英特尔 展示首个全集成光计算互连芯粒

英特尔 展示首个全集成光计算互连芯粒 光计算互连（OCI）芯粒由带有片上DWDM（密集波分复用）激光器和SOA（半导体光放大器）的硅光子集成电路（PIC）以及包含完整光I/O子系统电子设备部分的电气集成电路（EIC）组成。 8 个光纤对，32Gbps × 64通道 ，双向共计4Tb，传输距离100米，能量效率 5 pJ/bit。

台积电涉足硅光子技术 制定12.8Tbps COUPE封装互连路线图

台积电涉足硅光子技术 制定12.8Tbps COUPE封装互连路线图 台积公司的紧凑型通用光子引擎（COUPE）采用该公司的 SoIC-X 封装技术，将电子集成电路堆叠在光子集成电路（EIC-on-PIC）上。该代工厂表示，使用其 SoIC-X 技术可实现芯片到芯片接口的最低阻抗，从而实现最高能效。EIC 本身采用 65nm 级工艺技术生产。台积电的第一代三维光学引擎（或 COUPE）将集成到 OSFP 可插拔设备中，运行速度可达 1.6 Tbps。这一传输速率远远超过了目前的铜以太网标准（最高可达 800 Gbps），凸显了光互连在重型网络计算集群中的直接带宽优势，更不用说预期的节能效果了。展望未来，第二代 COUPE 的设计目的是集成到 CoWoS 封装中，作为与交换机共同封装的光学器件，从而使光互连达到主板级。与第一代 COUPE 相比，第二代 COUPE 支持高达 6.40 Tbps 的数据传输速率，并减少了延迟。台积电的 COUPE 第三代产品在 CoWoS 互连器上运行的 COUPE 预计将进一步改进，将传输速率提高到 12.8 Tbps，同时使光连接更接近处理器本身。目前，CoWoS 上的 COUPE 还处于开发的摸索阶段，台积电还没有设定目标日期。与许多同行不同的是，台积电至今尚未涉足硅光子市场，而是将这一领域留给了 GlobalFoundries 等公司。但随着三维光学引擎战略的实施，该公司将进入这一重要市场，以弥补失去的时间。 ... PC版： 手机版：

美光大容量 M.2 2230 规格 SSD 海外上市，可选 2TB

美光大容量 M.2 2230 规格 SSD 海外上市，可选 2TB 美光该系列 SSD 支持 PCIe 4.0 连接，采用的是 176 层 QLC NAND 闪存，单面贴装，实现了 2TB 的大容量，具有 HMB 缓存功能，在无 DRAM 缓存的情况下支持超过 4,000MB/s 的高速传输 ====糊==== 2T 2230 steam dick专用 如果缓外给力也不是不能插卡套塞相机里(

九峰山实验室8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线

九峰山实验室8寸硅光薄膜铌酸锂光电集成晶圆下线 薄膜铌酸锂由于出色的性能在滤波器、光通讯、量子通信、航空航天等领域均发挥着重要作用。但铌酸锂材料脆性大，大尺寸铌酸锂晶圆制备工艺困难，铌酸锂微纳加工制备工艺也一直被视为挑战。目前，业界对薄膜铌酸锂的研发还主要集中在3寸、4寸、6寸晶圆的制备及片上微纳加工工艺上。九峰山实验室工艺中心基于8寸SOI硅光晶圆键合8寸铌酸锂晶圆，单片集成光电收发功能，成功破解了这一难题。九峰山实验室表示，近年来，由于5G通信、大数据、人工智能等行业的强力驱动，光子集成技术得到极大关注。铌酸锂以其大透明窗口、低传输损耗、良好的光电 / 压电 / 非线性等物理性能以及优良的机械稳定性等被认为是理想的光子集成材料，而单晶薄膜铌酸锂则为解决光子集成芯片领域长期存在的低传输损耗、高密度集成以及低调制功耗需求提供了至今为止综合性能最优的解决方案。据悉，湖北九峰山实验室于2021年由湖北省人民政府正式批复组建，实验室面向世界科技前沿，面向国民经济主战场和国家重大需求，以建设先进的化合物半导体研发和创新中心为愿景，在中国光谷建立起全球一流的化合物半导体工艺、检测基础设施，打造公共、开放、共享的科研平台。 ... PC版： 手机版：

