随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺

随着制造商将重点转向HBM生产 DRAM内存供应将出现短缺 考虑到就在几个月前，各公司还面临着大范围的库存修正问题，以及消费者需求的减少，DRAM 市场现在的状况既令人感到幸运，又令人感到震惊。由于人工智能的炒作迫使三星和 SK hynix 等制造商将重点放在企业存储和 HBM 生产上，从而将 DRAM 置于次要位置，通用 DRAM 存储芯片在市场上可能会出现短缺。市场上 DRAM 的产能利用率已降至历史最低点，主要原因是企业更专注于满足对高带宽内存的大量需求。此外，在之前的市场情况下，各公司已经大幅缩减了 DRAM 的生产规模，因此需求的突然增加将给过去几个季度处于库存调整状态的公司带来更多的问题。鉴于通用 DRAM 内存芯片在个人电脑和移动领域发挥着巨大作用，该报告认为，随着市场采用率的提高，可能会出现大范围的短缺。虽然我们还不能确定是否即将涨价，但摩根士丹利之前的一份报告显示，由于人工智能炒作带来了巨大需求，企业决心在未来几个季度以两位数的百分比提高销售成本，因此内存商品的价格将会飙升。对于 SK hynix 和三星等公司来说，现在可能是挽回 DRAM 市场利润损失的最佳时机，但对于消费者来说，内存产品的成本可能会越来越高，因此，如果你看到便宜货，请马上抢购。 ... PC版： 手机版：

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10%

厂商对AI需求展望极具信心 明年HBM内存价格最高再涨10% 1、HBM买方对AI需求展望仍具高度信心，愿意接受价格续涨；2、HBM3e的TSV良率目前仅约40%-60%，因此买方愿意接受涨价以锁定质量稳定的货源；3、未来HBM每Gb单价可能因DRAM供应商的可靠度，以及供应能力产生价差，可能影响供应商获利。前不久SK海力士CEO曾表示，公司按量产计划2025年生产的HBM产品基本售罄，主要由于AI爆发对先进存储产品HBM的需求。不仅如此，此前SK海力士还宣布其2024年HBM的产能已被客户抢购一空。SK海力士认为，目前HBM和高容量DRAM模块等面向AI的存储器在2023年整个存储市场的占比约为5%，预计到2028年这一比例可以达到61%。 ... PC版： 手机版：

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产

美光领先于SK Hynix 和三星 启动HBM3E内存的生产 美光透露其正在大规模生产 24 GB 8-Hi HBM3E 设备，每个设备的数据传输速率为 9.2 GT/s，峰值内存带宽超过 1.2 TB/s。与 HBM3 相比，HBM3E 将数据传输速率和峰值内存带宽提高了 44%，这对于像 NVIDIA 的 H200 这样对带宽要求极高的处理器尤为重要。NVIDIA 的 H200 产品采用 Hopper 架构，计算性能与 H100 相同。同时，它配备了 141 GB HBM3E 内存，带宽达 4.8 TB/s，比 H100 的 80 GB HBM3 和 3.35 TB/s 带宽有了显著提升。美光使用其 1β（1-beta）工艺技术生产其 HBM3E，这对该公司来说是一项重大成就，因为该公司将其最新的生产节点用于数据中心级产品，这是对制造技术的一种考验。随着美光即将于 2024 年 3 月发布 36 GB 12-Hi HBM3E 产品，代表着公司的人工智能内存路线图得到了进一步巩固，与此同时这些设备接下来将用于何处还有待观察。领先于竞争对手 SK Hynix 和三星开始量产 HBM3E 内存是美光公司取得的一项重大成就，目前美光公司在 HBM 领域占据 10% 的市场份额。此举对该公司至关重要，因为它使美光能够比竞争对手更早推出高端产品，从而有可能增加收入和利润率，同时获得更大的市场份额。美光科技执行副总裁兼首席业务官 Sumit Sadana 表示："美光在 HBM3E 这一里程碑上实现了三连冠：领先的上市时间、同类最佳的行业性能以及与众不同的能效特性。人工智能工作负载在很大程度上依赖于内存带宽和容量，美光通过我们业界领先的 HBM3E 和 HBM4 路线图，以及我们面向人工智能应用的全套 DRAM 和 NAND 解决方案组合，在支持未来人工智能的大幅增长方面处于非常有利的位置。" ... PC版： 手机版：

三星和SK海力士推12层HBM3E内存

三星和SK海力士推12层HBM3E内存 3月19日消息，三星电子和 SK 海力士3月18日在人工智能芯片巨头英伟达年度开发者大会 (GTC) 上双双公开12层堆叠动态随机存取存储器 (DRAM) 芯片的第五代高带宽存储器 (HBM3E) “HBM3E 12H DRAM”实物。高带宽存储器是指利用先进封装方法垂直堆叠多个DRAM芯片，使数据处理速度取得飞跃性提升的高性能内存。

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版： 手机版：

DRAM 价格涨势停歇；HBM 需求将推升价涨？

DRAM 价格涨势停歇；HBM 需求将推升价涨？ DRAM 需求中，约50%来自 PC 和服务器、约35%来自智能手机。因PC、手机需求复苏仍需时间，使DRAM价格涨势停歇。 但AI所需的HBM需求急增，受到HBM产能排挤，其他DRAM产量就会减少，进而推升价格。