台积电和新思科技将部署英伟达 cuLitho 计算光刻平台

台积电和新思科技将部署英伟达 cuLitho 计算光刻平台 英伟达当地时间 3 月 18 日宣布，台积电和新思科技将使用英伟达的计算光刻技术，这两家公司已经集成了英伟达的 cuLitho 平台，以加快芯片制造速度，并在未来支持最新一代的英伟达 Blackwell 架构 GPU。英伟达还推出了新的生成式 AI 算法，将 cuLitho 的速度提高 2 倍。 来源：财经慢报频道

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备

中国科研团队完成新型光刻胶技术初步验证 为EUV光刻胶开发做技术储备 且光刻显影各步骤所需时间完全符合半导体量产制造中对吞吐量和生产效率的需求。作为半导体制造不可或缺的材料，光刻胶质量和性能是影响集成电路电性、成品率及可靠性的关键因素。但光刻胶技术门槛高，市场上制程稳定性高、工艺宽容度大、普适性强的光刻胶产品屈指可数。当半导体制造节点进入到100nm甚至是10 nm以下，如何产生分辨率高且截面形貌优良、线边缘粗糙度低的光刻图形，成为光刻制造的共性难题。该研究成果有望为光刻制造的共性难题提供明确的方向，同时为EUV光刻胶的着力开发做技术储备。上述具有自主知识产权的光刻胶体系在产线上完整了初步工艺验证，并同步完成了各项技术指标的检测优化，实现了从技术开发到成果转化的全链条打通。 ... PC版： 手机版：

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口

佳能纳米压印设备最快今年出货 无法向中国出口 据了解，纳米压印技术并不是利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。在晶圆上只压印1次，就可以在特定的位置形成复杂的2D或3D电路图。当下的5nm制程的先进半导体制造设备市场，则由ASML的EUV光刻机所垄断，单台价格约1.5亿美元。对于接下来更为先进的2nm及以下制程的芯片，ASML也推出了成本更为高昂的High-NA EUV光刻机，单台价格或将超过3亿美元，这也使得尖端制程所需的成本越来越高。相比之下，佳能的目前纳米压印技术将可以使得芯片制造商不依赖于EUV光刻机就能生产最小5nm制程节点的逻辑半导体。佳能半导体设备业务部长岩本和德此前还曾表示，如果改进光罩，纳米压印甚至可以生产2nm先进制程的芯片。佳能的纳米压印技术或许将有机会帮助佳能缩小其与ASML的差距。更为关键的是，佳能的纳米压印设备成本和制造成本都远低于ASML的EUV光刻机。岩本和德表示，客户的成本因条件而异，据估算1次压印工序所需要的成本，有时能降至传统曝光设备工序的一半。而且，因为纳米压印设备的规模较小，在研发等用途方面也更容易引进。据了解，采用纳米压印技术，将可使得整体的设备投资降低至EUV光刻产线设备的40%水平。虽然佳能并未公布其纳米压印设备的定价，但是，佳能CEO御手洗富士夫此前曾表示，该公司的纳米压印设备的“价格将比ASML的EUV光刻机低一位数（即仅有10%）”。在客户方面，佳能表示目前收到了半导体厂商、大学、研究所的很多咨询，以期待作为EUV设备的替代产品，使纳米压印设备备受期待。预计，该设备将可用于闪存、个人电脑用DRAM，以及逻辑等多种半导体生产用途上。不过，需要指出的是，纳米压印是完全不同于光刻技术的全新路径，因此它与现有的基于DUV或EUV光刻的产线是不兼容的.也就是说现有的大型芯片制造商无法再现有产线中直接使用纳米压印技术，需要重新建立全新的生产线，显然这将成为阻碍纳米压印推广的一个因素。目前中国半导体产业正受到美日荷的多方围堵，国内半导体制造商获取先进的半导体制造设备受到了限制，佳能的纳米压印设备或将为国内发展先进制程提供一条突破封锁的新路径。但是，佳能的纳米压印设备可能无法对中国大陆出口。查阅日本的出口管制清单发现，当中就有限制“可实现45nm以下线宽的压印光刻装置”。佳能CEO御手洗富士夫也在此前的采访中也曾表示，佳能可能无法将这些（基于纳米压印技术的）芯片制造设备出口到中国。“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。”不过，如果佳能的纳米压印设备能够在实际量产当中获得成功，也将为国内半导体制造提供一个可以绕过EUV光刻机继续发展先进制程的新思路，国产半导体设备厂商也可以选择纳米压印技术路线来开发相关的设备，来助力国产先进制程的进一步突破。 ... PC版： 手机版：

