SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺

SK海力士投资10亿美元开发关键先进封装工艺 SK 海力士封装开发负责人 Lee Kang-Wook 表示，该公司今年将在韩国投资超过 10 亿美元，以扩大和改进其芯片制造流程中的最后几个步骤，特别是先进封装工艺。该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为105 亿美元。 这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端为主”，即芯片的设计和制造。“但接下来的50年将是全部是后端为主”，即封装。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进大规模回流成型底部填充（MR-MUF）和硅通孔（TSV）技术中，Lee 曾领导这两种技术的发明，现在均已成为 HBM 制造的基础核心技术。

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术

SK hynix宣布与台积电合作开发用于HBM4存储芯片的封装技术 SK hynix 表示，与全球顶级代工厂台积电的合作将带来更多的 HBM 技术创新。通过产品设计、代工厂和存储器供应商之间的三方合作，此次合作有望在存储器性能方面实现突破。两家公司将首先致力于提高安装在 HBM 封装最底部的基础芯片的性能。HBM 是在采用 TSV 技术的基底芯片上堆叠核心 DRAM 芯片，并通过 TSV 将 DRAM 堆叠中的固定层数与核心芯片垂直连接成 HBM 封装。位于底部的基础芯片连接到 GPU，由 GPU 控制 HBM。SK hynix 采用专有技术制造 HBM3E 以下的基础芯片，但计划在 HBM4 的基础芯片上采用台积电的先进逻辑工艺，这样就可以在有限的空间内封装更多的功能。这也有助于 SK hynix 生产定制的 HBM，满足客户对性能和能效的需求。SK hynix和台积电还同意合作优化SK hynix的HBM和台积电的CoWoS技术的整合，同时合作应对客户在HBM方面的共同要求。K hynix 总裁兼 AI Infra 负责人 Justin Kim 说："我们期待与台积电建立强大的合作伙伴关系，帮助我们加快与客户的开放式合作，并开发出业界性能最佳的 HBM4。有了这次合作，我们将通过增强在定制存储器平台领域的竞争力，进一步巩固我们作为全面人工智能存储器供应商的市场领导地位。""多年来，台积电和 SK hynix 已经建立了牢固的合作伙伴关系。多年来，台积电与SK hynix已经建立了稳固的合作关系，我们共同致力于整合最先进的逻辑和最先进的HBM，提供全球领先的人工智能解决方案。展望下一代 HBM4，我们有信心继续紧密合作，提供最佳集成解决方案，为我们的共同客户开启新的人工智能创新。" ... PC版： 手机版：

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度

三星、SK海力士对通用存储芯片增产持保守态度 22日讯，三星、SK海力士在提高标准DRAM和NAND芯片产量方面仍保持保守态度。此前，8Gb DDR4 DRAM 通用内存的合约价在四月份环比上涨，这主要是因为地震影响美光内存产能，短时间内推动通用内存需求走高。整体来看通用存储芯片市场仍存在不确定性。此外，HBM内存需求旺盛，在三星电子、SK海力士积极扩产HBM的背景下，通用DRAM的晶圆投片量势必得到抑制。

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术

丢掉AI芯片大单三星计划改用对手SK海力士的技术 分析人士普遍认为，三星之所以丢掉大单，很大程度上源于其坚持采用非导电薄膜（NCF）芯片工艺；而SK海力士使用的批量回流模制底部填充（MR-MUF）工艺，则有效解决了NCF技术的弊端。分析师认为，三星HBM3芯片的良率表现并不理想，仅维持在10-20%的水平；相比之下，其竞争对手SK海力士的HBM3良率高达60-70%。无奈之下，三星也开始计划采用SK海力士使用的MR-MUF工艺，而非此前坚持的NCF技术。知情人士称，三星最近已发出了处理MR-MUF技术的设备采购订单，还在与包括日本长濑公司在内的材料制造商洽谈采购MUF材料的事宜。但尽管如此，由于需要进行更多的测试和优化，三星使用这一技术的芯片最早要到明年才能实现量产。 ... PC版： 手机版：

