消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺

消息称三星Exynos 2500将使用自有第二代3纳米GAA工艺 现在，一份新的报告指出，Exynos 2500 将提高工艺标准，预计将使用第二代 3nm GAA（Gate-All-Around）工艺，以提高明年旗舰机型的性能与效率。据 Business Korea 报道，为了跟上台积电的步伐，三星将利用其第二代 3nm GAA 工艺量产 Exynos 2500。目前，这家韩国巨头是唯一一家在其移动芯片组中应用 Gate-All-Around 技术的代工厂，这可能使其在与台湾半导体竞争对手的第二代"N3E"节点的竞争中占据上风。该报告提到，Exynos 2500 将比 骁龙8 Gen 4 表现出更高的能效属性，但应该指出的是，这些说法是一位线人之前提出的。三星的 3nm GAA 工艺据说可以减少能量泄漏并提高电流驱动力。该公司声称，其第二代技术将把功耗降低 50%，性能提高 30%，面积缩小 35%。据悉，第一代 3 纳米 GAA 节点与三星的 5 纳米工艺相比有一系列改进，功耗降低了 45%，性能提高了 23%，面积缩小了 16%。对 Exynos 2500 的测试传闻称，后者已经在 CPU 和 GPU 测试中击败了高通公司的骁龙8 Gen 3，因此假设这一消息属实，那么三星的手机处理器芯片有了一个非常好的开始。不过，我们不应该在第一批基准测试结果出来之前就匆忙下结论，因此，尽管三星努力提升工艺与台积电保持竞争的做法值得称赞，但毕竟它已经让我们失望了很多次，而且是以相同的形式。相关文章:分析师称三星 Exynos 2500 性能有望超越骁龙8 Gen 4 ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产

三星晶圆代工厂最新消息：2nm工艺6月亮相 第二代SF3 3nm今年投产 SF2 将于六月亮相三星计划在 6 月 19 日举行的 2024 年超大规模集成电路研讨会（VLSI Symposium 2024）上披露其 SF2 制造技术的关键细节。这将是该公司基于全栅极（GAA）多桥沟道场效应晶体管（MBCFET）的第二个主要工艺节点。与前代产品相比，SF2 将采用"独特的外延和集成工艺"，这将使该工艺节点比基于 FinFET 的传统节点具有更高的性能和更低的漏电率（尽管三星并未透露与之比较的具体节点）。三星表示，SF2 使 N 型和 P 型窄晶体管的性能分别提高了 29% 和 46% ，使宽晶体管的性能分别提高了 11% 和 23%。此外，与 FinFET 技术相比，它还将晶体管的全局变化减少了 26%，并将产品漏电率降低了约 50%。该工艺还通过加强与客户的设计技术合作优化 (DTCO) 为未来的技术进步奠定了基础。在 SF2 的背景下，三星没有提到的一点是背面电源传输，因此至少目前没有迹象表明三星将在 SF2 上采用这种下一代电源路由功能。三星表示，SF2 的设计基础架构（PDK、EDA 工具和授权 IP）将于 2024 年第二季度完成。一旦完成，三星的芯片开发合作伙伴就可以开始为这一生产节点设计产品。同时，三星已经开始与 Arm 合作，针对 SF2 工艺共同优化 Arm 的 Cortex 内核。SF3：2024 年下半年有望实现作为首家推出基于 GAAFET 节点的工厂，三星一直处于芯片制造的最前沿。但与此同时，这也意味着他们是第一个遇到并解决如此重大的晶体管设计变更所带来的不可避免的磨合问题的工厂。因此，虽然三星的第一代 SF3E 工艺技术已经投产不到两年时间，但迄今为止公开披露的采用该工艺制造的芯片都是相对较小的加密货币挖矿芯片这正是在新工艺节点上表现出色的流水线部件。有了这些经验，三星正准备利用 GAAFET 制作更大更好的芯片。作为其财报公告的一部分，该公司已确认其去年推出的更新 SF3 节点仍将按计划于 2024 年下半年投入生产。SF3 从一开始就是一个更加成熟的产品，准备用于制造更大的处理器，包括数据中心产品。与它的前身 SF4 相比，SF3 承诺在相同功耗和晶体管数量下性能提升 22%，或在相同频率和复杂度下功耗降低 34%，逻辑面积减少 21%。总体而言，三星对这项技术寄予厚望，因为这一代 3nm 级技术有望与台积电的 N3B 和 N3E 节点相抗衡。SF4：准备进行 3D 堆叠最后，三星还在准备将其最终 FinFET 技术节点 SF4 的一个变体用于 3D 芯片堆叠。随着晶体管密度的提高不断放缓，三维芯片堆叠已成为不断提高整体芯片性能的一种方法，尤其是在现代多层处理器设计中。有关该节点的详细信息还很有限，但三星似乎正在做出一些改变，以考虑/优化在三维堆叠设计中使用 SF4 芯片的情况，在这种设计中，芯片需要能够上下层通信。根据该公司的第一季度财务报告，三星预计将在本季度（第二季度）完成堆叠芯片 SF4 变体的准备工作。 ... PC版： 手机版：

