三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行

三星、SK海力士将停止供货 DDR3 带动市场价格上行 业界传出，全球前二大 DRAM 供货商韩国三星和 SK海力士正全力冲刺高带宽内存 (HBM) 与主流 DDR5 规格内存，下半年起将停止供应 DDR3 利基型 DRAM，引起市场抢货潮，导致近期 DDR3 价格飙涨，最高涨幅达20%，且下半年报价还将进一步上涨。业内传出，为了应对高频宽内存和 DDR5 的发展策略，三星已通知客户将于第二季度末停止生产 DDR3；而 SK海力士则在去年底就已将位于中国大陆无锡的工厂转向 DDR4 制程，意味着不再供应 DDR3；同时，美光为扩大 DDR5 和高频宽内存产能，也大幅减少了 DDR3 的供应量。

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

SK海力士在服务器DRAM市场击败三星，占据了近一半的市场份额

SK海力士在服务器DRAM市场击败三星，占据了近一半的市场份额 很长时间里，三星 一直是 DRAM 市场的领导者。不过最新的统计数据显示 SK海力士 在2023年第三季度占据了49.6%的服务器DRAM市场份额，销售额达到了18.5亿美元，稳稳地高居榜首；三星排名第二，市场份额为35.2%，销售额为13.13亿美元，与SK海力士之间已经拉开了差距；美光 排在了第三，市场份额为15%，销售额为5.6亿美元。 服务器内存产品约占整个DRAM市场35%至40%的销售额。

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼

三星、SK 海力士、美光 被指合谋垄断 DRAM 市场，美法院驳回集体诉讼 美国第九巡回上诉法院日前驳回了律所 Hagens Berman 发起的集体诉讼，该所诉称三星电子、SK 海力士、美光等 DRAM 头部企业在 2016-2018 年期间合谋抬高市场价格，损害消费者利益。

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍

三星、SK海力士和美光齐发力 HBM产量明年有望翻倍 目前，SK海力士和美光仍然是HBM的主要供应商，两者都采用1beta纳米工艺，并已向NVIDIA发货。三星采用1alpha nm工艺，预计将在第二季度完成认证，并在年中开始交付。三星正在逐步升级其韩国平泽工厂（P1L、P2L、P3L），用于生产DDR5和HBM，另外华城工厂（Line 13/15/17）正在升级1α工艺，只保留了一小部分1y/1z工艺的产能，满足航空航天等特殊产业的需求。SK海力士在韩国利川的M16生产线生产HBM，并将M14生产线升级为1α/1β工艺，用于用于生产DDR5和HBM，同时还打算将中国无锡工厂的DDR4/5生产线升级至1z/1α工艺。美光则正在扩张日本广岛工厂的生产线，预计今年第四季度产能提升至2.5万个单位，长远来说会安装EUV光刻机，升级为1γ/1δ工艺，并建立一个新的洁净室，另外还会升级中国台湾新北和台中的生产线，增加1β工艺的比例。 ... PC版： 手机版：