SK海力士宣布下一代HBM计划

SK海力士宣布下一代HBM计划 在最近一次负责HBM芯片的新任高管圆桌讨论中，SK海力士副总裁与营销负责人金基泰表示：“纵观当前的市场形势，大型科技客户正在加快新产品的发布时间，以确保在AI领域领先。因此，我们也在提前讨论今年和明年的计划，以确保及时供应下一代HBM产品。” SK海力士是三星电子全球第二大存储器芯片制造商，但却是HBM的主要供应商，HBM是一种对生成式AI设备至关重要的高性能堆栈式DRAM芯片。该公司是首家于2013年开发第一代HBM芯片的内存供应商，并在随后几年推出了后续产品HBM2、HBM2E 以及最新的第四代 HBM3 芯片。2023年 4 月，SK 开发出全球首款12层HBM3 DRAM 产品， 内存容量为 24 千兆字节 (GB)，为业内最大。2023年 8 月，该公司推出了业界性能最佳的第五代 HBM DRAM HBM3E，用于 AI 应用， 并向其客户 NVIDIA Corp. 提供了样品以进行性能评估。今年 3 月，SK 海力士开始大批量生产 HBM3E 芯片，这是业界推出的另一个公司，同时表示将把第六代 HBM4 芯片的量产提前到 2025 年。大容量 NAND 受到业界关注SK 海力士副总裁兼 HBM 工艺集成（PI）负责人 Kwon Un-oh 表示：“通过先发制人地确保技术和量产专业知识，我们已经能够建立起稳固的竞争力。”先进封装开发部副总裁兼负责人Son Ho-young敦促公司为更好的存储器和系统芯片的融合。SK海力士表示，受AI学习和推理高端芯片需求不断增长的推动，预计今年全球DRAM市场规模将达到65%，达到117万亿韩元（850亿美元）。本月初，首席执行官Kwak Noh-jung在新闻发布会上表示，其HBM芯片产能几乎已被预订满到明年。SK海力士NAND先进工艺集成副总裁Oh Hae-soon表示，NAND闪存是AI时代的另一个前景光明的部分她表示：“随着对大规模AI服务器的需求不断增长，eSSD等NAND解决方案开始受到业界关注。”新兴存储芯片SK海力士革命技术中心 (RTC)副总裁Yi Jae-yun表示，公司还在密切关注新兴存储芯片，如仅选择器存储器 (SOM)、自旋存储器和突触存储器，这些芯片具有超高速、高容量和较低的价格，以及磁性 RAM (MRAM)、电阻式 RAM (RRAM) 和相变存储器 (PCM) 芯片。分析师表示，在存储芯片制造商中，SK海力士是AI应用爆炸式增长的最大受益者，因为它是NVIDIA Corp.的最大AI芯片供应商，而NVIDIA控制着80%的AI芯片市场。SK集团董事长崔泰源最近在接受日本媒体日经新闻采访时表示，如果SK海力士看到AI芯片融资需求，该公司正在考虑在韩国或美国建立HBM工厂的可能性。 ... PC版： 手机版：

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资

SK海力士计划在韩国增加20万亿韩元人工智能芯片投资 SK海力士计划追加投资20万亿韩元，扩大该公司在韩国的半导体产能，以满足日益增长的人工智能芯片需求。这家韩国内存芯片生产商周三表示，将斥资超过20万亿韩元扩建其位于首尔西南部清州的DRAM芯片工厂。SK海力士称，根据这项新的长期支出计划，到2025年11月，该公司将首先完成投资5.3万亿韩元的清州芯片制造设施的建设。该公司表示，这项工厂扩建的目的是提高高带宽内存和其他先进人工智能芯片的产量。

SK海力士2025年HBM产品基本售罄

SK海力士2025年HBM产品基本售罄 SK 海力士公司计划在今年第三季度开始量产其下一代内存芯片，以期利用对人工智能发展至关重要的半导体需求激增的机会。这家韩国公司在一份声明中表示，其 2025 年高带宽存储器 (HBM) 产能几乎已被全部预订。海力士上个月表示，计划斥资约 146 亿美元在韩国构建新的存储芯片产能。