消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品

消息称三星代工厂正在为高通公司生产2纳米原型产品 智能手机芯片组行业观察人士认为，三星 3 纳米 GAA 工艺由于据称的良品率问题，没有达到客户的预期。而台积电似乎在这一领域取得了胜利。有报道称，下一代 3 纳米节点的生产目标已确定为"到 2024 年底每月生产 10 万片晶圆"。Sedaily的一篇文章认为，该公司的尖端制造技术已经引起了知名厂商的兴趣："三星电子正在利用这些优势赢得 2 纳米项目的订单，赢得了日本最大的人工智能公司 Preferred Networks（PFN）生产 2 纳米人工智能加速器的订单，从而迈出了第一步。全球最大的系统半导体设计公司高通公司也已与三星电子设计高性能芯片的系统 LSI 部门就生产 2 纳米原型进行了讨论。"2023 年 12 月的新闻报道称，三星领导层正在为考虑 2 纳米晶圆的代工价格提供折扣，以保持与对手的竞争力。高通公司有可能正在评估2纳米SF2 GAAFET工艺，以用于未来的骁龙8"Gen 5"芯片组，而三星LSI可能正在开发2纳米"Exynos 2600"SoC设计。KB Securities 研究员 Kim Dong-won 提供了一些专家分析："由于开工率下降，三星代工业务自去年（2023 年）下半年以来一直表现不佳......最近包括 2 纳米在内的先进工艺订单增加，为三星代工业务的扭亏为盈提供了机会，使其未来能够与台积电展开对等竞争。" ... PC版： 手机版：

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单

三星晶圆代工厂正采取积极措施 希望赢得NVIDIA下一代GPU的3nm订单 三星晶圆代工厂意识到台积电的领先地位，并希望重新赢得NVIDIA这个大客户。为此，他们正竭尽全力确保其采用GAA（Gate-All-Around）架构的 3 纳米工艺节点能够胜任任务，满足NVIDIA的要求。为此，三星在内部实施了一项代号为"Nemo"的战略，意指NVIDIA，每个部门都在努力确保能从芯片制造商那里获得订单。NVIDIA上一次利用三星的代工厂（8 纳米）生产 GeForce RTX 30"Ampere"GPU是专为游戏（客户端）市场设计的，Ampere 的后续产品 Ada Lovelace"GeForce RTX 40"则转向台积电（5 纳米工艺）。到目前为止，三星代工厂预计在 2024 年上半年实现 3 纳米 GAA 工艺的量产。GAA 技术将消除旧式 FinFET 工艺的一些主要瓶颈，但该工艺是否足以赢得NVIDIA的青睐还有待观察。最近有报道称，该公司未能通过NVIDIA的 HBM3E 内存认证程序，这可能会导致业务出现重大挫折，但三星正在确保能够完善其 HBM 内存，并已计划开发下一代 HBM4 架构，预计将于 2025-2026 年间亮相。NVIDIA未来的芯片业务是否会重新选择三星，我们只需拭目以待。在全面转向三星代工之前，我们很可能会看到一些半定制产品。鉴于NVIDIA GPU 的需求量，这家芯片制造商很可能会从所有能拿到手的半导体工厂双源采购芯片，就像过去双源采购 HBM 和封装材料一样。 ... PC版： 手机版：

三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点

三星最先进的2nm半导体工艺可能只是改名后的第二代3nm节点 据报道，一位来自无晶圆厂半导体行业的不愿透露姓名的官员向 ZDNet 透露，公司更名已经确定，同时还提到合同是最近才写好的。"我们已接到三星电子的通知，他们将把第二代 3 纳米技术更名为 2 纳米技术。去年，三星电子晶圆代工厂签订的第二代 3 纳米技术合同也更名为 2 纳米技术，最近合同又被改写了。"三星最近还为一家名为 Preferred Networks (PFN)的日本初创公司完成了一份 2 纳米订单。虽然人们认为这家韩国巨头在 2nm 工艺竞赛中领先于台积电，但最新的报道称，已完成的订单实际上是该制造商第二代 3nm 晶圆所制造的，目前尚不清楚 PFN 是否知道这一更名。高通公司最近还要求三星和台积电提供其 2nm 样品，很可能是用于即将推出的骁龙 8 Gen 5，但芯片组制造商有可能正在评估 3nm SoC，而不是 2nm SoC。这位业内官员还表示，之所以更改名称，是因为通过优化缩小了晶体管尺寸。虽然他说三星可能是出于营销策略的转变而选择了这一改变，但技术的实际效果才是真正的关键。 ... PC版： 手机版：

消息称三星Galaxy Watch 7将成为3nm工艺节点的首次运用

消息称三星Galaxy Watch 7将成为3nm工艺节点的首次运用 三星打算明年生产 3 纳米芯片早已不是秘密，该公司还表示计划在 2025 年推出基于 2 纳米工艺的芯片，在 2027 年升级到基于 1.4 纳米工艺的芯片。用于 Galaxy S24 的自家 Exynos 2400 芯片不会采用这些工艺。相反使用的是 4 纳米工艺。不过，下一代 Exynos 2500将采用 3 纳米工艺制造，以获得更好的性能。Galaxy Watch 7 是首款采用 3 纳米芯片 Exynos W1000 的产品。据称，该公司计划在今年下半年开始生产这种芯片。与之前的说法相反，三星把 3nm SoC 称为 Exynos W1000，而不是 Exynos W940，这在意料之中，因为该公司把 Galaxy Watch 6 的处理器命名为 W930。报道进一步指出，三星将使用其第二代 3nm 工艺节点，这是迄今为止半导体行业最先进的技术。台积电是唯一一家使用相同工艺生产芯片的制造商，其生产的芯片帮助了苹果在竞争中保持领先。Exynos W1000 预计将把可穿戴设备的性能提高 20%，并大大提高能效。此外，与 Watch 6 相比，Watch 7 的存储空间将增加一倍，达到 32GB。这款可穿戴设备将配备增强的人工智能功能、更大的电池以及三星健康的先进功能。预计高级处理器仅限提供给 Pro 版本。无论将处理器扩展到哪款机型，更先进的处理器都将帮助 Galaxy Watch 7 与今年晚些时候发布的 Apple Watch Series 9 和 Series 10 展开竞争。 ... PC版： 手机版：