抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？

抛三星、买海力士 市场认定了HBM赢家？ SK海力士在外资净买入排名中上升同样引人注目，1月份时位居第三，2月份跃升至第二，本月超越现代成为最受青睐的股票。截至3月8日，SK海力士净买入额达到4900亿韩元，本月股价涨超10%，达到了171900韩元/股的新高。而三星则与SK海力士的强劲表现形成鲜明对比，本月股价略微下跌了0.14%，年内跌近7%。外资大幅抛售三星电子，1月份三星曾是最受外资欢迎的股票，到了2月份却跌至第七位，而在本月成为被外资抛售最多的股票之一。分析指出，由于英伟达业绩强劲，增加了对高带宽存储芯片（HBM）需求的预期，不少投资者转向在HBM市场拥有较大份额的SK海力士，去年其在HBM市场的份额达到54%。高盛研究员Kim Sun-woo指出：SK海力士在HBM市场的领先地位令其在AI发展趋势中受益，目前它与三星在下一代HBM技术上的差距正在扩大，这可能会进一步推动对SK海力士的需求。在HBM芯片领域，竞争已经达到了前所未有的高度。SK海力士仅今年就先进封装技术上已投资1.3万亿韩元，以提升其生产高端芯片的能力。今年它是Nvidia H100处理器的唯一HBM3芯片供应商，与英伟达签订HBM3E（H200的重要组成部分）优先供应协议。三星也在全速迎头赶上，该公司最近宣布已开发出36GB HBM3E 12H DRAM，是业内容量最大的HBM，凭借12层堆叠技术，其性能和容量可大幅提升50%以上。三星希望在今年上半年开始量产。美光也后来者居上，宣布开始量产HBM3E内存，将用于英伟达H200 AI芯片，对SK海力士和三星电子构成了挑战。 ... PC版： 手机版：

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额

三星、SK 海力士加强 DRAM 先进工艺份额 在去年内存半导体低迷之后，三星电子和 SK 海力士通过扩展先进处理技术，积极加大对 DRAM 的关注，因为在强劲的人工智能需求的推动下，HBM 和 DDR5 的订单预计会增加，两家公司当前的产能利用率正在持续上升。三星电子和 SK 海力士正在考虑增加其半导体晶圆工厂的投入，为了加快向 10nm 第四代 (1a) 和第五代 (1b) 节点的过渡，以生产 HBM、DDR5 和 LPDDR5 等高价值产品。但另一方面，由于 NAND Flash 存储芯片市场持续低迷，两家公司预计将继续维持当前的减产计划，在今年减少投资和扩张计划。

