英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能

英特尔包揽ASML High-NA EUV初期产能 TheElec 获悉,ASML 截至明年上半年的高数值孔径 EUV (High-NA EUV) 设备订单由英特尔全部包揽,因此三星和 SK 海力士明年下半年后才能获得设备。消息人士称,ASML 的高数值孔径 EUV 设备产能每年约为五至六台,这意味着英特尔将获得所有初始产能。他们还表示,英特尔在宣布重新进入芯片代工业务时抢先购买了这些设备。ASML 的高数值孔径 EUV 设备是芯片制造商制造 2nm 工艺节点芯片的必备设备,每台设备的成本超过 5000 亿韩元。

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ASML 和英特尔实现 High NA EUV “初次曝光”里程碑 ASML 大型新型高数值孔径 (High NA) EUV 光刻系统已完成“初次曝光”,这是一个里程碑,意味着该工具正在运行,尽管尚未发挥全部性能。ASML 和英特尔本周三表示,英特尔在其工厂内,通过激活光源并使光透过透镜系统到达晶圆上的光刻胶,利用 ASML 的 High NA EUV 系统实现了一个重要的里程碑。 这表明光源和镜子已正确对齐,这是调试过程中的关键步骤。 “初次曝光”里程碑表明当前世界上最先进的芯片制造工具 ASML Twinscan EXE:5000 系统的一个主要组件已开始运行,但尚未达到峰值性能。

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英特尔完成首台商用高数值孔径 EUV 光刻机组装 4 月 18 日,美国芯片公司英特尔宣布,已接收并完成组装业界首台商用高数值孔径(High NA)极紫外(EUV)光刻机。据介绍,这套重达 165 吨的设备是阿斯麦(ASML)与英特尔合作数十年后开发的新一代光刻设备,现位于俄勒冈州的 D1X 制造工厂,正在进行最后的校准。 来源:财经慢报频道

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ASML正在开发hyper-NA EUV光刻机  他表示,在未来十年内,ASML将构建一个集成低数值孔径、高数值孔径和超数孔径EUV系统的单一平台。 这一举措被视为减少工艺步骤数量、降低晶圆加工成本和能源消耗的关键。Van den Brink进一步强调了Hyper-NA EUV工具的重要性,指出它能够简化复杂的双重图案工艺,降低生产难度。他解释说,这种高分辨率工具的可用性对于半导体制造行业至关重要。值得注意的是,高数值孔径EUV(high-NA)光刻技术目前正处于起步阶段。ASML自去年12月开始出货高数值孔径工具,目前仅英特尔一家采用,而台积电则表示短期内不会采用。为了推动该技术的研发和应用,ASML将在几周内正式在费尔德霍芬开设高数值孔径实验室,该实验室将与Imec共同运营,为芯片制造商提供该工具的早期使用权。事实上,该实验室的系统已经投入使用,并成功打印了有史以来第一个10纳米线阵图案。据Van den Brink的最新更新,该系统已经能够产生8nm线阵图案,接近该工具的最大分辨率。这一成果进一步证明了ASML在EUV光刻技术领域的领先地位和持续创新的能力。 ... PC版: 手机版:

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阿斯麦向客户交付第二台 High NA EUV 光刻机,买家身份成谜 然而,ASML 对买家身份讳莫如深,只能猜测其身份,路透社指出英特尔、台积电和三星都是潜在客户。事实上,英特尔已经购买了首台高数值孔径 EUV 光刻机,用于其即将推出的 14A 制程节点。正如 ASML 在提交给美国证券交易委员会的文件(第 13 页)中提到的,英特尔在 2024 年初于其位于俄勒冈州希尔斯伯勒的工厂接收了首台 TWINSCAN EXE:5200 系统。台积电和三星也已经确认有意采用 ASML 的高数值孔径 EUV 光刻机。

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