三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层

三星准备于5月推出290层3D NAND 计划于明年提升到430层 据报道，三星是通过改进闪存层堆叠技术实现 290 层垂直堆叠密度的，这种技术依赖于通过在闪存层中增加存储孔来增加层数。这样做的代价是每个晶圆的数据密度，但增加层数带来了净收益。报道第 9 代 V-NAND 的同一消息来源还称，该公司计划在 2025 年初推出其后续产品第 10 代 V-NAND。第 10 代 V-NAND 闪存预计将达到 430 层，比第 9 代 V-NAND 闪存增加 140 层（第 9 代 V-NAND 闪存比上一代增加 54 层）。这将使三星与其竞争对手 Kioxia、SK Hynix、美光科技和 YMTC 重新走上正轨，向 2030 年实现 1000 层 3D NAND 闪存的宏伟目标发起冲击。 ... PC版： 手机版：

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存

铠侠计划在2031年批量生产超过1000层堆叠的3D NAND闪存 至于使用什么样的新技术、新工艺才能达到1000多层，铠侠没有明说。目前堆叠层数最多的闪存技术来自SK海力士，达到了321层，不过要到2025年上半年才能量产。有趣的是，三星方面此前声称，计划在2030年实现1000层闪存(SSD容量也规划到了1000TB)，不知道和铠侠谁能最先做到。三星的V-NAND已经推进到第九代，将在明年初量产，基于双堆栈架构，可达成业界最高堆叠层数，预计超过300层，再往后的第十代则会达到430层左右。 ... PC版： 手机版：

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s

任天堂Switch 2可能使用三星第五代V-NAND 读取速度达1.4GB/s 在主要成就中，这位前三星员工还列出了由三星存储器第五代 V-NAND 闪存驱动的安全增强型 eMMC 卡的开发，这似乎不仅与用于未指定任天堂游戏卡的 NAND 闪存控制器设备相吻合，而且还与其他一些信息相吻合，如创新未指定专有硬件的安全性和设计新的 PUF IP（物理不可克隆功能）。任天堂 Switch 2 需要比上一代产品更快的读取速度并不完全令人惊讶，但任天堂使用三星第 5 代 V-NAND 仍然是个好消息，尽管以今天的标准来看，这已经是有些过时的技术了，因为三星正在开发第 9 代和第 10 代 V-NAND，后者计划于 2025 年发布。不过，第 5 代产品高达 1.4 GB/s 的速度对于任天堂的游戏来说应该绰绰有余，至少比前一代产品有了很大的提升。关于 Nintendo Switch 2的细节人们所知甚少，只知道它将再次采用NVIDIA硬件。据说，T239 芯片将支持英伟达 DLSS 和光线重构等功能，这将使它成为市场上光线追踪能力最强的游戏系统。 ... PC版： 手机版：

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产

三星HBM3E 12-Hi、128GB DDR5、64 TB SSD和第9代V-NAND二季度量产 首先，三星已开始量产其 HBM3E"Shinebolt"内存，本月将首先出货 8-Hi 堆栈，随后将在第二季度推出 12-Hi 变体。下一代内存解决方案将在 8 模块芯片（如 AMD 的 MI300X）上提供每个堆栈 36 GB 的容量，最高可达 288 GB 的产品。据报道，AMD 已经与三星代工厂签订了协议，后者将提供 HBM3E DRAM，用于现有和下一代产品，如更新的MI350/MI370 GPU，据说这些产品的内存容量都会增加。在 DDR5 DRAM 方面，三星将于 2024 年第二季度推出 1b(nm) 32 Gb 内存模块，并投入量产。这些内存 IC 将用于开发高达 128 GB 的模块。三星已经向客户交付了下一代 DDR5 解决方案的首批样品。最后，三星将在固态硬盘 V-NAND 领域推出 64 TB 数据中心固态硬盘。这些固态硬盘将于 2024 年第二季度向客户提供样品，该公司还预计将于第三季度开始量产第 9 代 V-NAND 固态硬盘。第 9 代 V-NAND 固态硬盘将采用 QLC（四层单元）设计。有报道称， TLC V-NAND（第 9 代）将于本月开始生产，其传输速度将提高 33%，达到 3200 MT/s。这些固态硬盘将采用最新的 PCIe Gen5 标准。 ... PC版： 手机版：

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠

铠侠公布3D NAND闪存发展蓝图 计划2027年实现1000层堆叠 在3D NAND闪存技术的竞赛中，铠侠展现出了对层数挑战的坚定决心，其目标似乎比三星更为激进。三星虽也计划在2030年之前推出超过1000层的先进NAND闪存芯片，并计划引入新型铁电材料来实现这一目标，但铠侠却更早地设定了具体的实现时间表。去年，铠侠推出了BiCS8 3D NAND闪存，其层数高达218层，采用1Tb三层单元（TLC）和四层单元（QLC）技术，并通过创新的横向收缩技术，成功将位密度提高了50%以上。若要实现2027年1000层堆叠的宏伟目标，铠侠可能会进一步探索五层单元（PLC）技术的应用。值得注意的是，提高3D NAND芯片的密度并非仅仅意味着增加层数，更涉及到制造过程中可能遇到的一系列新问题和技术挑战。 ... PC版： 手机版：

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】

【三星正式发布 UFS . 闪存：顺序读取速度 MB/s】 今日，三星正式公布了 UFS（通用闪存）. 存储解决方案。 据介绍，UFS . 提供每通道高达 .Gbps 的速度，是三星前代产品 UFS . 的两倍。 借助三星第 代 V-NAND 技术和专有的控制器，UFS . 将提供 MB/s的顺序读取速度和 MB/s的顺序写入速度。 同时，UFS . 的能效也得到了提高，UFS . 将提供每 mA（毫安）.MB/s的顺序读取速度，比上一代提高了 %，因此，在消耗同等电量下，用户可以传输更多数据。 三星指出，为了实现更有效的空间利用和设计便利，UFS . 将采用尺寸为 毫米 x 毫米 x 毫米的紧凑型封装，并将提供可达 TB 的各种容量选择，计划于今年第三季度开始量产。