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性

SK海力士正研究在日本、美国生产HBM的可能性 崔泰源表示，鉴于在韩国境外生产HBM需要额外投资，公司正在“调查在日本和美国等其他国家生产产品的可能性”。在为新的芯片生产基地选址时，崔泰源强调清洁能源采购是满足客户对整个供应链去碳化需求的最重要因素。SK海力士于2013年成为全球首家开发出HBM芯片的公司，目前在该领域保持着领军地位。今年5月早些时候，SK海力士CEO郭鲁正在新闻发布会上表示，到2025年为止，该公司的HBM芯片产能几乎已被预订一空。崔泰源会长表示，作为全球第二大存储器芯片制造商，其目标是加强与日本芯片制造设备制造商和芯片材料供应商的联系，以生产最先进的芯片。为此，该公司将考虑增加在日本的投资，并在日本开设一个新的研发基地。SK海力士还在考虑投资其在邻国的关联公司，其中可能包括日本存储制造商铠侠。SK海力士通过一家投资公司持有铠侠34%的股份。两家公司已经开始技术合作。“作为投资者，我们希望铠侠能够发展壮大。我们将探索进一步合作的新机遇。”崔泰源说。在韩国，SK海力士已拨出总计20万亿韩元（约合146亿美元）的专款，在忠清北道一处原本用于建设NAND闪存工厂的场地上新建一座存储芯片制造厂，以提高HBM的产量。崔泰源补充说，虽然中美紧张局势增加了地缘政治风险，但SK海力士在中国设有半导体工厂，并计划在可预见的未来继续保持在中国的业务。 ... PC版： 手机版：

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山”

四年十倍 HBM市场有望继续爆炸式增长 SK海力士占据“半壁江山” 据了解，HBM存储系统自2023年以来因AI芯片需求而呈现爆炸式增长。SK海力士和美光()一样，均已成为英伟达()新款 AI GPU的HBM存储系统供应商，提供的产品均为最新款的“HBM3E”。高盛日前发布研报称，由于更强的生成式人工智能(Gen AI)需求推动了更高的AI服务器出货量和每个GPU中更高的HBM密度，该行大幅提高了HBM总市场规模预估，现在预计市场规模将从2022年到2026年前增长10倍(4年复合年增长率77%)，从2022年的23亿美元增长至2026年的230亿美元。高盛认为，HBM市场供不应求的情况未来几年将持续，SK海力士、三星和美光等主要玩家将持续受益。与同行的解决方案相比，海力士生产力和产量更佳。高盛预计，海力士在未来2-3年将保持其50%以上的市场份额。高盛继续认为，三星是全球唯一有能力提供一站式HBM服务的公司，这可能会在长期内帮助其保有市场份额。高盛认为，随着行业需求日益转向HBM3E，美光将受益。高盛预期美光可能从2025年开始超越同行，但能否获得显著市场份额将取决于如何快速扩大其相对较小的HBM产能。高盛重申对海力士、三星和美光的买入评级。相关文章:SK海力士全球首家量产HBM3E内存 1秒处理超1TB数据SK海力士计划在印第安纳州建造价值40亿美元的芯片封装厂 ... PC版： 手机版：

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM

SK 海力士希望与铠侠合作在日本生产 AI 用 HBM 韩国 SK海力士已与铠侠 (Kioxia) 提案，希望在日本生产下一代 HBM 内存，因为生成式 AI 的需求正在迅速增长，以英伟达为首的芯片制造商正在大量购买 HBM 内存。预计生产将在铠侠和美国西部数据 (WD) 合资的工厂进行。 铠侠正在根据半导体市场状况及其与西部数据的关系考虑下一步行动。 SK海力士有全球顶尖 HBM 市占率， 若能使用铠侠位于日本的现有工厂生产 HBM 的话，将能迅速增产；另一方面，铠侠、西部数据共同营运的日本工厂目前仅生产 NAND Flsah，而之后若能生产最先进 DRAM 的话，也有助于日本半导体产业复兴计划。 铠侠和西部数据均生产 NAND Flash 产品，双方曾计划合并，若合并完成规模将直指全球市占龙头三星电子。不过因间接对铠侠进行出资的 SK海力士反对，让合并谈判在去年秋天破裂。