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙

加码10亿美元豪赌HBM SK海力士的狂飙 该工艺的创新是 HBM 作为最受欢迎的 AI 内存的优势的核心，进一步的进步将是降低功耗、提高性能和巩固公司在 HBM 市场领先地位的关键。Lee 专注于组合和连接半导体的先进方法，随着现代人工智能的出现及其通过并行处理链消化大量数据，这种方法变得越来越重要。虽然 SK 海力士尚未披露今年的资本支出预算，但分析师平均估计该数字为 14 万亿韩元（105 亿美元）。这表明先进封装（可能占其中的十分之一）是一个主要优先事项。Lee 在接受采访时表示，“半导体行业的前 50 年一直是前端”，即芯片本身的设计和制造。“但接下来的 50 年将是后端（即封装）的全部。”在这场竞赛中率先实现下一个里程碑的公司现在可以使公司跻身行业领先地位。SK 海力士被 NVIDIA 公司选中为其制定标准的人工智能加速器提供 HBM，从而将这家韩国公司的价值推高至 119 万亿韩元。周四，该公司股价在首尔上涨约 1%，自 2023 年初以来已上涨近 120%。该公司目前是韩国第二大市值公司，表现优于三星和美国竞争对手美光科技公司。现年 55 岁的 Lee 帮助开创了一种封装第三代技术 HBM2E 的新颖方法，该方法很快被其他两家主要制造商效仿。这项创新对于 SK 海力士在 2019 年底赢得 NVIDIA 客户至关重要。Lee 长期以来一直热衷于通过堆叠芯片来获得更高的性能。2000 年，他在日本东北大学获得了微系统 3D 集成技术博士学位，师从 Mitsumasa Koyanagi，他发明了用于手机的堆叠式电容器 DRAM。2002 年，Lee 加入三星内存部门担任首席工程师，领导基于硅通孔 (TSV) 的 3D 封装技术的开发。这项工作后来成为开发 HBM 的基础。HBM 是一种高性能存储器，它将芯片堆叠在一起，并将它们与 TSV 连接起来，以实现更快、更节能的数据处理。但早在智能手机时代之前，三星就在其他地方下了更大的赌注。全球芯片制造商通常将组装、测试和封装芯片的任务外包给亚洲小国家。因此，当 SK 海力士和美国合作伙伴 Advanced Micro Devices Inc. 在 2013 年向世界推出 HBM 时，他们在两年内没有受到任何挑战，直到 2015 年底三星开发出 HBM2。三年后，Lee 加入了 SK 海力士。他们带着一丝自豪地开玩笑说，HBM 代表“海力士的最佳内存”。里昂证券韩国分析师桑吉夫·拉纳 (Sanjeev Rana) 表示：“SK 海力士管理层对这个行业的发展方向有更深入的了解，并且做好了充分准备。” “当机会来临时，他们用双手抓住了它。” 至于三星，“他们被发现在打瞌睡。”ChatGPT 于 2022 年 11 月发布，这是 Lee 一直在等待的时刻。当时，他的团队在他在日本的联系人的帮助下开发了一种新的封装方法，称为大规模回流成型底部填充（MR-MUF）。该工艺涉及在硅层之间注入液体材料，然后进行硬化，从而提高了散热性和产量。据一位知情人士透露，SK 海力士与日本 Namics Corp. 就该材料和相关专利进行了合作。Lee 表示，SK 海力士正在将大部分新投资投入到推进 MR-MUF 和 TSV 技术中。三星多年来一直被高层的继任传奇困扰，现在正在反击。NVIDIA 去年认可了三星的 HBM 芯片，这家总部位于水原的公司表示。2月26日，其开发出第五代技术HBM3E，拥有12层DRAM芯片，容量为业界最大36GB。同一天，总部位于爱达荷州博伊西的美光公司表示，它已开始批量生产 24GB、八层 HBM3E，这让业界观察人士感到惊讶，该产品将成为英伟达第二季度出货的 H200 Tensor Core 单元的一部分。Lee 致力于扩大和增强国内技术，并计划在美国建设耗资数十亿美元的先进封装设施，因此面对日益激烈的竞争，Lee 仍然看好 SK 海力士的前景。他认为目前的投资为满足未来几代 HBM 的更多需求奠定了基础。SK海力士的狂飙人工智能的繁荣在韩国股市造成了巨大的分歧：存储芯片制造商 SK 海力士今年股价飙升超过 16%，而更大的竞争对手三星电子则表现疲软。SK 海力士是高带宽内存（HBM）芯片的领先生产商，这些芯片与 NVIDIA 的图形处理器结合使用，以实现强大的人工智能计算。AI芯片和服务器的爆炸性需求使得SK海力士在韩国股市的股价今年以来上涨了16.5%。与此同时，由于芯片巨头三星电子在人工智能领域奋力追赶，其股价同期下跌了 8%。Hi Investment & Securities 在上周的一份报告中表示，SK 海力士“由于其在 HBM 领域的主导竞争力，致力于发展人工智能行业，因此享有高估值”。“由于该公司今年很有可能保持 HBM 的竞争力，我们相信该股将维持相对乐观的趋势。”三星是基准 KOSPI 指数中市值最高的公司，其次是 SK 海力士。两者之间出现不同寻常的差异之际，全球半导体公司都在寻求利用 OpenAI 推出 ChatGPT 引发的人工智能热潮。过去六个月，英伟达的市值几乎翻了一番，因为这家美国公司的图形处理单元（GPU）对于人工智能计算至关重要。总部位于台北的市场分析公司Trendforce表示，SK海力士作为HBM技术的领导者，是NVIDIA的主要供应商。Trendforce 在 1 月份的一份报告中表示：“SK 海力士的 HBM3 产品领先于其他制造商，并且是 NVIDIA 服务器 GPU 的主要供应商。而三星则专注于满足其他云服务提供商的订单。”SK海力士于2014年与AMD联合开发了全球首款用于游戏芯片的HBM产品。两家公司还联手开发高带宽、三维堆叠内存技术及相关产品。8月，SK海力士开发出HBM3E，这是目前适用于AI应用的最高规格DRAM。该芯片每秒处理高达 1.15 TB 的数据，相当于 230 多部全高清电影，每部 5 GB 大小。SK 海力士首席执行官 Kwak Noh-jung 一月份在 CES 上表示：“我们正在向市场和行业提供具有超高性能的多样化产品，例如 HBM3 和 HBM3E，这是世界上最好、最受追捧的产品。”野村证券对需求前景持乐观态度。该公司在上周的一份报告中表示：“在人工智能服务器繁荣时期，对 HBM 的需求极其强劲，因为人工智能公司的技术进步以及企业和消费市场的商业利用都好于预期。”券商进一步上调SK海力士股票的目标价，预计该公司将保持其在该行业的领先地位。Hi Investment & Securities 上周将目标价从 11 月份的 125,000 韩元上调至每股 169,000 韩元。与此同时，三星正在开发自己的 HBM 芯片以迎头赶上。该公司上周宣布开发出HBM3E 12H，这是业界首款12堆栈HBM3E DRAM，也是迄今为止容量最高的HBM产品。三星表示，将于今年上半年开始量产该芯片。不过，投资者对这一消息并不感到惊讶。该公司股价当天仅上涨0.1%。自1月份下跌7.4%以来，其股价自2月份以来一直徘徊在73,000韩元左右。 ... PC版： 手机版：