英特尔计划将重点放在人工智能和芯粒等未来技术上

英特尔计划将重点放在人工智能和芯粒等未来技术上 长期以来，英特尔一直在追求尖端芯片，以支持其数据中心和消费类PC产品。去年在纽约举行的Meteor Lake芯片发布会上，英特尔CEO帕特·格尔辛格（Pat Gelsinger）暗示了公司的未来方向，指出该公司有望在四年内集成五个新节点，包括Intel 7、Intel 4、Intel 3、Intel 20A和Intel 18A。外媒报道称，英特尔专注于整合人工智能、芯粒等新兴技术，该公司的芯粒技术可以消除服务器和客户端产品之间的区别，使公司能够根据客户需求组装芯片。这样，该公司就能为特定行业快速生产定制芯片。格尔辛格在一次新闻发布会上表示，随着定制芯片在2025年之后成为潮流，服务器和PC芯片的定时发布届时可能就会变得不那么重要。2021年初，英特尔重振其芯片代工制造业务，并将其更名为“英特尔代工服务”（Intel Foundry Services，简称IFS），目标是与台积电和三星竞争。此前，外媒报道称，在CEO Pat Gelsinger的领导下，英特尔投资数十亿美元在三大洲建厂，以恢复其在芯片制造领域的主导地位，并更好地与竞争对手AMD竞争。2023年12月份，以色列财政部、经济部和税务局发表联合声明宣布，英特尔将在以色列投资250亿美元新建一座芯片工厂，该工厂将专门为苹果和英伟达等公司生产先进芯片。除了在以色列新建一家芯片工厂外，英特尔还将在德国东部和俄亥俄州中部建设新的芯片工厂。 ... PC版： 手机版：

台积电一口气发三个新技术 有力回应三星和英特尔的挑战

台积电一口气发三个新技术 有力回应三星和英特尔的挑战 01推出3D光学引擎布局下一代通信技术台积电准备用造芯片的方式造光模块，省功耗、省空间。当前通信网络采用的光模块技术，主要是把各个组件组装在一起（见下图）。这种集成方式随着传输速率的提升，会产生高功耗的问题。为了解决这一问题，台积电推出了一种新的光模块产品。简单来讲，就是把制作芯片的那套技术，用在了光模块的制作上。这种方法，使得光模块体积大幅减小，材料成本、芯片成本、封装成本也进一步得到优化。这是一种新型光模块技术，也是业内公认的下一代通信技术。（台积电1.6T光引擎产品图）然而，台积电并不是硅光领域的唯一布局者，Global Foundries、IMEC、PowerJazz等厂商也早早做了布局。由于硅光芯片不是先进制程，通常在45nm~130nm之间，国内硅光设计公司基本都是找Global Foundries，IMEC，PowerJazz这些厂商做代工。与同行相比，台积电进入硅光市场的时间相对较晚，但仍然领先于英特尔和三星。此外，这次大会上，台积电披露了雄心勃勃的光引擎战略，一年一迭代：25年推出1.6T 可插拔光学引擎，26 年推出6.4T 光引擎。考虑到台积电在芯片制造领域的绝对地位，以及公司制定的雄心勃勃的产品战略，未来在硅光市场，台积电会是一股不可忽视的力量，也许会抢占本身就在这一领域发展的公司的市场份额。02背面供电助力高性能芯片需求用全新供电方式，提升芯片的空间利用率。关于芯片的供电方式，目前市场的主流做法是把电源部署在芯片的正面，这会导致电源挤占芯片空间。台积电此次推出的背面供电技术，解决了这一问题。除了台积电，IMEC和英特尔也积极研发背面供电技术。三者相比，IMEC的技术成本最低，但性能逊于台积电；台积电的技术成本最高，但性能最好。总的来看，台积电在背面供电技术上更胜一筹。总体而言，台积电的新型背底供电解决方案是一项创新技术，可以提高芯片的性能、功耗效率和面积利用率。有望在未来的移动设备和数据中心芯片中得到广泛应用。033D封装之外一种新的选择“晶圆级系统”通过在晶圆上互连芯片，让不受空间限制的数据中心，获得更快的互连速度。随着芯片上晶体管的增多，市场对芯片集成度的要求也越来越高。特别是手机/电脑等终端，芯片无法做的很大，必须小巧，因此主要采用3D封装来集成芯片（垂直堆叠芯片）。但面对数据中心这样，对芯片面积要求不是很高的场景。台积电推出了一种新的芯片集成方案 “晶圆级系统”。该技术将多个芯片直接在晶圆上互连，更多的是在横向去扩展芯片系统（见下图），预计未来封装后尺寸将达到12x12cm。台积电使用该技术已经陆续推出了不少产品。例如，英伟达今年推出的B100 GPU，由两个Blackwell小芯片组成一个B100芯片；Cerebras的 “大芯片”，同一片晶圆上连接了90 万个核心。在晶圆级互连上，台积电也远远领先于英特尔和三星这两大对手。总的来看，台积电的龙头地位虽然受到挑战，但仍然是晶圆领域的霸主。而英特尔夸下的海口，还没那么容易实现。 ... PC版： 手机版：