英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机

英特尔包圆 ASML 初始产能，获得今年全部高数值孔径 EUV 光刻机 TheElec 表示，ASML 截至明年上半年绝大部分高数值孔径 EUV 设备的订单已经由英特尔承包，包括今年计划生产的五套设备将全部运给这家美国芯片制造商。 2023-12-22 2024-04-18

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装

英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装 4 月 18 日，美国芯片公司英特尔宣布，已接收并完成组装业界首台商用高数值孔径（High NA）极紫外（EUV）光刻机。据介绍，这套重达 165 吨的设备是阿斯麦（ASML）与英特尔合作数十年后开发的新一代光刻设备，现位于俄勒冈州的 D1X 制造工厂，正在进行最后的校准。 来源：财经慢报频道

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉，ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽，因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称，ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台，这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示，英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备，每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误”

英特尔率先组装ASML新一代光刻机 “不想再犯过去的错误” 在与记者的交流中，英特尔光刻主管马克·菲利普斯（Mark Phillips）表达了对其决策的坚定信心：“我们在决定购买这些设备时就已经认可了它们的价格。如果我们不认为这些设备物有所值，我们根本不会采购。”阿斯麦是欧洲最大的科技公司，在光刻机市场占据主导地位。光刻机是一种利用光束帮助制造芯片电路的设备。光刻技术是芯片制造商用以提升芯片性能的核心技术之一，它决定了芯片上晶体管的最小宽度晶体管宽度越小，芯片的处理速度通常越快，能效也越高。新一代高数值孔径（High NA）光刻工具预计能大幅减小晶体管的宽度，达到原来的三分之一。然而，芯片制造商必须在这种显著的成本提升和技术优势之间进行权衡，并考虑现有技术的可靠性是否已足够满足需求。英特尔的错误英特尔决心率先采用高数值孔径极紫外光刻机并非偶然。英特尔虽曾参与开发极紫外光刻技术，但在开始使用阿斯麦首款极紫外光刻机上却晚于其竞争对手台积电。英特尔首席执行官帕特·盖尔辛格（Pat Gelsinger）承认，这是一个严重的失误。与此同时，英特尔专注于所谓的“多重曝光”技术的开发，其本质是使用分辨率较低的光刻机对晶圆进行多次光刻，以达到与高端机器相同的效果。菲利普斯表示：“那就是我们开始遇到麻烦的时候。”尽管传统的DUV光刻机成本较低，但复杂的“多重曝光”操作耗时且降低了芯片的良品率，这减缓了英特尔的业务发展。英特尔目前已经在制造最关键的芯片部件时使用了第一代极紫外光刻机，菲利普斯预计，转用高数值孔径极紫外光刻机将会更加顺利。他说：“现在我们已经有了期待已久的新一代极紫外光刻机，我们不想再犯过去的错误。”菲利普斯还表示，位于俄勒冈州希尔斯伯勒园区的这台新机器预计将在今年晚些时候全面投入使用。英特尔计划在2025年使用这台巨大的机器开发14A代芯片，并预计在2026年开始初步生产，到2027年实现全面商业化生产。阿斯麦在本周公布的最新财报中表示，已开始向一位客户发运第二套高数值孔径极紫外光刻机。这位客户可能是台积电或三星。由于这些大型设备的运输和安装可能需要长达六个月的时间，因此英特尔此举已经占据了先机。（辰辰） ... PC版： 手机版：

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机

传台积电A16 1.6nm制程不会采用High-NA EUV光刻机 访问：NordVPN 立减 75% + 外加 3 个月时长 另有NordPass密码管理器 据台湾业界消息，台积电并没有为A16制程准备High-NA（高数值孔径）EUV光刻机，而是准备采用现有EUV光刻机生产。相比之下，英特尔、三星都将在这一节点使用最新的High-NA EUV光刻机。关于背面供电技术，英特尔原本计划在20A（2nm）制程导入，称其为“Power Via”，但后来决定推迟至14A制程采用。三星同样开发了类似的背面供电技术BSPDN，根据早些时候消息，三星代工部门首席技术官Jung Ki-tae曾宣布将于2027年将背面供电技术用于1.4nm制程。目前英特尔已经收到了ASML首台High-NA EUV光刻机，并完成组装。业界认为，台积电选择在这时推出A16制程，给英特尔与三星带来了竞争压力。虽然英特尔在High-NA EUV设备上抢先一步，但能否赶上台积电的商业化进度还有待观察。台积电决定在A16制程沿用常规EUV光刻机，也展现了其技术实力，可以在不采用最新设备的情况下，将现有EUV设备的分辨率推进到1.3nm以下。事实上，去年台积电就成功通过调整光刻胶材料、光掩模制程等方式，在提升先进制程的临界尺寸与图形精度的同时，还降低了缺陷密度。台湾分析师表示，台积电、英特尔、三星之间的竞争将进一步刺激对EUV光刻机的需求，尤其是独家供应商ASML。考虑到High-NA EUV设备产能有限，如何在三大晶圆代工巨头之间分配，势必成为一大挑战。 ... PC版： 手机版：

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜

阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机，买家身份成谜 然而，ASML 对买家身份讳莫如深，只能猜测其身份，路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上，英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机，用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件（第 13 页）中提到的，英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。