佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片

佳能纳米压印设备最快今年交付 可制造5nm芯片 佳能表示，这套设备的工作原理和ASML的光刻机不同，并不利用光学图像投影的原理将集成电路的微观结构转移到硅晶圆上，而是更类似于印刷技术，直接通过压印形成图案。相较于目前已商用化的EUV光刻技术，尽管纳米压印技术的芯片制造速度要比传统光刻方式慢，但铠侠在2021年就曾表示，纳米压印技术可大幅减少耗能，并降低设备成本。原因在于纳米压印技术的制程较为简单，耗电量可压低至EUV技术的10%，并让设备投资降低至仅有EUV设备的40%。另外，纳米压印设备还可以使得芯片制造商降低对于ASML的EUV光刻机的依赖，使得台积电、三星等晶圆代工厂可以有第二个路线选择，可以更灵活的为客户生产小批量芯片。不过佳能CEO三井藤夫曾在采访中表示，佳能可能无法将这些设备出口到中国，“我的理解是，任何超过14nm技术的出口都是被禁止的，所以我认为我们无法销售。” ... PC版： 手机版：

纳米压印设备可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：不能卖到中国，也无法超越EUV

纳米压印设备可绕过EUV量产5nm！佳能CEO：不能卖到中国，也无法超越EUV 11月6日消息，据彭博社报道，佳能公司正计划将其新的基于“纳米压印”技术的芯片制造设备的价格定为ASML的EUV光刻机的1/10。由于该设备可以用于制造5nm尖端制程芯片，且不是基于光学技术，或将成为中国绕过美国限制来制造尖端制程芯片的可行方案。但是，佳能首席执行官三井藤夫在采访中表示，该设备无法出口到中国。

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML

佳能希望用更便宜的5纳米纳米压印光刻机挑战ASML "我们希望在今年或明年......趁着市场热度开始出货。"佳能负责纳米压印光刻技术开发的工业部门负责人竹西宏明（Hiroaki Takeishi）说："这是一项非常独特的技术，它将使尖端芯片的生产变得简单而低成本。纳米压印光刻机的半导体节点宽度为 5 纳米，目标是最终达到 2 纳米。"Takeishi 说，这项技术主要解决了以前的缺陷率问题，但成功与否将取决于能否说服客户将其集成到现有的制造工厂是值得的。有人怀疑佳能是否有能力扰乱由 ASML 昂贵但复杂的极紫外（EUV）光刻工具引领的市场。然而，如果纳米压印能以更低的成本将产量提高到近 90%，它就能开辟出一片天地，尤其是在极紫外光供应难以满足激增的需求的情况下。据称，佳能的纳米压印设备成本仅为 ASML 设备的 40%，而运行功耗却降低了 90%。佳能最初专注于用此技术生产 3D NAND 存储器芯片，而不是复杂的处理器，因此同样需要应对限制对华销售的出口管制。Takeishi 表示，佳能将 "谨慎关注"制裁风险，但由于可选方案不多。佳能的纳米压印技术经过 15 年多的研发，如果能成功实现商业化应用，将能改变竞争格局，使新的竞争者能够以更低的成本生产领先的半导体产品。但是，新机器的缺陷率、集成挑战和地缘政治阻力能否让佳能在与芯片制造巨头的竞争中脱颖而出，还有待观察。 ... PC版： 手机版：

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位

ASML新EUV三雄抢买 台积电、三星设备最快2026到位 媒体报道，ASML近期对外秀出High NA EUV光刻机设备，一台要价3.5亿欧元，大小等同于一台双层巴士，重量更高达150公吨，相较于两架空中巴士A320客机，装机时间推估需要六个月，并需要250个货箱、250名工程人员才能安装完成，不仅价格高昂又相当耗时。英特尔早在去年12月已先行拿下一台High NA EUV光刻机设备，不过，英特尔原预期将该光刻机设备导入在自家18A的先进制程量产，不过，日前英特尔CEO基辛格（Pat Gelsinger）宣布，不会在18A制程采用High NA EUV量产，代表暂时延后采用High NA EUV光刻机设备。至于台积电、三星等晶圆代工大厂在High NA EUV设备机器采购上，脚步则慢于英特尔。业界指出，由于High NA EUV光刻机价格是当前EUV光刻机的两倍，代表生产成本将大幅增加，由于明年即将量产的2纳米晶圆售价仍未大幅增加，成为台积电、三星不急于导入High NA EUV光刻机台的关键。业界人士推测，台积电预计最快在1.4纳米（A14）才导入High NA EUV光刻机台，代表2025年才可望有采购设备的消息传出，若按照台积电先前对外释出的1.4纳米量产时间将落在2027年至2028年计划下，台积电的High NA EUV光刻机台交货时间可能落在2026年开始陆续交机。不过，可以确定的是，ASML的High NA EUV光刻机台已成为英特尔、台积电及三星等晶圆制造大厂进军2纳米以下先进制程的必备武器，仅是大量采用的时间先后顺序差别。事实上，进入7纳米以下后，台积电就开始导入EUV光刻机设备，原因在于光罩曝光层数大幅增加，在至少20层以上的重复光刻需求下，孔径重复对准的精准度要求愈来愈高，让EUV光刻机成为必备设备，不仅提高良率，也能降低生产成本。 ... PC版： 手机版：

俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试 可生产350纳米工艺芯片

俄罗斯首台光刻机已经制造完成并正在进行测试 可生产350纳米工艺芯片 什帕克告诉媒体：“我们组装并制造了第一台国产光刻机。作为泽廖诺格勒技术生产线的一部分，目前正在对其进行测试。”在全球范围内，这种复杂程度的设备由几家主要公司组装，其中最大的是荷兰的 ASML 公司以及佳能和尼康。目前，台积电和三星利用ASML的EUV光刻技术，已经能够生产出精细至3纳米甚至2纳米的芯片。尽管350纳米的芯片技术相较之下显得落后，但它在汽车、能源和电信等诸多行业中仍有着应用价值。对于受到美西方严厉制裁的俄罗斯半导体产业而言，这一进展无疑是一则喜讯。这意味着，俄罗斯在自主发展半导体技术的道路上取得了突破，有望减少对外部技术的依赖，提升国内产业的自主性和竞争力。 ... PC版： 手机版：

中国28nm国产光刻机有望年底交付

中国28nm国产光刻机有望年底交付 据新华网援引《证券日报》消息称，上海微电子在28nm浸没式光刻机的研发上取得重大突破，预计在2023年年底向市场交付国产的第一台SSA/800-10W光刻机设备。 光刻机是决定半导体生产工艺水平高低的核心技术，包含光学系统、微电子系统、计算机系统、精密机械系统、控制系统等构件，极为复杂精密。 事实上，光刻机是一个泛概念，包括三种不同类型：为前道光刻机、后道光刻机、面板光刻机。 前道光刻机就是我们最常说的光刻机，主要用于晶圆制造，可分为DUV、EUV两大类，目前由荷兰阿斯麦(ASML)占绝对垄断地位，日本的尼康、佳能也有很强的实力。