Intel第二代独显架构Battlemage“BMG-G21”崭露头角

Intel第二代独显架构Battlemage“BMG-G21”崭露头角 在最近的LLVM编译器补丁中，赫然已经可以看到“BMG-G21”，也就是Intel第二代独显架构Battlemage的高端大核心版本。较小的核心则是G10，但尚未出现。这足以证明，G21核心已经完成了硬件研发，正在系统和软件优化阶段。Intel二代独显预计要到今年晚些时候才会发布，大概率在双11之后，不过可能只有桌面版，不再做笔记本移动版。这下好了，NVIDIA、AMD、Intel三家的新显卡，Intel、AMD的新处理器，都会在年底蜂拥而至。另外，Intel今天发布了31.0.101.5518 Beta测试版显卡驱动，这次变化不大，没有鸡血提升。新版只是新增支持了两款游戏《对马岛之魂》、《家园3》，修复了《龙之信条》、《死亡空间》性能偏低的问题。 ... PC版： 手机版：

Hidet是一个强大的深度学习编译器，可简化在现代加速器（例如 NVIDIA GPU）上实现高性能深度学习运算符的过程。借助 P

Hidet是一个强大的深度学习编译器，可简化在现代加速器（例如 NVIDIA GPU）上实现高性能深度学习运算符的过程。借助 PyTorch 2.0 中的新功能torch.compile(...)，将新型编译器集成到 PyTorch 中比以往任何时候都更容易Hidet 现在可以用作torch.compile(...)加速 PyTorch 模型的后端，这对于想要提高其推理性能的 PyTorch 用户来说是一个有吸引力的选择模型，特别是对于那些还需要实施极其优化的自定义运算符的人。 | #编译器

ℹIntel Arc A380 独立显卡早期效能、游戏测试现身，驱动与优化问题再度浮现#

ℹIntel Arc A380 独立显卡早期效能、游戏测试现身，驱动与优化问题再度浮现# 上周 Intel 正式发表 Arc A380 独立显示卡，虽然有提供游戏测试数据，但毕竟是官方给的，一定会想知道实际实测是不是也一样？稍早...

ℹ外媒测试 28 个 CPU 在 11 款 3A 游戏效能表现，Intel 明显优于 AMD 处理器#

ℹ外媒测试 28 个 CPU 在 11 款 3A 游戏效能表现，Intel 明显优于 AMD 处理器# 组游戏电脑时，CPU 处理器一直以来都是最难挑选的硬体之一，到底要选 Intel 处理器？还是 AMD？不像显示卡 NVIDIA 和 AM...

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％

Intel 3工艺官方深入揭秘：号称性能飙升18％ Intel 3作为现有Intel 4的升级版，带来了更高的晶体管密度和性能，并支持1.2V电压的超高性能应用，不但用于自家产品，还首次开放对外代工，未来多年会持续迭代。首先强调，Intel 3工艺的定位一直就是需要高性能的数据中心市场，重点升级包括改进设计的晶体管、晶体管通孔电阻更低的供电电路、与客户的联合优化等等，还支持0.6V以下的低电压、1.3V以上的高电压，以实现最大负载。为了获得性能、密度的最佳均衡，Intel还同时使用了240nm高性能库、210nm高密度库的组合Intel 4只有前者。客户如果有不同需求，还可以在三种不同的金属堆栈层数中选择：14层的成本最低，18层的性能和成本最均衡，21层的性能最高。此外，Intel 3工艺的EUV极紫外光刻运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。最终的结果是，Intel保证新工艺可以在同等功耗、晶体管密度之下，相比Intel 4带来最多18％的提升！Intel之前还曾表示，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。不过在关键尺寸方面，Intel 3、Intel 4是基本一致的，接触孔多晶硅栅极间距(CPP)都是50nm，鳍片间距、M0间距都是30nm，另外库高度 x CPP的面积除了12K，还增加了10.5K版本，也是为了优化性能和成本平衡。Intel 3后续还会优化推出不同的版本，针对性加强某个角度：Intel 3-T：重点引入采用硅通孔(TSV)技术，针对3D堆叠进行优化。Intel 3-E：扩展更多功能，比如1.2V原生电压、深N阱、长通道模拟设备、射频等，可用于生产芯片组、存储芯片等。Intel 3-PT：在3-E的基础上，增加9微米间距的硅通孔，以及混合键合，性能再提升至少5％，使用也更简单，可用于AI、HPC芯片以及通用计算芯片。 ... PC版： 手机版：

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％

Intel 3工艺官方揭秘：面积缩小10％、能效飙升17％ 按照Intel的最新官方数据，Intel 3相比于Intel 4逻辑缩微缩小了约10％(可以理解为晶体管尺寸)，每瓦性能(也就是能效)则提升了17％。Intel解释说，半导体行业目前的惯例是，制程工艺节点的命名，不再根据晶体管实际的物理特征尺寸，而是基于性能和能效一定比例的提升进行迭代。可以粗略地理解为，Intel 3的性能水平，大致相当于其他厂商的3nm工艺。Intel 3其实就是Intel 4的升级版本，主要变化之一是EUV极紫外光刻的运用更加娴熟，在更多生产工序中使用了EUV。二是引入了更高密度的设计库，提升晶体管驱动电流，并通过减少通孔电阻，优化了互连技术堆栈。此外，得益于Intel 4的实践经验，Intel 3的产量提升更快。未来，Intel还将推出Intel 3的多个演化版本，满足客户的多样化需求。其中，Intel 3-T将引入采用硅通孔技术，针对3D堆叠进行优化；Intel 3-E将扩展更多功能，比如射频、电压调整等；Intel 3-PT将在增加硅通孔技术的同时，实现至少5%的性能提升。Intel强调说，Intel 3是一个重要的节点，大规模量产标志着“四年五个制程节点”计划进入“冲刺阶段”，还是Intel对外开放代工的第一个节点。接下来，Intel将开启半导体的“埃米时代”。Intel 20A首发应用于Arrow Lake消费级处理器，2024年下半年量产发布。Intel 18A则是Intel 20A的升级版，将在2025年用于代号Clearwater Forest的服务器处理器，以及代号Panther Lake的消费级处理器，并向代工客户大规模开放。再往后，就是Intel 14A。 ... PC版： 手机版：