把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望

把SK海力士拉下马 这是三星和美光的愿望 数据显示，这家全球第二大内存制造商的销售额在一季度增长了144%，达到 12.4 万亿韩元（约合 90 亿美元），远远超出预期。营业利润为 2.89 万亿韩元（去年的亏损为 2.6 万亿韩元），远超预期的 1.8 万亿韩元利润。这也是该公司有史以来第二高的第一季度营业利润。毫无疑问，HBM是SK海力士这波崛起的重要原因。SK海力士首席财务官 Kim Woohyun 也直言：“凭借 HBM 引领的 AI 内存领域业界最顶尖的技术，我们已经进入明显的复苏阶段。”但是，三星和美光却虎视眈眈。绝对王者关于HBM沿革，在半导体行业观察之前的文章《HBM的逆袭好戏》中，已经有了很详细的描述，在本文我们就不再赘言。然而，我们需要重申一下SK海力士在HBM市场的绝对影响力，以及他们的HBM带给市场的影响。据市场研究公司 TrendForce 称，SK 海力士去年以 53% 的市场份额领先 HBM 市场，其次是三星电子 (38%) 和美光 (9%)。最近，关于HBM有很多消息，但SK 海力士 HBM 设计主管 Park Myeong-Jae 在最近一篇博客中表示：“SK 海力士被公认为 HBM 市场无可争议的领导者。”他进一步指出，SK Hynix 于 2009 年开始开发 HBM 芯片。该公司预计高性能内存芯片的需求将会增加，并花了四年时间开发 HBM，专注于硅通孔 (TSV) 技术。该公司于 2013 年 12 月推出了首款 HBM 芯片。然而，SK海力士要在 HBM 上大显身手还有很长的一段路要走。因为在2010年代，计算机市场还没有成熟到可以接受当下“超出需要”的高速度、高容量的HBM产品。因此，SK海力士在第二代产品HBM2开发中遇到困难时，有许多人对HBM业务的前景表示担忧。Park Myeong-Jae 副社长将该时期描述为“在危机中发现机遇的时期”。于是，从HBM2E开始，SK海力士便以远超外界期待值为目标，并加强了团队协作。研发HBM需要将各种复杂技术巧妙结合，因此与相关团队合作解决挑战、创造协同效应尤为关键。得益于此，SK海力士取得了显著技术进步。也在MR-MUF、HKMG和 Low-K IMD 等主要基础技术上打下了基础。最终，凭借HBM3压倒性的性能与特性，SK海力士赢得了较高的市场份额。截止到现在，SK Hynix 是三家公司中第一家通过 NVIDIA 认证测试并成为主要供应商的公司。业内估计，SK Hynix 的 HBM3E 良率已经稳定，据报道其营业利润率是 DRAM（动态随机存取存储器）的两倍。Park Myeong-Jae介绍说：“SK海力士的HBM产品具备业界最佳的速度和性能。尤其是公司独有的MR-MUF技术，为高性能提供了最稳定的散热，为造就全球顶尖性能提供了保障。此外，SK海力士拥有快速量产优质产品的能力，对客户需求的响应速度也是首屈一指的。这些竞争优势的结合使HBM3E脱颖而出，跻身行业前列。”正因为如此，SK海力士的HBM受到了客户的高度欢迎。据外媒报道，SK 海力士目前为亚马逊、AMD、Facebook、Google (Broadcom)、英特尔、微软以及 NVIDIA 等客户生产各种类型的 HBM 内存。而由于芯片供应商希望确保对其成功至关重要的内存堆栈的供应，因此几个月前就已下达的 HBM 内存订单现在已经积压到 2025 年。与此同时，美光和三星正在紧追慢赶，美光在近日更是表示，预计明年将占据 HBM 市场的 20% 以上，这比目前的 9% 大幅提升。不甘人后作为HBM的后进者，美光科技和三星不甘人后。首先看美光，作为HBM三强中的最后一名，他们采取了大胆的战略举措，跳过第四代高带宽内存 (HBM) HBM3，直接进入第五代 HBM (HBM3E)，旨在占据下一代 HBM 市场的很大份额。这一决定已经开始见效，美光获得了 NVIDIA 的订单，并开始增加供应量，最终于去年年底向 NVIDIA 全面供应 HBM3E。美光总裁兼首席执行官 Sanjay Mehrotra在日前的财报会议上表示表示：“强劲的 AI 需求和强大的执行力使美光第三财季收入环比增长 17%，超出了公司的预期范围。美光在高带宽内存 (HBM) 等高利润产品的份额不断扩大。”“美光在第二财季开始出货 HBM3E 内存，并在第三财季从这些产品中获得了超过 1 亿美元的销售额。” Mehrotra说。他进一步指出，这些产品是盈利的。美光预计，在 2024 财年（仅剩一个季度），公司的HBM 内存将带来数亿美元的收入，在 2025 财年（从 2024 年 9 月开始，一直到 2025 年 8 月）将带来数十亿美元的收入。美光 2024 年和 2025 年的 HBM 供应已经售罄，2024 年全年和 2025 年大部分时间的定价已经确定。从长远来看，美光预计其在 HBM 市场的份额将在 2025 年左右与其在整个 DRAM 市场的份额大致相同。有趣的是，美光正在对其 12 高 HBM3E 堆栈进行送样，并将于 2025 年投入量产，并且它还计划在未来产品中采用 HBM 4 和 HBM4E。在HBM上备受打击的三星也重整旗鼓。如文章开头所说，尽管三星是业内最大的内存芯片制造商，但在 HBM 领域，它远远落后于全球第二大内存制造商 SK 海力士。据韩媒五月底的报道，SK海力士一直是英伟达公司 HBM 芯片的最大供应商，英伟达控制着人工智能计算任务核心图形处理单元 (GPU) 市场 80% 以上的份额。目前，这家韩国芯片制造商是英伟达第四代 HBM3 芯片的唯一供应商。在HBM等芯片的落后，促使三星在五月撤换了半导体领导人。拥有丰富经验的Jun Young-hyun临危受命，承担存储巨头研发和向英伟达出售HBM芯片的重任。但随后，有关三星HBM没能经过英伟达验证、三星HBM良率过低等新闻见诸报端。在六月底，有媒体报道称，英伟达要求三星更改其高带宽内存（HBM）的设计，这将导致供货进一步延迟。上述种种信息，三星都否认了。不过由此我们可以看到这家存储巨头在HBM上的挣扎。综上所述，SK海力士在HBM方面似乎短期无忧。但在扩大HBM3E产能方面，他们面临挑战。一位知情人士表示：“NVIDIA正在向SK海力士施压，要求其增加供应量，但随着HBM3E和上一代HBM3的投产，可用产能已接近饱和。”现代汽车证券研究员朴俊英也表示，“如果没有SK海力士以外的另外两家公司的帮助，NVIDIA将无法满足其HBM需求。”朴俊英预测，“HBM短缺的情况将持续到今年第四季度，如果这三家公司的CAPA不被纳入全球HBM CAPA，短缺可能会延续到2025年上半年。”为此，美光和三星迎难而上，SK海力士也以攻为守。硝烟再起作为领先者，SK海力士当然不愿意坐以待毙，这首先体现在公司在保证产能供给上做得努力。在日前，SK海力士宣布，根据投资计划，SK海力士到2028年将拨款103万亿韩元，其中80%（82万亿韩元）投向HBM等AI相关业务领域，以维持公司HBM的地位。在更早的四月，SK海力士曾表示，将斥资20万亿韩元（146亿美元）在忠清北道建设生产动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的M15X晶圆厂，以满足AI芯片热潮中不断增长的需求，巩固其在高性能存储芯片领域的地位。SK集团董事长崔泰源在六月中接受日本《日本经济新闻》采访时表示，该公司正在调查在日本和美国等国家生产高带宽存储器（HBM）的可能性。“除了增加国内生产（HBM），如果需要额外投资，我们还在不断调查是否可以在日本和美国等其他国家生产。”崔泰源表示。至于美光，据日经新闻援引消息人士报道，内存巨头美光科技正在美国建设一条先进高带宽内存（HBM）的试验生产线，并考虑首次在马来西亚生产HBM，以满足AI热潮带来的更多需求。报道称，美光公司正在美国爱达荷州博伊西市总部扩建HBM相关研发设施，包括生产和验证线。此外，美光公司还考虑在马来西亚建立HBM生产能力，目前该公司已经在马来西亚设有芯片测试和组装工厂。此前，美光最大的 HBM 生产工厂位于台湾台中，扩建工作也在进行中。而业内消息显示，美光预计将在新... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。