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂

SK海力士将投资近40亿美元在美建芯片封装厂 当天，SK海力士首席执行官郭鲁正、韩国驻美大使赵贤东、印第安纳州州长Eric Holcomb、参议员Todd Young、白宫科技政策办公室主任Arati Prabhakar等一众人员出席了签约活动。据悉，该芯片工厂将以下一代高带宽内存（HBM）芯片生产线为中心，这些芯片是训练人工智能系统的图形处理器的关键组件。上个月，SK海力士开始批量生产用于人工智能（AI）服务器的HBM3E芯片。作为HBM芯片的领先设计和制造商，SK海力士已经发展成为人工智能开发热潮中的关键参与者。这推动其股价年内迄今涨逾25%，市值也轻松突破了1000亿美元，使其成为韩国市值规模第二大的公司。大约两年前，SK海力士承诺，将通过研发项目、材料、在美国建立先进的封装和测试工厂，向半导体产业投资150亿美元。该公司在周三表示，最新的合作协议是此前承诺的一部分，公司还向美国政府申请了《芯片与科学法案》提供的补贴。新项目也标志着美国在芯片行业迈出了重要一步，先进封装产能是美国政府重振半导体产业努力中的一个瓶颈。美国的封装能力只占全球的3%，这意味着在美国生产芯片的公司通常还得把芯片运到亚洲组装使用。SK海力士声称：“印第安纳州的工厂预计在2028年下半年开始量产新一代HBM等适于人工智能的芯片，新工厂将在当地创造1000个以上的工作岗位，为地区社会发展做出贡献。”印第安纳州州长Eric Holcomb表示：“印第安纳州是创造将成为未来经济原动力的创新产品的全球领先者。坚信与SK海力士的伙伴关系将带来印第安纳州和普渡大学等地区社会的长期发展。”工厂位于普渡大学附近，该校是美国最大的半导体和微电子工程专业所在地之一。SK海力士此前也曾考虑过亚利桑那州，该州有一个新兴的芯片产业，台积电和英特尔的工厂就位于该州。SK海力士首席执行官郭鲁正表示，考虑到州政府的全力支持、丰富的制造基础设施，以及普渡大学的优秀人才等，最终选择了印第安纳州。 ... PC版： 手机版：