光刻机，已规划未来 1.4nm 节点 理查德称其从潜在客户和 EDA 企业处了解到，整个先进半导体行业都在寻求除台积电外的另一家独立代工企业作为替代供应方。 不是 High-NA