英伟达：台积电和Synopsys将采用英伟达计算光刻技术，这两家公司已经整合英伟达的Culitho W软件。

英伟达：台积电和Synopsys将采用英伟达计算光刻技术，这两家公司已经整合英伟达的Culitho W软件。 标签: #英伟达 #台积电 #芯片 频道: @GodlyNews1 投稿: @GodlyNewsBot

NVIDIA、SK hynix和台积电结成联盟 为下一代AI标准加速GPU和HBM4开发

NVIDIA、SK hynix和台积电结成联盟 为下一代AI标准加速GPU和HBM4开发 SEMICON 就像半导体行业的 CES，SK hynix 和台积电等大公司都会在这里宣布他们的未来计划。据报道，英伟达公司（NVIDIA）首席执行官黄仁勋、SK hynix 总裁金珠善以及多家顶级公司的高管都将出席此次盛会。预计这次会议的主要焦点是下一代 HBM，特别是革命性的 HBM4 内存，它将开启市场的新纪元。HBM4 内存的推出将对人工智能领域产生巨大的影响，因为各家公司现在都在朝着转换战略的方向发展。SK hynix 是首批实现"多功能 HBM"的公司之一。在现代的实施过程中，先进的内存半导体被紧密地连接到不同的芯片上，如 GPU 芯片，以提高计算效率，而为了将一切连接起来，业界采用了著名的 CoWoS 等封装技术。由于这并不是一条最佳路线，SK hynix 此前透露，他们计划将内存和逻辑半导体整合到一个封装中，这意味着不需要封装技术，而且单个裸片将更接近这种实现方式，事实证明它的性能效率会更高。为了实现这一目标，SK hynix 计划建立一个战略性的"三角联盟"，由台积电（TSMC）负责半导体，英伟达（NVIDIA）负责产品设计，最终产品可能具有革命性意义。虽然我们现在还不确定 SK hynix 计划如何实现 HBM4 内存，但考虑到台积电和英伟达（NVIDIA）现在都与这家韩国巨头合作，反映出他们确实已经想好了办法。即将举行的 SEMICON 在这方面非常重要，因为它将为未来采用该内存标准的人工智能加速器定下基调。除此以外，这一联盟还表明，相关公司已准备好利用市场，不给竞争对手任何潜在增长或暴露的空间。在 HBM4 量产时间表方面，业界预计该联盟的解决方案将于 2026 年投入生产，这正好赶上 英伟达下一代 Rubin 架构的到来并在市场上大显身手。 ... PC版： 手机版：

中芯国际加速国产化，向戒掉对美依赖迈进

中芯国际加速国产化，向戒掉对美依赖迈进 中国国内芯片业正努力实现自给自足。中国芯片龙头企业中芯国际在北京市郊工业区的中芯京城新厂正积极地将国产半导体生产设备纳入生产线。一位熟悉内情的人士说，中芯国际现在已经能够在这条生产线上生产制程达到28纳米的芯片，而且最近的产量已经超过了试生产水平。 一位知情人士说，生产线使用的国产工具包括中国领先的半导体设备制造商生产的工具，如北方华创科技集团、中微半导体设备(上海)股份有限公司和盛美半导体设备(上海)股份有限公司。要实现真正的本土化，中国不仅需要国产芯片制造设备，还必须确保国产设备内部的元件是国产的。中国还需要在本地生产芯片所用的晶圆和其他材料。在高端光刻机方面，中国没有本土替代产品。中国国内的首选是上海微电子装备集团，其网站显示，该集团可生产90纳米光刻机。在全球范围内，这项技术早在20多年前就已问世。