三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队

三星电子据悉改组新设 HBM 芯片研发团队 据业界 7 月 4 日消息，三星电子负责半导体业务的设备解决方案（DS）部门当天进行改组，新设 HBM 研发组。三星电子副社长、高性能 DRAM 设计专家孙永洙（音译）担任该研发组组长，带领团队集中研发 HBM3、HBM3E 和新一代 HBM4 技术。此外，三星电子还对先进封装（AVP）团队和设备技术实验所进行重组，以提升整体技术竞争力。(界面)

【报道：三星电子改组新设HBM芯片研发团队】

【报道：三星电子改组新设HBM芯片研发团队】 据韩联社，在全球人工智能市场的规模持续扩张的背景下，三星电子进行大规模改组，组建一个专注于高带宽存储器（HBM）的研发团队，力争在半导体市场确保“超级差距”。

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发

三星组建全新HBM提升团队 并加速AI芯片Mach系列开发 业内消息人士3月29日透露，新团队将负责DRAM、NAND的开发和销售，三星执行副总裁兼DRAM产品和技术主管Hwang Sang-joon将领导新团队，但团队人数尚未确认。据悉，这是三星自2024年1月创建由100名设备和解决方案（DS）部门组成的HBM专职团队之后，成立的第二个HBM专职团队。为了在人工智能芯片市场抢占先机，三星将采取“双轨”战略，同时开发两种类型的尖端存储芯片：HBM和Mach系列。三星计划在年内量产HBM3E，并在2025年量产HBM4。池庆贤3月29日表示，“想要开发定制化HBM4芯片的客户将与我们合作。得益于专业团队的努力，三星将获得HBM市场的领导地位。”此前三星HBM负责人预计，2024年该公司HBM芯片产量将比去年增加2.9倍。三星人工智能芯片Mach-1目前正在开发中，预计今年年内将推出原型产品。这款芯片采用SoC（片上系统）形式，用于人工智能推理加速，可减少GPU与HBM的瓶颈。此外，三星未来还将推出Mach-2芯片，该公司高管表示，客户对此表现出浓厚的兴趣。 ... PC版： 手机版：

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试

三星否认HBM芯片存在发热/功耗高问题 已严格测试 HBM技术通过垂直堆叠多个DRAM芯片来显著提高数据处理速度，随着人工智能（AI）市场的快速增长变得越来越重要。HBM需求激增，三星电子和SK海力士陷入激烈的市场主导地位争夺战。尽管三星在存储半导体行业历来处于领先地位，但其在HBM领域处于下风，这种情况促使该公司内部发生重大战略转变。为了应对这些竞争压力，三星最近更换了负责监管半导体业务的设备解决方案（DS）部门的负责人。此次领导层变动凸显了三星重新在HBM市场站稳脚跟的承诺。今年4月，三星开始量产其第五代HBM产品8层HBM3E，并计划在今年第二季度开始量产业界首款12层HBM3E产品。三星电子重申了其对质量和可靠性的承诺。该公司表示：“我们正在努力提高所有产品的质量和可靠性。我们正在严格测试HBM产品的质量和性能，以便为客户提供最佳的解决方案。”尽管有这些保证，一些市场分析师仍然对三星在短期内缩小与其竞争对手差距的能力持怀疑态度。相关文章:路透证实三星HBM内存芯片因发热和功耗问题未能通过英伟达的测试被曝未通过英伟达HBM芯片测试 三星回应：正与客户密切合作优化产品 ... PC版： 手机版：

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作

三星成立新的HBM团队：推进HBM3E和HBM4开发工作 回顾过往，三星自2015年起便在DRAM部门内部深耕HBM技术的蓝海，不仅设立了专项团队，还成立了特别工作组，持续推动技术创新与突破。此次组织架构的升级，无疑是对过往努力的深化与加强，彰显了三星对HBM技术未来发展的坚定信心。为了加速抢占高附加值DRAM市场的制高点，三星展现出了惊人的研发速度与执行力。今年年初，三星便宣布成功研发出HBM3E 12H DRAM，并紧随其后在四月实现了HBM3E 8H DRAM的量产，这一系列成就不仅体现了三星的技术实力，也为其在HBM领域的领先地位奠定了坚实基础。值得注意的是，三星与英伟达等行业巨头的合作也在不断深入。自去年起，三星便积极向英伟达提供HBM3E样品进行严苛验证，涵盖8层与12层堆叠技术，虽历经挑战但进展显著，预计将在今年第三季度末迎来部分验证工作的圆满完成，这一合作无疑将加速HBM技术在高端计算领域的普及与应用。此外，三星还通过官方渠道分享了HBM产品的最新研发进展，并明确透露了HBM4技术的研发时间表，即计划于2025年首次亮相。这一消息不仅引发了业界的广泛关注，也进一步激发了市场对未来高性能计算、人工智能等领域技术革新的期待。更有传言指出，三星正考虑在HBM4中引入革命性的非导电粘合膜（NCF）组装技术和混合键合（HCB）技术，以优化高温环境下的热特性，进一步提升产品的稳定性和可靠性，这将是对现有技术边界的又一次勇敢探索。 ... PC版： 手机版：

消息称由于HBM产量令人失望 三星正在购置新设备

消息称由于HBM产量令人失望 三星正在购置新设备 该出版物提出"三星落后于（竞争生产商）的原因之一是，它决定坚持使用会导致一些生产问题的非导电膜（NCF）芯片制造技术，而海力士则转而采用大规模回流模压填充（MR-MUF）方法来解决 NCF 的弱点"。报道称，三星正在订购新的 MUF 相关设备。一位匿名消息人士称："三星必须采取一些措施来提高其 HBM（生产）产量......采用 MUF 技术对（他们）来说是一件有点咽不下这口气的事情，因为它最终沿用了 SK Hynix 最早使用的技术。"路透社设法从这家韩国跨国巨头那里得到了回应公司发言人表示："我们正在按计划开展 HBM3E 产品业务。他们表示，NCF 技术仍然是"最佳解决方案"。文章发表后，官方又做出了回应："关于三星将在其 HBM 生产中应用 MR-MUF 的传言并不属实"。内部人士透露接下来团队会经历漫长的测试阶段据传三星正在采购 MUF 材料，但预计量产不会在今年开始。三位消息人士称，三星计划在新一代 HBM 芯片中"同时使用 NCF 和 MUF 技术"。 ... PC版： 手机版：