三星正在为高通制造 2nm 芯片原型

三星正在为高通制造 2nm 芯片原型 三星晶圆制造（Samsung Foundry）正在开发一种非常先进的 SF2 GAAFET 工艺。 其周二的新闻稿介绍称，三星已与 ARM 建立开发合作伙伴关系：“提供基于三星晶圆制造最新的全环绕栅极(GAA) 2nm 工艺技术开发的优化的下一代 ARM Cortex-X CPU。” 三星电子已经赢得了日本最大 AI 公司 PFN 生产 2nm 的 AI 加速芯片的订单。高通也已与设计高性能芯片的三星电子系统 LSI 部门讨论生产 2nm 原型。高通可能正在评估在骁龙 8 Gen 5 芯片组的制造中使用 2nm SF2 GAAFET 工艺，而三星 LSI 可能正在开发 2nm 的 Exynos 2600 SoC 设计。 ,,

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产

三星宣布与新思科技合作优化2nm芯片 明年量产 按照计划，三星在明年量产2nm芯片，据了解，三星2nm优化了多桥-通道场效应晶体管（MBCFET）架构，还引入了独特的外延和集成工艺，与现有的FinFET相比，新工艺显著提升了晶体管性能，幅度高达11%至46%，同时可变性降低了26%，漏电现象减少了约50%。业内人士指出，苹果、英伟达、AMD、英特尔和高通一直都是先进工艺的预定者，在3nm制程争夺战中，三星由于良率问题，导致客户订单都向台积电倾斜。因此，2nm制程对三星来说至关重要，如果三星在2nm工艺上做出成绩，想必会得到客户的青睐。之前高通曾表示，正在考虑三星、台积电双代工模式，因此，不排除骁龙8 Gen5交给三星代工的可能。 ... PC版： 手机版：

Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试

Exynos原型据称正在三星最先进的2nm工艺上测试 根据之前的估计，3 纳米 GAA 工艺的良品率尚未超过 60%，要想真正让客户感兴趣，三星至少需要将这一数字提高到 70%。现在，据 Sedaily 报道，三星正在向 2 纳米工艺大步迈进，讨论的主题是为高通公司和三星的 LSI 部门生产原型产品。这是该公司首次被提及正在为其芯片组开发 2 纳米原型，这表明一款未命名的 Exynos 可能正处于早期测试阶段。此前有消息称，三星正在开发配备 10 核 CPU 集群的Exynos 2500，该芯片组将直接接替 Exynos 2400，但不太可能使用 2nm 工艺进行量产，因为这种光刻技术预计要到 2026 年才会投入使用。此前也有报道称，高通公司已要求三星和台积电提供 2nm 样品，但这项技术可能会用于骁龙 8 Gen 5，而不是即将推出的骁龙 8 Gen 4。就进展而言，三星已经在 2nm 工艺竞赛中赢得了与台积电的竞争优势，据说它获得了第一个客户一家名为 Preferred Networks (PFN) 的日本初创公司。这家韩国代工厂是否能保持健康的收益率是另一个争论的焦点，但它有可能通过提供有吸引力的折扣来安抚其第一位客户，因为据说这是该公司之前为争取更多未来客户而探索的一种策略。据透露，一款未命名的 Exynos 芯片可能正处于测试阶段，这表明三星并不打算在未来的旗舰智能手机中完全采用骁龙芯片组，这是经过深思熟虑的，因为高通公司对其高端 SoC 的定价已经到了难以承受的地步。凭借新一代 2nm 工艺，三星可能最终会扭转颓势，让我们拭目以待它如何保持这些良品率。 ... PC版： 手机版：

骁龙8 Gen4由台积电代工 业者认为不会再现火龙888问题

骁龙8 Gen4由台积电代工 业者认为不会再现火龙888问题 由于当时苹果吃掉了台积电的大部分5nm产能，高通只能退而求其次选择三星作为代工厂。而作为首批使用三星5nm工艺的芯片，骁龙888的发热被指与三星5nm工艺问题有关。据数码博主测评，在相同条件的游戏体验后，麒麟9000和苹果A14两款台积电5nm芯片的平均芯片功耗为2.9W和2.4W，而采用三星5nm技术的骁龙888为4.0W。从晶体管密度上来说，台积电的5nm工艺能达到1.73亿颗晶体管，三星的工艺更为落后，5nm工艺仅达到1.27亿颗晶体管。因三星工艺问题，从骁龙8+ Gen1开始，高通转投台积电怀抱，骁龙8+ Gen1、骁龙8 Gen2、骁龙8 Gen3等旗舰平台都选择台积电代工，其市场表现良好。即将在今年10月份亮相的骁龙8 Gen4也会选择台积电代工，而且首次使用台积电3nm工艺制程。据爆料，高通骁龙8 Gen4使用的是台积电最新一代3nm制程N3E，N3E修复了N3B上的各种缺陷，设计指标也有所放宽，对比N5同等功耗，性能提升15-20％、同等性能功耗降低30-35％，逻辑密度约1.6倍、芯片密度约1.3倍，表现值得期待。 ... PC版： 手机版：

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片

三星正在为 Galaxy S26 系列开发 2nm 芯片 三星电子已经开始开发2纳米 (nm) 移动应用处理器 (AP)。2nm 是全球尚未实现商业化的最先进半导体技术。据业内人士5月22日透露，三星电子近期启动了 2nm AP开发项目。 这是一个名为“Thetis” (开发代号) 的开发项目，计划以自己的品牌 Exynos AP 发布。预计将于2025年下半年量产，并搭载于2026年发布的三星电子智能手机“Galaxy S26”。三星电子去年宣布将从2025年开始量产移动设备的2nm工艺。

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺

三星宣布3nm芯片成功流片 采用GAA工艺 三星称，与传统3nm芯片相比，自家3nm GAA设计的产品功率损耗可降低50%，性能也将得到改善，与之前的4nm FinFET工艺相比，能效和密度有着20%至30%的提升。按照计划，三星接下来会大规模生产下一代Soc，这颗芯片应该是传闻中的Exynos 2500，Galaxy S25系列将会首发搭载，其性能对标高通骁龙8 Gen4以及联发科天玑9400，后两款芯片则是采用台积电3nm工艺。除了旗舰手机，三星自家的Galaxy Watch 7系列智能手表也有可能会搭载3nm芯片。 ... PC版： 手机版：