英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装 4 月 18 日，美国芯片公司英特尔宣布，已接收并完成组装业界首台商用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机。据介绍，这套重达 165 吨的设备是阿斯麦（ASML）与英特尔合作数十年后开发的新一代光刻设备，现位于俄勒冈州的 D1X 制造工厂，正在进行最后的校准。 来源：财经慢报频道

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机

阿斯麦今年将向台积电和三星交付价值3.8亿美元的高数值孔径极紫外光刻机 总部位于荷兰的阿斯麦今年将向台积电和三星电子出货其最新的芯片制造设备。据该公司发言人称，阿斯麦首席财务官罗杰·达森在最近的电话会议上告诉分析师，阿斯麦的三大客户台积电、英特尔和三星都将在今年年底前获得高数值孔径极紫外光刻机。英特尔已经订购了最新的高数值孔径极紫外光刻机，并于去年12月底送往俄勒冈州的制造工厂。目前尚不清楚阿斯麦最大的 EUV 客户台积电何时会收到这台设备。这家台湾芯片制造商的一位代表表示，该公司与供应商密切合作，并拒绝进一步置评。

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误”

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误” 在与记者的交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，我们根本不会采购。”阿斯麦是欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。英特尔的错误英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。（辰辰） ... PC版： 手机版：

未来的光刻机：6.7nm波长不太可能 0.75 NA有机会

未来的光刻机：6.7nm波长不太可能 0.75 NA有机会 英特尔院士兼英特尔代工厂逻辑技术开发光刻、硬件和解决方案总监 Mark Phillips 表示，英特尔将于 2024 年晚些时候开始该机器的开发工作。英特尔预计将使用 0.33NA EUV 和 0.55NA EUV 以及其他光刻工艺来开发和制造先进芯片，从 2025 年英特尔 18A 的产品验证点开始。根据显示的材料，这将在 2026 年转移到英特尔的 14A 工艺。菲利普斯在与记者讨论高数值孔径 EUV 的电话会议上发表讲话。高数值孔径 EUV 预计能够打印比现有 EUV 工具小 1.7 倍的特征。这将实现 2D 特征缩放，从而使密度提高 2.9 倍。与 0.33NA EUV 相比，High NA EUV（或 0.55NA EUV）可以为类似特征提供更高的成像对比度，从而减少每次曝光的光量，从而减少打印每层所需的时间并增加晶圆产量。菲利普斯表示，他预计高数值孔径能够解决低至 1 埃及以下基本上是单原子尺寸的尖端芯片制造问题。“它[高数值孔径]将持续几代。节点的数量部分取决于您如何定义节点。我预计至少有三代的High NA。” Phillips 表示，他预计短期内不会将 EUV 波长从目前的 13.5nm 缩短为光刻技术的前进方向。“转向 6.7nm 波长会带来很多其他问题，”菲利普斯说。他说，光学要求“爆炸”，意味着它们占用了更多的空间。“下一个讨论可能是关于超 NA，”菲利普斯说，他表示 NA 达到 0.75 存在一定的可能性。“NA 为 0.75 的半场工具可以在很大程度上利用迄今为止开发的技术并在类似的系统尺寸下完成。”然而，半场尺寸（half-field size）也表明了高数值孔径 EUVL 的问题之一，这可能会影响小芯片组件封装的采用。随着高数值孔径光学器件的实施，由于使用了变形透镜阵列，标线的最大视场尺寸减小了。具体来说，标准掩模版限制从传统 EUVL 的 26mm x 33mm 减半至 26mm x 13.5mm。这种减少是高数值孔径 EUV 光刻分辨率能力提高的结果。利普斯被问及缩小掩模版尺寸是否意味着更小的芯片。菲利普斯说：“分解、更小的芯片和小芯片是一种方法。但一些客户仍然需要更大的芯片，因此我们将提供“缝合”功能。目前对于设计师来说还不是完全透明的。”菲利普斯补充说，英特尔正在与 EDA 公司合作，尝试使其更容易实施。他补充说，重要的是能够将设计元素缝合在一起以创建单个模具，以获得昂贵工具的最大利用率。据称，High NA EUV曝光机的价格约为3.8亿美元，是上一代低NA EUV曝光机约1.8亿美元的两倍多。 ... PC版： 手机版：